新型摄像器

（１）电流模式有源摄像器这种电流模式有源摄像器件，用电流模式（而不是电压模式）来处理信号，并且有开关电流电路（ＳＩ），模拟取样数据处理，抑制ＦＰＮ电路和ＡＤＣ（模拟）数据变换器。抑制ＦＰＮ电路，主要采取了所谓的拷贝器。抑制ＦＰＮ电路的输出电流是二个电...     

CMOS图像传感器固定模式噪声抑制新技术。

针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片,试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。     

具有跳耦结构的电流模式低通滤波器设计

本文讨论了电流模式ＲＣ梯形结构滤波器的一种有源实现方法－－跳耦法，以此实现的电流模式低通滤波器采用ＣＣⅡ，ＣＣⅠ器件做为有源器件，比相应 电压模式电路结构简单，且ＲＣ元件全部接地。这种跳耦结构和梯形结构一样具有低的元件灵敏度。     

基于运放的电流模式滤波电路TT结构分析

本文提出了以基于运放Op-Amp的电流积分器为基础,构成有源RC电流滤波电路MOSFET－C（TT）结构。对这种电流模式TT结构进行了深入的理论研究,并利用PSPICE通用模拟电路程序,对其输出电压幅频特性和相频特性进行了仿真分析。得出了几点实用的结论。     

具有背景抑制功能的长波红外读出电路

为了提高红外焦平面检测目标的灵敏度，目标辐射产生的载流子应尽可能长时间保持，同时应尽可能减少热激发和背景辐射激发的比例。高背景条件下长波红外读出电路的积分电容较快饱和，且长波红外探测器暗电流的非均匀性会影响焦平面的固定图形噪声。基于共模背景抑制结构以及长波碲镉汞探测器暗电流分析的基础上，设计了具有非均匀性矫正的背景抑制电路。传统的背景抑制电路采用单一共模背景抑制或差模背景抑制。差模背景抑制模块的高精度背景记忆一般在小范围区间内。本文背景抑制结构采用共模背景抑制与差模背景抑制相结合，可以在较大的背景噪声范围内有效地降低固定图形噪声以及增大动态范围。该背景抑制结构中共模背景抑制采用电压-电流转换法，差模背景抑制采用电流存储型背景抑制结构。差模背景抑制通过背景记忆时信号放大，背景抑制时信号缩小来提高背景抑制精度。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果表明:读出电路的FPN值为2.08 mV。未开启背景抑制时，焦平面FPN值为48.25 mV。开启背景抑制后，焦平面FPN值降至5.8 mV。基于探测器的暗电流非均匀分布，计算其理论FPN值为40.9 mV。长波红外焦平面输出信号的RMS噪声在0.6 mV左右。     

采用亚微米反向晶体管结构对电流开关进行充分的器件－电路级模拟

采用亚微米反向晶体管结构对电流开关进行充分的器件－电路级模拟＝刊．俄］－１９９３，２２（２）．－８５～９５随着硅双极超高速超大规模集成电路现代制作技术的发展，以及亚微米薄膜晶体管结构集成构造的改善。对双极超高速超大规模集成电路进行分段物理／工艺电路模...     

一种新型电流模式连续时间波有源滤波器

以波接地电容为基本模块，提出了用电流镜和接地电容实现的电流 模式连续时间波有源滤波器。设计显示这种波器比基 于电流程分设计的电路具有比较好的通常特性。     

一种具有高填充因数和动态数字双采样技术的CMOS图像传感器

介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构,像素单元填充因数可达到43%,高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术,相对于传统的双采样技术(固定模式噪声约为0.5%),数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果.传感器芯片通过MPW计划采用Chartered 0.35μm数模混合工艺实现.实验结果表明芯片工作良好,图像固定模式噪声约为0.17%.     

A New CMOS Image Sensor with a High Fill Factor and the Dynamic Digital Double Sampling Technique

介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构,像素单元填充因数可达到43%,高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术,相对于传统的双采样技术(固定模式噪声约为0.5%),数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果.传感器芯片通过MPW计划采用Chartered 0.35μm数模混合工艺实现.实验结果表明芯片工作良好,图像固定模式噪声约为0.17%.     

用于地磁场信号采集电路中的∑一△型ADC设计

为了满足大动态范围、高精度、低噪声地磁数据采集的发展需求,采用一种24位∑-△型ADC7192用于三路数据采集的方法。该方法通过使用可编程增益阵列调理交流放大部分减小了整体电路规模和功耗;针对野外等特殊应用场所引入二次数字（模拟）电源、自校准、满量程校准和ADC内部滤波器,降低其噪声的同时又抑制了50Hz工频干扰。后期硬件测试对采集数据进行了对比分析,功耗为4.35mA、测量精度可达70μG的技术指标。     

嵌入式视频卡可驱动多种显示器

“提供功耗最低的∑△型模拟／数字转换器”是无晶圆厂半导体供应商Xignal Technologies公司向客户做出的承诺。该公司的产品原理基于一种被其称为“连续时间累加一增量（∑△）”的架构。Xignal公司市场主管Mark Holdaway说，目前，他们已经能够推出功耗尚不及流水线型ADC一半且分辨率达12位（及更高）的∑△型ADC。     

△-∑小数分频频率合成器带外量化噪声滤除技术

为了实现对带外量化噪声进行有效抑制,基于对电荷泵（CP）电流不匹配引起的△-∑量化噪声建模,该文提出一种新型小数分频频率合成器（Frac-N）模型。该模型是在传统小数分频频率合成器的反馈之路上嵌入一个噪声滤除器（NF）,该噪声滤除器是由一个不含分频器的宽频带锁相环（PLL）构成。采用该噪声滤除技术不但可以对高阶△-∑调制器（DSM）产生的带外相位噪声进行抑制,还可以减小由于电荷泵（CP）不匹配引起的量化噪声。仿真结果验证了该方法的有效性。     

高精度离散型Sigma delta调制器设计

阐述一种采用SAR ADC作为多位量化器的三阶离散时间（DT）Sigma delta ADC调制器,在该调制器中,量化器由4位SAR ADC构成,相比于传统Flash ADC类型的量化器,减少了比较器的个数的同时,降低了调制器整体功耗。调制器结构选择单环CIFF结构兼顾了电路的精度和稳定性,电路总体采用分级结构实现,在第一级积分器中加入斩波稳定技术,消除低频噪声的干扰。提出的离散型Sigma delta ADC调制器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计,在20kHz带宽实现了104.9dB的峰值信噪谐波失真比（SNDR）,功耗为5.98mW,有效位数(ENOB)为17.13位。     

双极晶体管总剂量效应研究进展

１前言由于具有电流驱动能力、线性特性和良好的匹配特性,双极结型晶体管（ＢＪＴ）在模拟ＩＣ或混合信号ＩＣ以及双极互补金属－氧化物半导体（ＢｉＣＭＯＳ）电路中具有重要的应用。但受辐照后的双极晶体管的增益退化是应用中的一个重要问题,在线性ＩＣ中尤为明显。双...     

MOSFET－C滤波电路TT平衡结构的CCⅡ±实现及仿真

本文提出了全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器ＣＣⅡ±为基础的平衡结构积分器，并对其消除非线性因素进行了理论分析。同时提出了以全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器ＣＣⅡ±为基本电路元件的有源ＲＣＴＴ滤波器平衡模式，并利用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构精确连续时间二阶滤波器输出电压幅频特性进行了仿真分析。     

一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计

为了降低传统带隙基准源的功耗和面积,提出了一种新型基于电流模式高阶曲率修正的带隙基准电压源电路。通过改进的电流模式曲率校正方法实现高阶温度补偿,并且通过集电极电流差生成绝对温度成正比（PTAT）电流,而不是发射极面积差,因此所需电阻以及双极型晶体管（BJT）数量更少。采用标准0.35μm CMOS技术对提出电路进行了具体实现。测量结果显示,温度在-40～130°C之间时,电路温度系数为6.85 ppm/°C,且能产生508.5mV的基准电压。该带隙基准可在电源电压降至1.8 V的情况下工作,在100Hz时,测量所得的电路电源抑制为-65.2dB。在0.1-10 Hz频率范围内,噪声电压均方根输出为3.75 μV。相比其他类似电路,当供电电源为3.3V时,提出电路的整体静态电流消耗仅为9.8μA,面积仅为0.09 mm2。     

实用集成运算放大器宏模型的研究

本文提出了一个新的通用运算放大器（简称运放）宏模型，它几乎能精确地模拟运放的全部特性，其中的等效输入噪声、温度响应和电源电压抑制比等特性的模拟，则是以前发表的同类模型所不具备的。它不仅可模拟大、中、小信号激励的线性或非线性响应，并且对双极型、双极－场效应管混合型和ＭＯＳ型运放都适用。此外，对输入级电流饱和特性也作了精确地模拟；推导出了其频域分析中的解析表达式。     

基于单个CCⅡ＋的通用二阶电流模式滤波器

提出了用单CCⅡ＋实现电流模式双二阶滤波器，采用三输入单输出（TISO）结构，滤波器的有源部分用低电源低功耗的CMOSCCⅡ＋实现。所得的电流模式二阶滤波器具有结构简单，能实现单输出低通、带通、高通电流模式滤波，不仅所有无源和有源灵敏度都很低，而且当无源参数确定后，有源参数α， β对极点频率ω0不产生任何影响，ω0保持恒定。电路的整体功耗不超过80μW。     

硅新型摄像器集锦

由于微细加工技术和CMOS技术的发展，信息工程的需要，促使摄像器件在近几年获得飞跃发展。这里收集的硅固体摄像器件的新成果从1996、1997年英、日原刊中摘编而来。（1）软X射线CCD摄像器件软X射线CCD摄像器，是一种先进的宇宙和天文物理仅用摄像器。它比以前的气体闪烁计数器、固态检测器有更多的优点，它噪声小、面积大、强度高、寿命长。这种软X射线天文仪，可长期在宇宙中工作。该摄像器是一种帧转移CCD摄像器，像素尺寸为24μm×24μm，每个像素的储存器尺寸为13．5μm×21μm，储存区分左、右二部分，有4个输出端，帧频较高，…     

CMOS电流控制电流转换器及其应用

本文给出了一个基于ＣＭＯＳ工艺电流控制电流转换器（ＣＣＣⅡ）的电路结构，并对它的性进行了分析由于结构简单，它适合于高频低功耗运用，文章最后给出了它在可调高中放及连续时间∑△ＡＣＤ变换器中的应用和计算机模拟结果。