0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用

0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好.     

0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用

0.2μm T形栅制作技术在10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在10 0 mm Ga As片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70 %以上,可靠性良好