CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5四元系快Cu~+离子玻璃的形成范围和性质

本文研究了四元系CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5快Cu~+离子玻璃的性质。包括玻璃形成范围、离子输运、热稳定性、离子电导率以及取代量(MoO_3)和掺杂盐(CuI)的影响。实验指出,用MoO_3取代P_2O_5的办法可以得到性能优良的玻璃导体。     

Li2O～SiO2～V2O5～SnO2体系的锂快离子导体研究

Li2O～SiO2～V2O5～SnO2四元体系固溶体是锂离子/电子混合导体,本文用均匀试验设计方法研究其电导率随组分的变化规律,寻找电导率最高的配方区域.在选取的试验点中分析了其中的离子和电子电导率的大小比例.选取试验点验证了高电导率区域的电导率变化规律.实验中获得的室温离子电导率最高的快离子导体为2.06×10-4S/cm.     

快离子导体陶瓷的制备与应用

综述了快离子导体陶瓷的制备方法及应用领域 ,并展望了快离子导体的发展前景。     

纳米快离子导体的研究进展

评述了纳米快离子导体的制备方法和离子导电性能的研究进展及有待进一步研究的问题。     

LiH—LiF—P2O5系非晶态快离子导体的电性能与核磁共振研究

测试了LiH-LiF-P_2O_5系非晶态快离子导体材料的交流电导率;分析了样品的交流阻抗谱并确定了对应的等效电路。同时采用~7LiNMR和~1HNMR方法讨论了材料中Li~+离子的迁移行为和H~-离子的结构状态。     

Cu基快离子导体热电材料研究进展北大核心CSCD

以Cu_2S和Cu_2Se为代表的Cu基快离子导体热电化合物因性能优越、无毒环保、成本低廉等优点,在热电领域获得了极大的关注。为使Cu基快离子导体热电材料的实际应用变为可行,限制Cu离子的迁移且保持材料的良好热电性能是必不可少的。本文总结了几种有代表性的铜基快离子导体热电化合物的基本特性、结构、性能和制备方法,介绍了这些材料体系最新的研究成果和进展。同时针对Cu离子扩散问题,概述了几种能有效地提高快离子导体热电材料稳定性的方法。     

沸石类矿物电子探针分析过程中钠计数率随时间变化的研究

研究了电子探针分析过程中，五种沸石矿物的钠计数率随时间的变化，从物质结构出发探讨了造成钠不稳定的机理，讨论了影响离子迁移速率的因素，发现辉沸石是一种很好的快离子导体材料，本文对寻找与研究快离子导体材料也有一定参考意义。     

PMGn—PEO—LiCF3SO3复合结构高分子快离子导体

采用共混方法,研究了往PMG_n-LiCF_3SO_3体系中掺入聚氧化乙烯,或聚醋酸乙烯酯,纤维素丙酸酯的影响,结果表明,共混掺入适量高分子量聚氧化乙烯(PEO)可与以上体系形成均匀结构的由PMGn-PEO-LiCF_3SO_3组成的复合型高分子快离子导体。这种复合结构高分子快离子导体的离子导电性和成膜后的抗蠕变性能比原体系都有明显改善.     

磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响

在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响.沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能.     

用激光熔融法制备稳定ZrO2快离子导体

利用连续ＣＯ２激光熔融法制备稳定ＺｒＯ２高 温快离子导体获得成功．Ｘ射线衍射分析表明激光熔 融后的样品为全立方相，电导率测试结果与国外学者用常规方法制备的同类快离子导体水平相当，温度为 １０００℃时电导率达到２×１０－２Ω·ｃｍ－１量级。     

大功率CO2激光熔凝稳定ZrO2

利用大功率ＣＯ２激光熔凝稳定ＺｒＯ２高温快离子导体获得成功．报导了激光熔凝的原理、工艺过程及熔凝后样品的微观分析等研究结果．激光熔凝的ＣＳＺ和ＭＳＺ快离子导体样品在温度为１０００℃时的电导率达到２×１０－２Ω－１ｃｍ－１量级．     

水热晶化法在材料制备中的应用

本文综述了水热法制备快离子导体、铁电体、磁性材料和无机微孔材料等方面的研究现状和发展趋势.     

零相频下离子导体的焦耳加热及其电解反应抑制（英文）

众所周知,当电流通过导体时,会产生热。虽然我们日常生活和工业中的各种应用都是利用电子导体的加热,但很少有人注意到离子导体在加热方面的潜力。这是因为“不可避免的”电化学反应,这可能导致不必要的导体电解,电极腐蚀和表面污垢。本文报道了离子导体在没有电化学反应的情况下的焦耳加热。采用零相频率的电来抑制高压下离子导体的电解。用各种离子导体,液体和固体,展示了高效的能量转换,而不需要电化学反应。这种加热方法简单、直接、快速、清洁、均匀,在众多工业和家庭应用中具有巨大的潜力。     

不同络合剂对化学镀镍过程的影响

用热力学平衡的方法研究了在ＢａＴｉＯ３ 系陶瓷ＰＴＣＲ 上进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 镍离子、甘氨酸 镍离子和柠檬酸盐 镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。研究结果表明,加入络合剂会影响化学镀镍的速度,醋酸盐会使化学沉积速度升高,而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降,这可能和混合电位及空间位阻、化学键合力等因素有关。选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作有着十分重要的意义。     

快离子导体

快离子导体,或称固体电解质,或超离子导体,是近年来迅速发展起来的一门新的材料科学分支。这类材料虽是固体,却有与离子溶液相似的离子导电性,载流子不是电子,而是阳离子、阴离子或离子空位。固体中的离子导电现象在上世纪末就被科学家们发现。Nernsl白灯炽就是利用高温ZrO_2的离子导电性。本世纪初Tuband与Lorenz及三十年代的Strock又发现了AgI在146℃以上的高温相具有异常高的离子导电率。到六十年代中期,几乎同时发现了以碘化银为基的三元化合物的银离子导体和β-氧化铝族的钠离子和其他一些单价阳离子导体,     

固体中的离子迁移研究

本文综述了我们用 EPMA 和 SEM 技术研究固体中的离子迁移所取得的结果。主要内容包括:(1)测定在电子束轰击下固体中可迁移离子的种类和组成的变化。(2)确定低电导固体和快离子固体中的离子迁移的动力学方程式。(3)显示了金属沉积特征与离子迁移路径及固体显微结构的关系。所研究的固体材料为含 Na、Ag 和 Cu 离子的单晶、多晶和玻璃。特别对这些材料在电子束轰击下的离子迁移对轰击区组成变化及金属沉积的影响进行了研究。     

PVDF—LiClO4高分子快离子导体膜的制备工艺研究

制得了室温离子电导率达６．９４×１０－４Ｓ＼ｃｍ的聚偏氟乙烯－高氯酸锂高分子快离子导体膜，考察了载流子的浓度、添加剂的性质、用量及膜亚微观结构形态、凝聚态性能对其电导率的影响，初步探讨了不同情况下载流子的传导机理，表明了以聚偏氟乙烯为载流子传导基质可望获得性能良好的高分子快离子导体膜。     

AES定量分析中离子溅射修正的实验研究

在俄歇电子谱(AES)定量分析中,离子溅射是最常用的表面清洁手段。我们在常规的实验条件下,用AES分析了AgCu、NiCr、CuZa和TiMo合金经低能Ar~+离子轰击后表面成分的变化。用不同的离子溅射理论修正关系修正后发现,在减小离子诱导偏析和增强扩散的条件下,采用Shimizu的修正关系和Sigmuad的级联溅射产额比关系可得到误差较小的定量分析结果。文中对各种修正理论的误差进行了讨论,认为提出的修正措施及方法对实际定量AES分析精度的提高具有一定的意义。     

BaxSr1-xTiO3前驱多层膜制备及后热处理条件的优化

用Ar 离子束多靶溅射沉积技术在单晶硅Si(100)上顺序沉积了TiO2、BaCO3、SrCO3叠层，并经后期低温扩散和高温晶化两步热处理过程制备了BaxSrl-xTiO3薄膜．用俄歇扫描电子能谱(AES)对其低温扩散效应(温度、时效、沉积顺序)进行了研究．实验结果表明：在低温段长时间保温或在中温段短时间保温都有利于各沉积组元充分扩散，扩散均匀的混合膜层经高温晶化(900℃)能形成多晶BaxSr1-xTiO3薄膜．     

AgI-Ag_2O-P_2O_5-B_2O_3薄膜固体电解质电池及性能研究

本文介绍了用真空闪蒸法制备的四元系玻璃态Ag~ 固体电解质薄膜,在此基础上研制出了薄膜电池,并用XRD、AES对薄膜的结构、表面成份进行了分析。同时对电池性能进行了研究,结果表明电池的开路电压接近理论值,电池具有很好的回复性。