铁基纳米非晶丝脉冲电流退火的最佳电流密度研究

Fe基纳米非晶丝通过脉冲电流获得Fe基纳米晶丝,可以改善其巨磁阻抗效应.通过在不同的准电流密度下对非晶丝进行退火,并分析退火后Fe基纳米晶丝的巨磁阻抗效应,得出当准电流密度为8.0 V时,可获得最佳的巨磁阻抗效应,其巨磁阻抗效应达到16.911%,退火效果为6.791%.     

基于巨磁阻抗效应磁场测量传感器研究

针对非晶材料巨磁阻抗效应,设计并实现了一种新型磁场测量传感器,根据非晶丝的双峰特性,分析传感器的工作原理,设计传感器的闭环负反馈结构,建立了传感器的数学模型.在此基础上,通过分析传感器的误差传递函数,提出一种比例积分控制规律,可有效地消除传感器的稳态误差,提高传感器的线性度.实验结果表明：在该控制器的作用下,传感器的线...     

脉冲频率对铁基纳米非晶丝的GMI影响研究

Fe基纳米非晶丝通过脉冲电流获得Fe基纳米晶丝,可以改善其巨磁阻抗效应。通过在不同的脉冲频率下对非晶丝进行退火,并进行巨磁阻效应分析,得出当脉冲频率为25 Hz时,可获得最佳的巨磁阻抗效应,其退火效果（ΔZ1-ΔZ0）/Z00达到12.287%,巨磁阻抗效应（ZHex-Z0）/Z0达到21.988%。     

利用磁致频移提高磁阻抗效应

用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带（FNR）两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗，发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象，在选择LC模式的情况下，当驱动电流频率接近0磁场阻抗频谱峰频率时，磁阻抗比值达到2428，比L模式的028大得多;磁敏线性区间为0～1 669.5 A/m,比L模式的0～70 A/m扩大20多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间；用原子力显微镜(AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR结构表明，FNR内部存在10~30 nm的晶粒被非晶成分胶联的结构，这是FNR在LC驱动模式下具有显著磁致频移现象的内在因素.     

新一代汽车速度传感器

华东师范大学的科研人员研制出一种新型纳米巨磁阻抗效应（GMI）速度传感器,并已通过上海市科委验收,成为拥有独立自主知识产权的新一代汽车速度传感器。     

NiFe/Cu复合材料的巨磁阻抗效应研究

采用单脉冲电沉积技术制备NiFe/Cu复合材料,对制备材料的巨磁阻抗进行了研究。结果表明,镀液中硫酸亚铁体积质量为4g/L时,材料的巨磁阻抗具有最大值。研究了材料巨磁阻抗与驱动电流频率f的关系,测量了驱动电流频率在50kHz～2MHz内变化时样品的巨磁阻抗值,结果显示驱动电流频率f=100kHz时,样品的GMI效应最大,其值为190%。     

温度控制Fe基合金带纳米微晶生长技术的研究

研究了Fe73.0CuNb1.5V2Si13.5B9非晶带经不同温度（480℃、510℃、540℃、570℃）退火而长成的纳米微晶薄带的软磁特性,发现540℃是其最佳退火温度,经该温度退火可获得最高的巨磁阻抗效应。     

CoNi镀层长度对软/硬磁微丝微波磁性的影响

采用熔融拉丝法和磁控溅射方法制备了Co_59.1Fe_14.8Si_10.2B_15.9\Au复合结构微丝。研究了硬磁层长度对软磁/硬磁双相磁性微丝的巨磁阻抗效应及微波磁性能的影响。通过测量不同硬磁层长度的软磁/硬磁双相磁性微丝在0.1~14 GHz范围内的巨磁阻抗效应和电阻谱,发现当CoNi镀层长度L=5 mm时,MI谱出现最大值的频率f=1.6 GHz,电阻谱出现两个峰FMR0和FMR1。随着硬磁层长度的增加,一方面MI谱出现最大值的频率向低频段移动,另一方面,发生铁磁共振的损耗也被进一步降低。研究成果可以应用于微波磁性传感器的研发。     

基于GMI效应的高斯计的实现

针对以非晶丝作为敏感元器件研制的磁敏传感器具有高灵敏度,快速响应等特点。利用非晶丝的GMI效应,通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A／D转换和终端显示电路,将弱磁场转化为直观可视的数据显示,并最终产品化为一种新型高斯计。实验结果表明,这种新型高斯计的灵敏度为18mV／μT,最小分辨率为100nT,非线性误差为0．76％F．S,它在测量地磁方面有很好的应用前景。     

巨磁致伸缩材料及其应用

在查阅大量文献的基础上,结合多年研究结果,较详细地介绍了巨磁致伸缩材料的磁致伸缩性能,包括稀土金属、稀土过渡金属间化合物、非晶薄膜合金和稀土氧化物等．并简要介绍了巨磁致伸缩材料的应用．     

Three-dimension micro magnetic detector based on GMI effect

The giant magneto-impedance(GMI)effect of amorphous wire was analyzed theoretically.The amorphous wire had strong GMI effect in the stimulation of sharp pulse of 680kHz and18 mV.A pulse generator was designed to provide high frequency pulse to a magnetic impedance(MI)element.The induced voltage on the pickup coil wound on the amorphous wire was sampled and held with a detect circuit using analog switch.A stable magnetic sensor was constructed.A three-dimension micro magnetic field detector was designed with a central controller MSP430F449.High stability and sensitivity were obtained in the MI sensor with the detect circuit.Experiment results showed that the resolution of the detector was 1nT in the full scale of±2 Oe and the detector worked stably from the room temperature to about 80℃.A small ferromagnetic target was detected by the three-dimension detector in laboratory environment without magnetic shielding.The target moving direction was ascertained with the wave shape of axis parallel in that direction.     

巴克豪森噪声在应力及疲劳损伤检测上的应用

针对铁磁材料的应力状况、疲劳寿命及硬度等力学参数的测量手段和方法,利用铁磁性材料的特性之一－－magnetic Barkhausen noise效应,依据磁弹噪讯理论,研究了磁弹噪讯产生的机制,并研制出磁弹噪讯传感器和相应的铁磁材料应力与疲劳损伤检测仪器。实践证明：所研制的检测仪器及检测技术具有检测速度快、检测精度高、便于携带的优点。     

两种成分制备态纤维和薄带的巨磁阻抗效应

用熔融抽拉法制备了Co68.25Fe4.5Si12.25B15和Fe72Co8Si5B15两种成分的非晶合金纤维材料。对两种成分制备态纤维和薄带的磁阻抗进行了频谱分析,表明制备态Co68.25Fe4.5Si12.25B15非晶纤维的GMI(Z)=|(Z(H)-Z(20Oe))／Z(20Oe)|高达438.5％,接近国外报导的最大值。分析了磁阻抗中电阻、电感分量随频率的变化,表明电阻的变化对维持高的GMI起主要作用。     

发电机转子绕组匝间短路测试分析

对测试发电机转子绕组匝间短路故障的几种常用方法进行了评述,指出测量转子绕组的交流阻抗和功率损耗是判断转子绕组是否存在匝间短路的一种比较灵敏的方法。通过分析磁路的磁阻变化解析了转子绕组的交流阻抗和功率损耗的测试机理及各种因素对测量结果的影响,阐述了对生产实践的指导意义。     

铁磁-半导体-铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

针对由1个半导体隔开的2个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,考虑中间层形成双δ势垒,在近自由电子模型的基础上,计算了零偏压下隧穿磁电导和隧穿磁电阻.结果表明,该隧道结的隧穿磁电阻和隧穿磁电导与磁性金属电极分子场的角度有密切的关系.     

无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能

采用分离变量法推出了无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能的计算公式。基于该公式,计算了相对磁导率为高、中,低的磁性材料的屏蔽儿能。计算结果表明;相对磁导率高的磁性材料其屏蔽效能不一定大,这一结果与一般的概念相悖。文中也分析了大半径,薄壁条件下的屏蔽效能,得到了近似计算公式和屏蔽效能几乎与壁厚无关的结论。     

磁机械效应超声扭转振动方程

以波导管（由特殊软磁合金制成）作为研究对象，对磁机械效应超声扭转振动过程进行了系统研究，建立了扭转振动方程，并就扭转振动方程作了有益的讨论     

钕铁硼永磁同步电动机电枢反应电抗的计算

本文根据钕铁硼永磁同步电动机的结构特点，在建立钕铁硼永磁同步电动机电枢反应电抗参数分析模型的基础上推导出纵、横轴电枢反应电抗的计算公式；分析了电机磁路饱和对电枢反应电抗的影响；介绍了纵、横轴电枢反应电抗饱和值的计算方法．     

磁光记录畴形成的理论研究

磁光记录畴是磁光盘信息的基本载体,本文从记录过程中温度分布的模拟计算、磁光效应机理、影响记录磁畴尺寸和形状的有关因素等几个方面对磁光记录畴的理论进行了研究