国内首颗8英寸区熔硅单晶问世

正中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。据介绍,目前这三项新产品已相继从实验室走向应用阶段;公司还希望凭借直拉区熔技术进军高效太阳能电池应用领域,并实现产业化生产。中环股份以半导体硅单晶材料、单晶硅光伏产品和半导体器件为主营业     

分立器件用直拉硅单晶研磨片

万向硅峰电子股份有限公司创建于1968年，拥有一支具有近四十年从事半导体生产历史的高素质管理队伍和高技术员工队伍。目前公司总资产为4亿元，现有员工445人，其中工程技术人员137人，占公司员工总数的30％以上。主要产品有：Ф76．2mm～200mmCZ硅单晶，Ф76．2mm～150mm重掺砷、锑、硼硅单晶，Ф76．2mm～200mm硅单晶切割、研磨片及Ф76．2mm～150mm硅单晶单面和双面抛光片等。其中“601牌硅单晶棒片”荣获“国家免检”和“浙江省著名商标”、“浙江名牌”产品称号；     

气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术

环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果．2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利，专利号ZL200610013497．6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。     

江苏无锡2亿美元建设微电子基地开工建设

日前,总投资2 亿美元的华润微电子基地暨IC 封装项目在无锡新区开工建设。有关人士称,为让“华润芯”走进中国家庭,在未来3—5 年内,该公司投资近30 亿元人民币,建设新的基地和发展项目。 华润微电子有限公司由原香港华润半导体有限公司和原中国华晶电子集团公司重组设立而成。这次投资的新生产基地主要用于发展IC 设计、晶圆制造、封装及测试、硅外延材料等业务。预计到今年底,一座近30000 平方米的现代化的封装测试工厂将首先在该生产基地落成。据介绍,微电子产业是国家重点发展的高科技产业,目前正值快速发展时期。 …     

业界要闻

我国大规模集成电路封装材料实现突破由中国科学院化学研究所成功开发出的可用于超大规模集成电路先进封装材料光敏型BTPA-1000和标准型BTDA1000聚酰亚胺专用树脂,目前已申请7项国家发明专利。国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造,年产几十吨的工业中试装置正在建设,可望于今年7月投产。海力士-意法半导体工厂在无锡开工最近,高新技术项目海力士--意法“8英寸”及“12英寸”半导体工厂在无锡举行开工庆典,该项目是获得国务院核准的项目,目前是江苏省最大的外商独资项目。业内人士透露,该项目的开工…     

掺氮直拉硅单晶的研究和应用

掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料，它具有容易消除微缺陷，低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点，这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发，掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受，目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用，成为国际上硅单晶的一个重要新品种。     

内蒙可以生产14-18 in P〈100〉半导体级大直径硅单晶

神秘的硅产业其实早已渗透在我们的日常生活中,电视、电脑、冰箱、电话、汽车。处处离不开单晶硅材料,而内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司生产的单晶硅产品主要运用于太阳能发电和光伏领域。近日,内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司攻克了拉制大直径半导体级硅单晶所使用的石墨热系统．可以生产14～18 in P〈100〉半导体级大直径硅单晶。     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.     

激光辐照半导体硅的掺杂研究

描述一个有机胶体掺杂剂的半导体硅的激光辐照掺杂方法;P型和N型两种硅单晶进行了砷、磷和硼的掺杂,并研究了掺杂区的电和光电特性。     

国内要闻

海力士-意法半导体无锡工厂开工力士--意法φ200m m及φ300m m半导体工厂日前在无锡举行开工庆典,该项目是获得国务院核准的项目,目前是江苏省最大的外商独资项目。业内人士透露,该项目的开工,预示着:无锡离建设中国“硅谷”的梦又近了一步,无锡将借此确立在中国IC产业高地的地位。海力士半导体有限公司从2003年起,为扩展中国生产基地,对中国3个区域9个城市及开发区进行实地考察,经过综合评定,2004年初,无锡以雄厚的IT半导体产业基础、丰富的技术人才资源、市政府及相关工作人员对半导体行业的了解、对该项目的热忱及积极性等方面优势最终…     

红外高折射率基体材料3～5微米宽带增透膜

一目前,红外光谱区用的窗口或衬底材料大部分都是些半导体材料,如锗、硅、砷化钢和锑化铟等单晶材料。它们对不同的红外区域有一定的透明性。但这些材料的折射率都较高,如锗单晶n=4,硅单晶n=3.45。这样,如果它们在空气中直接使用时,其反射损失是比较大的,或者说根本不能使用。为     

我国最大的砷化镓材料生产基地在北京投产

据《科技日报》2006年10月13日报道,2006年10月12日,国内最大的砷化镓材料生产基地——中科晶电信息材料(北京)有限公司量产揭幕仪式在京举行,这标志着我国砷化镓材料生产的集成化、规模化进入一个新的阶段。该公司总经理卜俊鹏透露:到2008年中科晶电产量将翻番,届时产能将达到世界第一位,中国制造的开盒即用砷化镓晶片将享誉全球市场。砷化镓材料是继硅单晶之后第二代新型化合物半导体材料中最重要、用途最广泛的材料之一,在微电子和光电子领域有着巨大的应用空间。由北京中科镓英半导体有限公司、美西半导体设备材料(香港)有限公司和美国…     

国产炉拉制Φ78～85mm无位错区熔硅单晶中“毛剌”产生的机理及消除方法

本文介绍了在国产设备上试制生产Φ>76.2mm无位错区熔硅单晶过程中多次遇到而又必须解决的常见问题之一——“毛刺”问题.着重讨论了“毛刺”产生的宏观机理,并介绍了为有效地防止“毛刺”产生所采取的各种措施.     

台湾省“二兆双星”计划进程

台湾的“二兆双星”计划设定2006年半导体和显示器产业产值将分别达到1万亿元新台币（约294亿美元），实际上2004年台湾半导体产业已达标，牢固地建立起了台湾作为世界半导体生产据点的地位。台湾已有6条12英寸圆片生产线开工，另有4点正在建设，可望年底投产。     

因地制宜 错位发展 着力打造西安半导体产业

西安作为我国重要的半导体产业基地之一．在半导体人才培养、基础研究、技术应用等领域具有显著优势。“十五”期间。国家在西安先后批准设立了国家集成电路设计西安产业化基地和以三所大学为依托国家集成电路人才培养基地．营造了良好的产业发展环境．产业发展已初舆规模。近年来．随着英飞凌科技、奇梦达科技、瑞萨科技、应用材料、美光科技、爱尔半导体、西岳电子等重大项目的落户．产业聚集速度明显加快．初步形成了半导体设备研制与生产、硅材料研制与生产、集成电路设计、加工制造、封装与测试产业链，并正在形成以设计业为龙头、加工制造（含封装）业为支撑的产业格局。     

半导体发光器件有了“中国芯”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,4月 2 0日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。据中国科学院院士蒋民华教授介绍 ,“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,国家和山东省先后投资 730 0万元 ,历经 3年多时间才使高亮度红、橙、黄、黄绿发光二极管外延材料及管芯达到了产业化水平。目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二…     

用微机械技术的光集成传感器

硅单晶作为半导体材料具有优良的特性,它是一种硬度、拉伸强度和杨氏模量较大、机械性能也较好的材料.半导体工艺技术在硅单晶材料中可以充分发挥作用.因此,在硅单晶基板上利用微机械技术作成三维结构,试图把它作为坚固的机械结构与器件组合在一起使用.     

发展国产半导体材料任重道远

中国半导体材料经过40多年的研究与开发,已具备了相当的基础,特别是在改革开放以后,中国半导体材料获得明显的发展,除满足国内市场外,一些材料开始进入国际市场.据统计,我国从事半导体材料研究生产企业约35家,从业人员近4000人,以5英寸、6英寸为主,2003年国内硅单晶产量达1100吨左右,平均年增长率为27.5%.由于自2002年以来国际半导体市场需求的回升,特别是中国半导体产业的快速增长,硅材料企业基本上都处于满负荷生产,有的企业还加快了12英寸硅片的研究开发,以适应未来市场发展的需要.建成了一些具有一定规模和影响力的科研单位和企业,主要有:     

气相掺杂区熔硅单晶的掺杂剂量计算方法研究

随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段。主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明。