Ca4Si2O7F2:Eu2+荧光粉的发光性能研究

利用固相法制备蓝绿色荧光粉Ca4Si2O7F2:Eu2+,并通过XRD和光致发光光谱对其性能进行表征。结果表明:Eu2+作为发光中心取代Ca2+格位进入Ca4Si2O7F2的晶格中,其最佳掺杂量为5%。激发光谱在360～440nm呈现出双峰宽带激发带,可与近紫外光LED芯片相匹配。在375nm和416nm激发下,样品呈现出峰值为506nm的不对称单一宽带发射。     

白光LED用Ca_6Sr_4(Si_2O_7)_3Cl_2:Ce~(3+),Eu~(2+),Sm~(3+)荧光粉的合成及其发光性质

采用传统的高温固相法合成了Ce3+,Eu2+,Sm3+离子分别单激活和三种稀土离子共激活的Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2荧光粉,并通过X射线粉末衍射、荧光光谱和CIE色坐标对其结构和发光性质进行了研究。荧光粉Ca5.91Sr3.96(Si2O7)3Cl2:0.02Ce3+,0.04Eu2+,0.04Sm3+在365 nm激发下能发射高强度白光,其色坐标为x=0.2183,y=0.2187,有望成为一种新型白光LED灯用荧光粉。     

M1.95P2O7:0.05Eu3+（M=Ba,Sr,Ca）红色荧光粉的制备及其发光性能

以尿素为燃料,采用溶液燃烧法合成出M2P2O7:Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)红色荧光粉。利用X射线衍射和荧光光谱研究了激活剂Eu3+对3种荧光粉晶体结构和发光性能的影响。结果表明,制得样品分别为纯相的六方晶系Ba2P2O7、正交晶系Sr2P2O7和四方晶系Ca2P2O7。光谱分析表明,M2P2O7:Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)的激发峰位置和发射峰位置均基本相同。M1.95P2O7:0.05Eu3+(M=Ba,Ca)发射红光,其对应于5D0→7F2电偶极跃迁的612nm发射峰强度高于对应于5D0→7F1磁偶极跃迁的588nm和593nm发射峰,说明Eu3+在M2P2O7(M=Ba,Ca)基质中处于非对称格位;而Sr1.95P2O7:0.05Eu3+发射橙红光,Eu3+在Sr2P2O7基质中处于对称格位。在394nm激发下,M1.95P2O7:0.05Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)的色度坐标分别为(0.35,0.21)、(0.24,0.15)、(0.35,0.21)。这3种荧光粉均能被394 nm紫外光和464 nm蓝光有效激发,发射红光或橙红光。     

助熔剂对Eu~(2+)掺杂的碱土金属硅酸盐荧光粉发光性能的影响

研究了不同助熔剂对Eu2+掺杂的MgO·2SrO·SiO2发光性能的影响。结果表明:加入3%(质量分数)BaF2作为助熔剂时样品发光效果最好。对400nm紫外光激发下样品的发射光谱进行了Gauss拟合,出现了3个发光中心。采用van Uitert提出的Eu2+5d激发态带边位置与配位数的经验公式进行计算,认为3个发光中心是由Eu2+分别取代Sr(Ⅰ)格位、Sr(Ⅰ)格位附近形成的杂质束缚激子态和Sr(Ⅱ)格位形成的。晶体场强度与X—O键长成反比,随着掺入助熔剂阳离子半径的增大,发射光谱发生了红移。     

磷钒酸盐红色发光粉的制备及性能研究

采用燃烧法合成了一种近紫外激发的Ca3((P,V)O4)2:Eu3+发光材料,用X射线衍射谱、荧光光谱对样品进行了表征。结果表明,荧光粉基质Ca3((P,V)O4)2具有畸变的Ca3(VO4)2的结构,VO34-取代了部分的PO34-,但Ca2+的半径与Eu3+接近,因此Eu3+容易进入晶格,表现出良好的发光性能。荧光光谱分析发现荧光粉可被376 nm紫外光激发,主发射峰值位于620 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光,同时详细研究了Eu3+离子掺杂浓度、引发温度及尿素用量对荧光粉发光性能的影响。     

Ca2B5O9Cl:Eu2+蓝色荧光粉的发光特性

采用高温固相法合成了Ca2B5O9Cl:Eu2 蓝色荧光粉,并对其发光性质进行了研究.该荧光粉在近紫外370 nm激发下的发射光谱为峰值位于453 nm的宽带发射,对应了Eu2 的4f65d→4f78S7/2特征跃迁发射.监测453nm的发射峰,得到其激发光谱为250～450nm的宽带,与产生350～410nm辐射的紫外发光二极管(ultraviolet light-emitting diode,UV-LED)管芯匹配很好.当CaCl2用量为理论用量的1.1倍,H3BO3用量为理论用量的1.3倍,Eu2 掺杂浓度为6%时,蓝光发射最强.Ca2B5O9Cl:Eu2 是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色荧光粉.     

(Ba,Sr)_2SiO_4∶Eu~(2+)的低温合成与荧光性能研究

以MCM-41为硅源,采用共沉淀法在900℃合成了BaxSr1.99-xSi O4∶0.01Eu2+荧光粉,研究了其结构和发光性能随Ba掺量x的变化。结果表明,Sr1.99Si O4:0.01Eu2+为α'-Sr2Si O4相和β-Sr2Si O4相的混合相,随着Ba2+的掺入,β相转变为α'相,同时各XRD衍射峰向低角度移动。在365 nm紫外光激发下,所有样品均在450~600 nm区域出现一个宽发射带。当x由0增加到0.8时,最大发射峰位由475 nm红移到516 nm,当x由0.8增加到1.99时,最大发射峰位由516 nm蓝移到502 nm。Ba1.99Si O4∶0.01Eu2+样品具有最高的发射强度。     

蓝光激发的Na_2ZnSiO_4:Eu~(3+)红色荧光粉的合成及发光特性

以H3BO3作助熔剂,采用溶胶–凝胶法合成了Na2Zn Si O4:Eu3+红色荧光粉。用X射线衍射、荧光光谱分析对样品的结构及发光特性进行了表征,探讨了H3BO3助熔剂添加量和掺Eu3+量对Na2Zn Si O4:Eu3+发光性能的影响。结果表明:所得样品属于单斜晶系,样品的激发光谱主要由一系列线状谱峰组成,激发主峰为465 nm,归属于Eu3+的7F0→5D2特征跃迁。在波长为465 nm蓝光激发下发射红光,发射峰分别为578、591、613、653和701 nm,对应于Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁,发射主峰位于613 nm(5D0→7F2)处。当Eu3+和H3BO3的摩尔掺杂量分别为5%和0.8%时,样品的荧光发光强度最大。Na2Zn Si O4:Eu3+有望成为蓝光激发的白光发光二极管(w-LED)用红色荧光粉。     

凝胶-燃烧法合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr_3MgSi_3O_(10):Eu~(2+)

采用凝胶–燃烧法在活性炭弱还原气氛中成功合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr3MgSi3O10:Eu2+。用X射线粉末衍射仪及荧光分光光度计等分析和表征合成样品的物相结构和发光性质。结果表明:所合成的Sr3MgSi3O10:Eu2+的晶体结构与Sr2MgSi2O7的相似,同属四方晶系;激发光谱分布在250～450nm的宽带范围,主激发峰位于366nm处,次激发峰位于394nm处,可以被InGaN管芯产生的350～410nm辐射有效激发;在366nm近紫外光的激发下,发射光谱为一宽带,最大发射峰位于466nm附近,是典型Eu2+的4f5d–4f跃迁导致的。研究发现:Sr3MgSi3O10:Eu2+蓝色荧光粉的发光强度随还原温度的升高而增强;随Eu2+摩尔(下同)浓度的增加逐渐加强,当Eu2+为10%时,发光强度达到最大值,而后随Eu2+浓度的增加而减小,发生浓度猝灭。根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭系Eu2+的电偶极–电四极相互作用所致。     

适合近紫外和蓝光激发的Sr2-xZnMoO6:xEu3+红色荧光粉的制备与发光性能

采用高温固相法制备了适合于近紫外、蓝光激发的Sr2–xZnMoO6:xEu3+红色荧光粉。研究了Eu3+掺杂量对样品发光性能的影响。XRD谱显示合成样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。激发光谱由一系列尖峰和电荷迁移带组成,主激发峰位于395nm和465nm处,对应于Eu3+的7F0→5L6和7F0→5D2跃迁。在395nm和466nm激发下,主发射峰分别位于597nm和624nm,对应Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。随着Eu3+掺杂量的增加,发射光谱强度先增大后减小,Eu3+最佳掺杂量为0.2。研究了分别以Cl–、Li+、Na+和K+作为电荷补偿剂对发光性能的影响,结果显示Li+补偿效果最为显著。     

Single-Stage Microwave Synthesis of Mixed Luminophor for Light Sources

Glass Physics and Chemistry - A one-stage method for the synthesis of a mixed phosphor Sr2SiO4:Eu2+, Сa10Si6O21Cl2:Eu2+, Сa6Sr4(Si2O7)3Cl2:Eu2+ is developed in a microwave. The phase...     

白光LED灯用蓝色荧光粉的发光性能和结构

按2(Sr0.99,Eu2 0.01)O-0.16B2O3-0.84P2O5配料以固相法合成蓝色荧光粉.该荧光粉在还原性气氛中,分别在1 100,1 150,1 200℃和1 250℃下进行焙烧.对不同温度下制成的样品进行X射线衍射分析,确定样品的晶体结构及晶相组成.通过测定样品的激发光谱和发射光谱,研究了焙烧温度对荧光粉结构的影响.结果表明:在1200℃下合成的荧光粉Sr6BP5O20为单一相,属四方晶系,P4/mmm空间群,晶胞参数分别为α=0 9794nm;c=0.951 6 nm,对应发射谱中478nm的发射峰;在低于1 200℃下合成的荧光粉中含有α-Sr3(PO4)2和α-Sr2P2O7 2个晶相,对应发射谱中420nm的发射峰.     

用于白光LED的Sr_3SiO_5:Eu~(3+)材料制备及发光特性(英文)

采用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu3+材料.测量了Sr3SiO5:Eu3+材料的激发与发射光谱:材料的发射光谱由576、585、611、618nm和650nm几个发射峰组成,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F2和5D0→7F3辐射跃迁.监测618 nm主发射峰时所得激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为400nul和470nm.研究了Eu"浓度对Sr3Si05:Eu3'材料发光强度的影响,结果显示:随Etl3'浓度的增大,发光强度先增大后减小,Eu3+的摩尔分数为3%时,材料的发光强度最大,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极一偶极跃迁.引入电荷补偿剂Cl-、Li+、Na+和K+时,材料的发光强度均得到了提高,其中Cl-和Li+的提高幅度较明显.     

红色荧光粉Ca2La8Si6O26:Eu的制备和性能

采用高温固相法合成新型CaeLasSi6O26:Eu红色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电镜及荧光光谱对其进行了表征.结果表明:合成的Ca2LasSi6O26:Eu属于六角晶系,可被近紫外光(394 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,发射峰值位于614 nm(对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁),激发波长与目前广泛使用...     

Sr^2＋的掺入对CaAl2O4：Eu^2＋，Nd^3＋，La^3＋陷阱分布和余辉性能的影响

用固相反应法制备了发射峰为446 nm的蓝紫色长余辉材料CaAl2O4：Eu^2 ，Nd^3 ，La^3 ，它有两个激发峰276 nm和335 nm。Sr^2 的加入使材料的激发和发射主峰向短波方向发生了移动。不同Sr^2 含量样品的X射线衍射分析表明：随着Sr^2 含量的增加，材料中的杂相CaAl4O7逐渐消失，变为纯的CaAl2O4；从测得的相应的热释光曲线分析，热释峰由强度较弱、分布分散的5个峰(峰值温度分别为：153，180，327，355K和399K)，逐渐变为分布集中、强度较大的2个峰(峰值温度分别为175K和346K)，这说明材料中的陷阱能级分布趋于集中。用一般阶动力学模型对热释光曲线进行拟合，得出了它们的陷阱参数。在Sr^2 添加量为0．20 moll时，材料的余辉性能最好，它的两个热释峰所对应的陷阱深度分别为0．17 eV和0．37 eV。陷阱分布趋于集中的状况和合适的深度使材料的余辉性能得到了很大的提高。     

Sr_3SiO_5：Eu~（2＋）荧光粉相形成的影响因素及发光特性

采用高温固相法制备Sr3SiO5：Eu2＋荧光粉,利用X射线衍射分析方法和光致光谱分析方法研究样品的物相组成、激发光谱和发射光谱。研究摩尔比n（Sr）/n（Si）、助熔剂BaF2质量、煅烧温度及Eu2＋掺量等对样品物相形成和发光性能的影响。结果表明最佳实验参数为：n（Sr）/n（Si）=3、BaF2为1%、煅烧温度为1...     

Sr2SiO4:Sm3+红色荧光粉的发光特性

用高温固相法合成了Sr2SiO4:Sm3 红色荧光粉,并研究粉体的发光性质.发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于570,606nm和653nm,对应了Sm3 的4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,606nm的发射最强.激发光谱表现从350 nm到420nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350～410 nm辐射有效激发.研究了Sm3 掺杂和不同电荷补偿剂对样品发光亮度的影响,Sm3 掺杂摩尔分数为6%、电荷补偿剂为Cl-时的效果最好.Sr2SiO4:Sm3 是一种适用于白光LED的红色荧光粉.     

Synthesis and Luminescence Properties of Y3Al5O（12）：Eu^（3＋） Phosphors under Vacuum Ultraviolet Excitation

采用凝胶–燃烧法合成了掺Eu3＋的Y3Al5O12（YAG：Eu3＋）荧光粉。分别采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、发光光谱等测试手段分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明：YAG：Eu3＋的最低合成温度为900℃,并且在该反应过程中没有中间相YAP（YAlO3）和YAM（YAl）的产生。1 100℃合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在90 nm左右。发光光谱的测试表明：在592 nm监控下的真空紫外激发光谱由峰值位于147、156、169nm和214nm的系列激发带组成,其分别归属于铝酸根的基质吸收以及Y3＋和Eu3＋的电荷迁移带吸收。在147nm激发下YAG：Eu3＋荧光粉最强发射峰位于592nm处,属于Eu3＋的5D0→7F1跃迁。Eu3＋在基质中的最佳掺杂摩尔分数为4%。     

水解对SrAl2O4∶ Eu2+,Dy3+稳定性的影响

研究了SrAl2O4: Eu2+, Dy3+长余辉材料在模拟潮湿环境条件下的稳定性.采用了2种模拟环境方法对样品进行了预处理.第1种方法为样品于室温条件下在去离子水中浸泡3 d; 第2种方法为样品在70 ℃的水中浸泡10 h,或者经过人工加速老化试验制备产物.结果显示: 第1种方法的预处理产物没有发生明显的分解,然而与未经处理的样品比较,发现其发光强度和发射光谱的峰值位置都发生了变化.而通过第2种预处理方法得到的产物发生了明显的分解分层.将溶液过滤蒸干得到两层的粉末状固体,分别记作上层产物和下层产物.通过X射线衍射和X射线能谱分析产物晶体结构,上层产物是Sr3Al2(OH)12,下层产物是Sr3Al2(OH)12和SrAl3O5(OH)的混合物.下层产物具有长余辉特性,为SrAl3O5(OH):Eu2+,Dy3+发光,发射光谱峰值位于485 nm,而原样品SrAl2O4: Eu2+, Dy3+的发射光谱峰值为520 nm.实验结果表明SrAl2O4: Eu2+, Dy3+长余辉材料在高温或潮湿条件中应用时,需要进行包膜处理.