周期为2p2 的四阶二元广义分圆序列的线性复杂度

该文基于分圆理论,构造了一类周期为2p2的四阶二元广义分圆序列。利用有限域上多项式分解理论研究序列的极小多项式和线性复杂度。结果表明,该序列具有良好的线性复杂度性质,能够抗击B-M算法的攻击。是密码学意义上性质良好的伪随机序列。     

一类新的 pqr长2阶广义分圆序列的线性复杂度

具有良好随机性质的伪随机序列在流密码和通信领域中有着广泛的应用。本文构造出一类新的长为pqr的2阶广义分圆序列,并且计算其线性复杂度和极小多项式。结果显示这种序列具有高线性复杂度。     

周期为pm的广义割圆序列的线性复杂度

该文将周期为pm(p为奇素数,m为正整数)广义割圆的研究推广到了任意阶的情形,构造了一类新序列,确定了该序列的极小多项式,指出线性复杂度可能的取值为pm-1, pm,(pm-1)/2和(pm+1)/2。并且指出,当选取的特征集满足一定条件时,对应序列的线性复杂度取值总是以上4种情形。结果表明,该类序列具有较好的线性复杂度性质。     

一类周期为pq阶为2的Whiteman广义分圆序列研究

线性复杂度是度量序列随机性质最重要的指标之一。该文基于Whiteman-广义分圆,构造了一类周期为pq阶为2的广义分圆序列。证明了适当的选取参数p和q,该类序列的线性复杂度的下界为pq-p-q+1,且该类序列为平衡序列。最后指出了准确计算该序列的线性复杂度所必须解决的问题。     

Z4上周期为2p2的四元广义分圆序列的线性复杂度

该文根据特征为4的Galois环理论,在Z₄上利用广义分圆构造出一类新的周期为2p2(p为奇素数)的四元序列,并且给出了它的线性复杂度。结果表明,该序列具有良好的线性复杂度性质,能够抗击Berlekamp-Massey (B-M)算法的攻击,是密码学意义上性质良好的伪随机序列。     

一类新的周期为2pq的二元广义分圆序列的线性复杂度

该文提出一类新的周期为2pq, p和q为不同奇素数的广义分圆序列,并给出了该序列线性复杂度的计算公式。在已知序列支撑集的情况下,利用该公式可以得到该序列线性复杂度的精确值。     

Legendre序列在GF(p)上的线性复杂度

线性复杂度是度量流密码安全性的一个重要指标.GF(2)上序列可以把它看成GF(p)上的序列,因此需要研究序列在GF(p)(p是较小的奇素数)上的线性复杂度.从这个观点出发,讨论了Legendre序列在GF(p)上的线性复杂度,在应用部分发现了Legendre序列在分圆多项式分解上一个应用,并对此做了一些扩展.     

一类可控序列的构造和分析

本文通过利用GF(2m)(m2)上L级m序列来控制其上的L级m序列的方法,构造出了一类具有较高线性复杂度的周期序列。这类序列的线性复杂度的下界为L((L+1)mLm)。     

仿真测试系统中GF（q）上周期为p的二元广义分圆序列的线性复杂度

本文给出了GF（q）上周期为p的二元广义分圆序列的线性复杂度及极小多项式，其中q=rm，且r为奇素数。结果表明该序列在GF（q）上有高的线性复杂度。     

GF(q)上广义自缩序列的线性复杂度

针对基于GF(q)上m-序列的广义自缩序列,本文利用一种新手段给出线性复杂度上界值.主要讨论素数q大于等于3时,GF(q)上广义自缩序列的线性复杂度.对于GF(3)上广义自缩序列,把以往GF(3)上广义自缩序列的线性复杂度的上界缩小得到一个更精确地上界值.拓展到大于3的素数,给出GF(q)上广义自缩序列的线性复杂度精确...     

金属簇合物cis-Cp*2MO2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2

应用脉宽为4.5 ns,波长为532 nm的激光脉冲,用Z-扫描方法研究了金属簇合物cis-Cp*2Mo2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2溶液的非线性特性.研究结果表明非线性折射主要来源于三阶光学非线性折射和非线性吸收引起的瞬态热致非线性折射.     

SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2-ErF3玻璃陶瓷的显微结构

氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点，是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料，并对其显微结构进行了初步研究。     

Reactive sintering of Bi2Sr2CaCu2Ox superconductors

Three phase assemblages were used to produce Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi₂Sr₂CuO_x (2201)+(1/2 Ca₂ CuO₃+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures consisting of small, highly textured 2212 grains. T_c values were ≈70K. Transport J_c values at 4.2K were ≈10⁴ A/cm².     

基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.     

(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究

研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型     

Thermoelectric Properties of TlCu3Te2 and TlCu2Te2

We performed thermoelectric characterizations on TlCu₃Te₂: (Tl¹⁺)(Cu¹⁺)₃ (Te²⁻)₂ and TlCu₂Te₂: (Tl¹⁺)(Tl³⁺)(Cu¹⁺)₄(Te²⁻)₄, in order to understand the relationship between the thermoelectric properties (especially the lattice thermal conductivity κ _lat) and the valence states of Tl. The thermal conductivity of TlCu₂Te₂ is high (about 8 W m⁻¹ K⁻¹), while that of TlCu₃Te₂ is extremely low (around 0.5 W m⁻¹ K⁻¹) like other thallium tellurides. This high κ of TlCu₂Te₂ was caused not only by its large electronic contribution but also by its intrinsically high κ _lat. The present study implies that the valence states of Tl would play some important roles in determining the magnitude of κ _lat.     

氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.     

环Ｆ2+uＦ2上长为2e的循环码

近十多年来,有限环上的循环码一直是编码研究者所关心的热点问题,本文证明了R[x]/＜xn-1＞不是主理想环,其中R=F2 uF2,u2=0且n=2e.分3种情形讨论了环R[x]/＜xn-1＞中的非零理想,并给出了R上循环码的可以唯一确定的生成元的表达形式,同时给出了R上循环码的李距离的一个上界估计.