低温共烧陶瓷表面共烧电阻浆料制备的研究

研究了导电相和玻璃相对共烧厚膜电阻表面状况和稳定性的影响,结果表明：当厚膜电阻中玻璃相软化点接近或低于基板中玻璃相的软化点时,共烧厚膜电阻与基板保持良好的工艺匹配;当厚膜电阻的热膨胀系数接近基板的热膨胀系数时,电阻具有较好的常温、高温等稳定性,X射线衍射分析表明,厚膜电阻与基板之间的不良反应降代电阻的稳定性。     

收发组件中的LTCC电阻埋置技术

机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的收发组件,低温共烧陶瓷(LTCC)电阻埋置技术不仅可以节约空间,提高集成度,而且可以改善微波性能,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达收发组件的理想方法之一.文中介绍了LTCC电阻埋置技术,并对埋置电阻的设计以及关键工艺技术进行了分析,提出了相应的解决方法.     

低温共烧陶瓷表面用电阻浆料的研制

本文研究了在低温烧陶瓷基板表面上电阻浆料中导电相和玻璃相对电阻器的阻值，温度系数和稳定性的影响，分析了ＬＴＣＣ基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明，选择ＲｕＯ２为导电相，含适量的ＰｂＯ和ＳｉＯ２的铅硅硼系玻璃为玻璃相，能制得性能较好的适用于ＬＴＣＣ表面的电阻浆料。     

LTCC埋置衰减器的实验研究

本文根据LTCC埋置衰减器的实验，阐明了LTCC工艺制作的埋置衰减器在射频/微波领域应用的突出优点，并从便于推广的角度介绍了简便的推算设计方法。     

LTCC埋置电阻器制造工艺研究

本文介绍了用于X波段T/R组件中的LTCC埋置电阻器的制造工艺。讨论了LTCC工艺参数对电阻性能的影响。     

低温共烧陶瓷LTCC埋置电感的研究

文章讨论了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic——LTCC)埋置电感的几何结构,并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响,并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试,仿真结果与实测结果完全一致,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。     

用于低温共烧陶瓷表面的电阻浆料

研究了导电相和玻璃相对低温共烧陶瓷表面电阻的阻值、温度系数和稳定性的影响，分析ＬＴＣＣ基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明，选择ＲｕＯ２为导电相，含适量ＰｂＯ和ＳｉＯ２的铅硅硼系玻璃为玻璃相，能制得性能较好的适用于ＬＴＣＣ表面的电阻浆料。浆料中加入ＭｎＯ２添加剂能调整电阻的温度系数。     

低温共烧陶瓷埋置电感和电容的研究

讨论了低温共烧陶瓷(LTCC)埋置电感、电容的几何结构,并进行仿真,分析了结构变化对电感性能的影响,并进行实验制作,通过测试样品以验证仿真结果。仿真结果中找到的规律有效的节省了器件设计的时间,为等效模型的提取和元件库的建立奠定了一定的基础。     

厚膜导体材料实现高精度功率电阻研究

由于高精度功率电阻的特殊要求，使用厚膜电阻浆料进行设计和加工往往比较困难。文中介绍一种使用厚膜导体材料，通过栅形导带和阶段性调阻等手段，使电阻满足功率和精度的要求，从而实现高精度功率电阻的方法。     

RuO_2基厚膜电阻电脉冲调阻工艺研究

用厚膜法制备了RuO2基厚膜电阻,研究了电阻值变化与脉冲电压的关系,分析了调阻工艺的特点;测量了电阻的可调整极限,目标值、偏差与初始电阻的特性,最佳阻值调整范围;研究了二次烧结对调整电阻值的影响规律。     

LTCC基板厚膜电阻的常温稳定性

目前国内尚缺乏与ＬＴＣＣ相配套的厚膜电阻浆料。实验证明，厚膜电阻浆料的导电相、玻璃相及添加剂等对ＬＴＣＣ基板表面厚膜电阻在常温下的稳定性有一定影响。厚膜电阻浆料的膨胀系数随其导电相、玻璃相及添加剂的组分的变化而变化。当厚膜电阻浆料的热膨胀系数与ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数之差异大到一定程度时，厚膜电阻在常温下的稳定性就会受到影响。Ｘ射线衍射图谱说明，厚膜电阻与ＬＴＣＣ基板之间生成的方石英相会降低厚膜电阻在常温下的稳定性。     

微型笔直写制备厚膜阻性元件技术研究

为了实现电子元器件的快速制备,设计并实现了一种微型笔直写装置。利用该装置进行了电阻浆料的直写制备。研究了直写电阻元件的工艺特点、表面形貌和性能。得到了优化的工艺范围:笔头通径100～450μm,笔头到基板表面距离8～20μm,电阻高温烧结之后线宽100～500μm,膜厚5～15μm。所直写的电阻边缘整齐,表面较平整,烧结后,方阻约为0.92 kΩ/□。     

旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。     

Modeling of N-well device and N-well field resistors

Modeling of both N-well device and N-well field is reported here. A simple model as well as an advanced model have been used to model both types of resistors. The modeling has been carried out using MATLAB 6.5 and equations derived from device physics. Detailed modeling of an N-well field resistor, which is not generally available in the literature, has been carried out in great details. The results of various models applicable to different types of N-well resistors have been compared with operating conditions kept the same. A simulation strategy for circuit design has also been suggested.     

铂电阻测温非线性补偿的研究

针对铂电阻在测量温度中存在的非线性,分析了产生非线性误差的主要原因,讨论了改善铂电阻线性度以及消除测量电路非线性误差的方法,为铂电阻的非线性补偿方法提供了理论依据.最后给出误差分析和实验结论.     

超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现

多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析,结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论,分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响,并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。     

在玻璃衬底上制作K~+离子交换掩埋波导的新工艺

本文报道用不同离子两步交换技术,在玻璃衬底上制作K~+离子交换掩埋波导的新工艺,它不要求施加外电场。用X射线能谱(XES)分析技术测试了K~+离子的浓度分布,证明所制出的样品是掩埋波导。     

TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。     

非线性电阻电路分段线性分解拟合及仿真

在电路分析中,以经典电路理论探讨非线性电阻电路的问题。针对某些可以分段线性化的非线性电阻电路,当以曲线形式给出非线性电路的伏安特性时,探讨在凹电阻和凸电阻作基本积木块的方式下,依据电路KVL和KCL定律,运用串联分解法和并联分解法,分解拟合出满足分段线性要求的非线性电阻电路。通过对案例的仿真研究和误差分析,论证此方法在分析非线性电阻电路分段线性时,能比较方便地逆向解决以电路的伏安特性曲线完成实际电路的设计问题。     

Size effect on the electrical conduction and noise of RuO2-based thick film resistors

Temperature dependence of sheet resistance for a generic RuO₂-based resistor with a composition of 20wt.% RuO₂-80wt.% glass (63wt.% PbO-25wt.% B₂O₃-12wt.% SiO₂) is evaluated. A combined tunnel/parallel conduction model is employed to describe the resistance behavior with respect to the temperature variation. The geometry of the resistive film, such as the aspect ratio and thickness, cast a significant effect on the electrical characteristic of the thick film assembly. It is observed that shorter resistive films exhibit smaller resistivity as compared to that of the longer film. Thinner resistive films have smaller resistivity as compared to the thicker ones. In addition,1/f noise is the dominating contribution in the thick film resistor. The presence of1/f noise can be qualitatively explained with the aid of the tunneling mechanism.