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对于高端产品,长期保持其外观精美至关重要。这就对产品表面涂层的耐磨性提出了很高要求。设想一部手机放在口袋里与钥匙串磨擦许多年,却不会留下任何擦痕。这就是高端产品涂层必须面对的挑战。 相似文献
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针对装饰盖特有的椭圆形结构,在对其特性及成形工艺特点进行充分分析的基础上,制订了合理的工艺方案.设计了落料-冲孔-拉伸复合模及整形修边复合模,优化了工艺,提高了生产效率,生产出了合格零件. 相似文献
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用复映印刷方法对塑件表面进行装饰大致上有两种方法。一种是在塑件成形后,在模具外面用复映印刷法对塑件表面进行装饰。另一种方法是在注射成形同时,在模具中对塑件复映印刷进行表面装饰,后者是近期开发且正在不断发展的方法。 1.注射同时复映印刷法的原理注射同时复映印刷系统由6个部分组成,复映薄膜、薄膜送料机构、模具、取件机械手、注射机及塑料,图1所示是该系统的结构图;图2所示是 相似文献
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《热加工工艺》2021,50(7):81-84
以合金成分、加料顺序、浇注温度这3个神经元作为网络输入层参数,并以耐磨损性能为输出项,构建神经网络优化模型,对该模型进行了预测和验证。对ZCuA110Fe3Mn2、ZCuA114Fe4Mn、ZCuAl10Fe合金的磨损性能进行了测试分析。结果表明,铝青铜合金铸造工艺神经网络模型具有较精准的预测能力和精度。应用神经网络模型优化工艺的ZCuA110Fe3Mn2、ZCuA114Fe4Mn、ZCuAl10Fe合金的磨损体积分别较产线现用工艺减小了23.81%、26.92%、18.18%。神经网络优化的建筑装饰用铝青铜铸造工艺参数为:ZCuA110Fe3Mn2、加料顺序-先铝后铜、浇注温度1180℃。 相似文献
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电场辅助化学溶液工艺技术制备硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用了一种新的电场辅助化学溶液工艺技术制备了硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜.结果表明,这种方法可在较低的温度下获得成分单一的硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)对薄膜的晶体结构进行了表征;利用扫描电子显微技术(SEM)观察了薄膜的表面形貌;并对硅酸锂(Li2SiO3)陶瓷薄膜的制备过程进行了详细的分析和讨论. 相似文献
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本文以丙酮和氢气为气源,采用优化钽丝排列分布的偏压增强热丝CVD装置对钨丝衬底进行了金刚石薄膜沉积研究。采用扫描电镜(SEM)、拉曼(Raman)光谱等方法检测了金刚石薄膜的质量,分析了沉积工艺对金刚石形核和生长的影响。研究结果分析表明,当直径为1mm的钨丝与热丝之间的最佳距离为4—6mm且反应压力为4665.5Pa、碳源浓度为1.8%时可得到涂层厚度均匀又能覆盖整个钨丝外表面的高质量金刚石薄膜,为以后的自支撑的金刚石薄膜管的制备和回转体刀具的外表面金刚石涂层打下基础。 相似文献
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研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响。综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa。在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93%,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求。 相似文献
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HU Qingyu ZHAO Hangwei WEN Lishi WANG Yongzhong QIAO Guiwen Institute of Metal Research Academia Sinica Shenyang China 《金属学报(英文版)》1989,2(12):444-446
Expermental results of the preparation of YBaCuO superconductor thin film on Si(100)substrate by the method of ion beam sputtering deposition is presented.A ZrO_2 buffer layerwas applied to Si(100)substrate,and was found to play an important role in resisting thediffusion of Si toward the film.The thin film is mainly a 123 phase with strong c-axis prefer-red orientation.The onset transition temperature of the film is 100 K and the final transitiontemperature 78 K. 相似文献
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将In2O3和SnO2粉末按质量比1:1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明:氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVITL有着重要的影响,其最佳值为0.2Pa。ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度ts可以改善薄膜的性能,在ts为200℃时,ITO薄膜的1k达到90%以上(含玻璃基体),方阻为13.1Ω/□。根据薄膜生长的3个阶段理论,建立了薄膜厚度与电阻率的关系:在ITO薄膜生长过程中,依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理。由实验结果求得了临界厚度吐约为48-54nm,AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应。 相似文献
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Highly oriented MgO(111)and MgO(100)thin films have been deposited on Si(111)and Si(100)substratesby using Low Pressure MOCVD(LPMOCVD).Magnesium 2,4-pentanedionate was used as the source ma-terial.The films have a very smooth surface morphology and optical transparency with an index of refractionof 1.71(632.8 nm).Typical growth rate of the films is 1.0 μm/h.The data of X-ray diffraction analysis indi-cate that the films are fully textured with(111)and(100)orientation perpendicular to the substrate surfacerespectively.The main parameters having influence on the deposition are the substrate temperature,the totalpressure in the reaction chamber,the reaction gases and its flowrate. 相似文献
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