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Gianfranco DI MARCO 《电子产品世界》2022,29(1)
1 看好哪类GaN功率器件市场
凡是对开关频率有较高要求的应用和其他半导体技术无法实现的拓扑结构, GaN(氮化镓)均适用.在汽车市场,我们最看好的应用是开关频率兆赫级别的低压DC-DC(直流-直流)转换器和车载充电机(OBC),在这个应用领域,GaN在能效与功率密度之间取得了最佳平衡.汽车48 V轻混系统中的皮带传动... 相似文献
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1 罗姆看好哪类GaN 功率器件的市场机会?
GaN(氮化镓)和SiC (碳化硅)一样,是一种在功率器件中存在巨大潜力的材料.GaN器件作为高频工作出色的器件,在中等耐压范围的应用中备受期待.特别是与SiC相比,高速开关特性出色,因而在基站和数据中心等领域中,作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望... 相似文献
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国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台--GaNpowIR.据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,能够改善性能指数(FOM)高达10倍,可以显著提高性能并节省能源消耗,该技术平台是IR经过5年的时间,基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果. 相似文献
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针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。 相似文献
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针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。 相似文献
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建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律.结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感... 相似文献
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日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列,为RFMD客户提供更多 相似文献
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半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究.数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)应用于微波和毫米波等领域,成为半导体产业研究的热点.本文在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)小信号等效电路模型的基础上将所建立模型的参数数量提高到20个,提... 相似文献
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碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸(150mm)产品,预计市场份额 相似文献
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宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。 相似文献