钡钨阴极钨粉某些物理特性的研究

应用JCXA-733型电子探针扫描电镜和SKC-2000型光透射粒度测定仪对钡钨阴极钨粉的某些物理特性作了较详细的分析;并对钡钨阴极压坯断口形貌、钡钨阴极表面状态与阴极发紂电流密度性能的关系进行了对比试验;运用颗粒表面物理理论论述了钡钨阴极钨粉某些物理特性的内在规律,对粉末分级方法和材料研究具有实际意义。     

钨钼热阴极材料的进展

概述了几种电子管钨基阴极材料的研究进展及钼基原子膜阴极的研究现状,稀土－钼是有望替代传统有放射性污染的钍钨材料的一种新型阴极材料。     

铈钨坯的空心阴极等离子烧结工艺研究

对空心阴极效应的发热机理及空心阴极等离子烧结铈钨坯工艺进行了初步研究。通过合理地控制电流、电压以及气压等影响因素,获得了持续稳定的空心阴极效应,使其阴极达到2500℃以上的高温。将此高温效应用于烧结高熔点材料——铈钨合金,获得了很好的效果。得到的铈钨烧结坯的密度达到17.8 g/cm3,与垂熔烧结方法获得的密度水平相当。     

钨热电子发射材料的研究进展

钨热电子发射材料主要用作微波管、阴极射线管、等离子体装置和电子束设备的阴极，是电子产生的源泉，它的研究与应用已有多年历史。本文详细阐述了钨热电子发射材料的种类、性能特点、发射机制及其应用，总结了它们的发展历史和研究进展，提出了目前钨热电子发射材料的几个研究方向。稀土氧化物-钨热电子发射材料具有优越的发射性能，并可解决W-ThO2阴极材料的放射性污染，对综合性能更优的复合稀土氧化物，钨热电子发射材料需要进一步深入研究。随着纳米技术的发展，纳米复合氧化物，钨热电子发射材料是目前钨热电子发射材料研究的热点。在发射过程中，如何保证发射电流的稳定性、均匀性是热发射研究的又一个研究方向。     

稀土钨、钼电极电子发射性能研究与应用开发

介绍了笔者最近几年关于稀土钨、钼材料的研究工作.研究结果表明,在钨和钼中掺入不同稀土氧化物种类和含量,可制成系列稀土钨电极材料,其综合焊接性能超过先行的钍钨电极材料,克服了钍钨电极的放射性污染.所研制的稀土钼材料,具有工作温度低、韧性好和无放射性污染,由于发射稳定性的突破,使稀土钼阴极材料达到实用化.     

稀土钨、钼电极电子发射性能研究与应用开发

介绍了等者最近几年关于稀土钨、钼材料的研究工作。研究结果表明,在钨和钼中掺入不同稀土氧化物种类和含量,可制成系列稀土钨电极材料,其综合焊接性能超过先行的钍钨电极材料,克服了钍钨电极的放射性污染。所研制的稀土钼材料,具有工作温度低、韧性好的无放射性污染,由于发射稳定性的突破,使稀土钼阴极材料达到实用化。     

难熔金属阴极及涂层研究进展

介绍了稀土钼金属陶瓷阴极、钪钨基扩散阴极及化学气相沉积法制备钨涂层。为了满足大功率磁控管的发展要求,研究了新型稀土钼金属陶瓷阴极。经过高温激活处理后,材料的最大次级发射系数达5.24,实用管型测试结果表明,稀土钼金属陶瓷阴极的性能优于钡钨阴极,显示了良好的应用前景。亚微米结构的钪钨基扩散阴极具有优异的热发射性能,850℃下阴极的发射电流密度可达42A/cm2,激活后Ba,Sc,O等元素形成的活性多层,均匀覆盖在阴极表面,促进了阴极的发射。采用热壁开管气流CVD法,以WF6和H2为反应源气体,可以方便地制备成难熔金属钨沉积层。所获得钨沉积层具有高纯度(>99%)和高致密度(>19g/cm3)。     

钨及钨合金注射成形研究进展

评述了钨及钨合金粉末注射成形的研究进展,着重介绍了钨及钨合金粉末注射成形工艺研究和理论探讨,列举了钨材料在国防军工、航空航天、能源、电子等行业领域中的应用,总结了钨材料的研究方向。通过采用高品质粉末制备与改进技术,对钨阴极进行合理的结构设计,对制备工艺进行综合优化,在新结构设计的关键钨零件方面提出了钨粉末注射成形的技术课题,展望了钨科学技术发展的美好未来。     

钨热阴极发射机制的研究进展

综述了钨热阴极发射机制研究进展,系统回顾了历史上先后出现的单原子层偶极子理论、半导体模型、动态表面发射中心理论等热电子发射传统理论,分析了每一种理论的特点以及不足。介绍了钨热阴极发射理论的新进展,重点介绍了镧钨阴极的纳米微粒子(薄膜)理论和钪钨阴极的发射理论。提出现阶段进行热电子发射理论研究的必要性,指出发射机制研究是热电子发射材料一个重要的研究内容。     

从卤熔物中提炼钨钼时阴极材料的选择

从熔盐介质中电解回收金属时,阴极材料起重要作用。当研究在工业废物氯化物(NaCl-KCl-MoCl_5)和氯-氟化物(KCl-KF-WCl_5)熔体中电解提纯技术级钨(98.5～99.0％W)和钼(98.5～90.7％Mo)的过程中,发现阴极下的沉淀物周期性的“脱落”。为了查明材料性质和电极构造对于在阴极上附着粉状钨、钼沉淀物的作用和其对电解粉粒度组成的作用。在阴极材料方面,对3号钢,X18H9T,69(4X14H1482M)、     

电解金属钕过程中阴极钼（钨）棒的腐蚀与防护

对氟化物氧化物熔盐体系电解制取金属钕过程中阴极钼（钨）棒的腐蚀状况进行了分析，论述了在钼（钨）棒表面缠绕铁丝可减轻钼（钨）阴极的氧化，提高阴极的使用寿命。     

掺杂氧化铈钡钨阴极的结构和发射性能的研究

采用CeO2与钨粉机械混合,制备了满足大功率微波器件要求的高性能掺杂CeO2钡钨阴极,利用扫描电镜、压汞仪等测试手段分析了阴极的微观结构.用水冷阳极二极管检测了阴极的发射性能.研究表明,掺杂CeO2钡钨阴极孔径分布较窄,为0.4～3.6um,平均孔径为2um.在阳极正常工作温度1050。C下,掺杂CeO2钡钨阴极的直流发射电流密度和脉冲发射电流密度分别为6.33,17.48A·cm-2,明显优于传统钡钨阴极,满足大功率微波器件要求.     

氧化钍的掺杂方式对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响

以固-固与液-固两种掺杂方式研究了氧化钍掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用SEM、EDS与金相显微镜分析了碳化钍钨的显微组织,并用静压力计与冲击试验台测试了两种碳化钍钨阴极的力学性能。研究结果表明,氧化钍的液-固掺杂后钨基体中氧化钍分布的均匀性优于固-固掺杂,且碳化后钍钨阴极的晶粒尺寸明显小于固-固掺杂,抗冲击能量与静压强度均高于固-固掺杂的钍钨阴极。     

稀土电解炉钨阴极失效原因分析

针对稀土电解炉阴极钨棒局部腐蚀的问题,通过生产现场调研与实验检测两个部分对失效原因进行分析。生产现场调研主要目的是调查钨阴极的使用过程、环境和寿命等,实验检测主要目的是分析钨阴极的腐蚀机理,结合两者分析阴极钨棒的腐蚀原因及其过程。分析表明,钨阴极的腐蚀行为主要是在缩颈处,该区域发生严重的沿晶腐蚀,而其他部位腐蚀较轻,生产现场的温度、气流、生产工艺对缩颈产生很大影响。     

浅议熔盐电解金属钕增产降耗的途径

通过改进筑炉技术、合理制作阳极、正确选择钨阴极以及完善操作方法等有效途径，使单位产品的电耗降低了２０％、材料消耗下降２４％。     

钨酸钡钙的测定

<正> 测定钨酸钡钙,有可能控制住工业阴极材料的相组成,并且确定报废的原因。然而现在已知方法只可以测定钡、钙及钨的含量,不能分离阴极材料(钨酸钡钙)中含有的各个化台物:BaO、Ba_2CaWO_6     

微波烧结制备钨锇混合基扩散阴极及其发射性能

采用固–液混合法制备出不同锇(Os)含量(原子数分数)的亚微米级钨锇混合粉体，通过微波烧结获得了孔道结构均匀的钨锇混合基扩散型阴极。电子发射测试结果表明，元素Os的加入使浸渍型钨基阴极的发射性能有明显提高。对比不同锇含量的混合基阴极，发现W-25Os阴极(Os原子数分数为25%)具有相对较低的逸出功和较高的发射电流密度，其在1100℃时脉冲发射电流密度为42.86 A·cm^-2，斜率为1.40，发射电流密度是同等工作条件下传统钡钨阴极的1.7倍，达到了覆膜M型阴极的电子发射水平。W-25Os混合基阴极的有效逸出功最低为1.93 eV，有利于活性自由钡(Ba)的生成，表层元素摩尔比Ba:(W+Os)为0.83:1.00，比传统钡钨阴极中Ba:W(约为0.50:1.00)摩尔比有了明显提高。     

熔盐电解稀土用钨电极的制备工艺研究

采用适当的含镍化合物及相应的加入方式制备镍包钨粉,微量镍可在钨颗粒表面均匀包覆;镍包覆钨粉经活化烧结生产的致密钨棒用于稀土电解的阴极,较传统的钼阴极具有更强的抗腐蚀性。用质量分数为0.4%的微量镍包覆钨粉,可实现在低于1 500℃温度下烧结出相对密度大于90%的致密钨材。该钨电极制备工艺具有流程短、生产成本低、质量稳定等特点。     

我国的钨铜、钨银材料的应用与发展

介绍了钨铜、钨银材料是一类重要而又特殊的金属钨制品材料。简单论述了它的特点及建国五十年来我国钨铜、钨银材料产业的发展概况,并对下世纪初钨铜、钨银材料的发展提出了看法     

日本开发钨钛合金溅镀靶

<正> 为了生产钨钛合金阴极溅镀靶,日本钨公司研究了几种以粉末冶金为基础的加工方法,并且确认,运用它的工艺过程生产的靶具有高强度、高密度和极好的均匀性。钨钛靶在溅渡过程中不发生断裂或变形,并且能