安森美半导体推出业内最小封装的ESD保护二极管阵列

近日,安森美半导体宣布推出采用超小SOT-953封装NUP45Y6系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mm×1.0mm×0.5mm,是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外,专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化,可广泛用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。与安森美半     

安森美半导体ESD保护技术——应用于便携电子产品的业界最小封装

安森美半导体（ON Semiconductor）推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚（Dual Silicon No-Lead．DSN-2）封装的静电放电（ESD）保护器件。这DSN型封装尺寸仅为06mm×0．3mm×0．3mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能／电路板面积比优势。     

封装、外壳、材料

安森美小型耐用的QFN封装产品安森美半导体宣布其硅锗(SiGe)Gigacomm系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平(QFN)封装。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比,节省电路板空间,同时大幅提高了热性能。采用QFN封装的Gigacomm器件目前额定温度范围为-40℃~+85℃,尺寸为3mm×3mm,比倒装球栅阵列(FCBGA)封装减少44%。采用QFN封装的Gigacomm器件,其性能相当于采用FCBGA封装,但大幅节省了电路板空间并有效提高了热性能。QFN的结温仅为55℃/W。安森美半导体的数据与时钟管理Gigacomm集成电路系列,结合创新的设计…     

新的功率MOSFET器件

安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mmx6 mm SO-8FL封装及3.3 mmx3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界标准DPAK封装小50%或以     

业界热点

安森美采用ＣｈｉｐＦＥＴ封装的电源器件 安森美半导体（ＯＮ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）推出ＮＴＨｘ５ｘｘｘＴ１产品系列（属于一组Ｎ沟道和Ｐ沟道电源器件）,是首批使用ＣｈｉｐＦＥＴ封装技术的系列产品,可减少便携式及台式计算系统中电源电路的电路板空间。 ＣｈｉｐＦＥＴ技术把引线连接到封装件的底部,从而减少裸片的占位面积。安森美设计出８引脚式ＣｈｉｐＦＥＴ系列,提高有效的裸片占位面积的百分比。 安森美已与Ｖｉｓｈａｙ Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ在２０００年７月达成双边技术授权的协议,授权安森美利用ＣｈｉｐＦＥＴ…     

安森美推出微型封装ESD保护二极管和肖特基二极管

安森美半导体（0NSemiconductor）推出三款新型超小SOD-923封装的ESD二极管和三款肖特基二极管。封装的尺寸仅为1．0mm&;#215;0．6mm，高度为0．4mm，性能令人印象深刻。这些二极管是要求高电源能效的便携式、消费电子和无线产品的理想之选．而且是占据板空间最小的业内最佳的ESD保护。     

安森美半导体新的功率MOSFET器件为汽车模块节省珍贵空间并提供强固性能

安森美半导体（ON Semiconductor）推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚（FL）封装。这些器件采用5mmx6mmSO-8FL封装及3.3mmx3.3mm WDFN-8封装,占位面积比业界标     

安森美半导体推出业内最小封装低压模拟开关

2006年1月18日-全球领先的电源管理解决方案供应商，安森美半导体针对便携和无线音频应用，推出了三种新型低电阻模拟开关。新型无铅超小6-引脚、10-引脚和16-引脚模拟开关采用1．2mm2到4．7mm2板空间，比竞争产品节约高达70％的空间。     

安森美半导体以超低电容技术扩充ESD保护产品系列

安森美半导体扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5．0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。     

安森美半导体推出业内最小封装的ESD保护二极管阵列

全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)近期宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mmx1.0mmx0.5mm,是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外,专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化,可广泛用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。     

白色LED驱动电路NCP5010

<正> NCP5010是安森美半导体公司推出的一种用作驱动白光 LED 的固定频率 PWM 升压变换器单片 IC。NCP5010可提供500mW 的输出功率和30mA 的输出电流,驱动2～5个串联连接的白色 LED。NCP5010的应用范围包括小尺寸彩色 LCD 显示屏白色 LED 背光照明、蜂窝电话、数码相机、MP3播放机及高效升压变换器等。封装及引脚功能NCP5010采用尺寸为1.7mm×1.7mm 的8脚倒装片封装,引脚排列如图1所示。NCP5010的各引脚功能见附表。     

ESD7L5．0D／NUP4212：ESD保护器件

安森美扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列，推出两款器件ESD7L5．0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。     

安森美低厚度SOD-123FL封装

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W／mm^2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，     

安森美半导体和Nantero公司联合开发碳纳米管技术

安森美半导体和Nantero两家公司将携手开发半导体工艺技术,在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的工厂将碳纳米管集成到CMOS晶圆制造。2006年5月29日—安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)和Nantero公司宣布他们联手开发创新的半导体工艺技术,持续开展在CMOS晶圆制造中有效地集成碳纳米管。联合开发项目在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的制造厂区进行。该厂是最近从LSILogicCorporation购买的,其制造能力可精确至130纳米(nm)节点,是与Nantero技术开发项目的理想之选。当安森美半导体在本月早期接手此厂区…     

新品快讯

安森美四种新型高性能时钟驱动器安森美半导体新推出新型高性能时钟驱动器系列,该四款新器件可在高速测试与测量设备、高端计算机工作站、网络设备、电信设备和医学成像系统中进行定时信号分配。安森美半导体推出的新器件采用成熟的Mosaic-5制造工艺,其抖动和信号歪曲率性能可降低至一半,而低格更具竟争     

安森美半导体超低电容技术扩充ESD保护产品系列

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。     

安森美半导体推出新微封装的晶体管和二极管

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管.新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求.     

安森美半导体以获奖的超低电容技术扩充ESD保护产品系列

安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出两款新型器件ESD7L5.0D和NUP4212.这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸.     

安森美以全股票交易收购Catalyst半导体

安森美半导体和Catalyst半导体宣布,已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议,交易将全部以股票支付,Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元,企业价值约为0．85亿美元。     

安森美半导体以全股票交易收购Catalyst半导体

安森美半导体和Catalyst半导体宣布,已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议,交易将全部以股票支付,Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元,企业价值约为0．85亿美元。