FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究

分析了ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ的简单电路模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈会晤窗口有很大的影响、采用指数上升波形或三角波形进行了编程可以改善ＥＥＰＲＯＭ的耐久性。     

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0 .6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FL OTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础     

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0.6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FLOTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础.     

EEPROM存贮单元的版图设计

本文阐述了浮栅ＥＥＰＲＯＭ存贮单元的工作原理及图形设计的方法考虑。比较了分析也四种不同的单元图形的利弊得失以及ＥＥＰＲＯＭ中低掺杂漏区结构的图形与工艺技术。     

MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术

介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅（２．１５±０．１５ｎｍ）的工艺控制。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

并联型阶跃管倍频器理论分析

本文提出阶跃管在阶跃时间t_7≠0时的倒电容折线近似模型;分析了存在空闲情况下任意变容管倍频器的一般问题,导出了简明的结果。详细讨论了阶跃管无空闲倍频器,得到了倍频器的效率和等效参数同任意阶跃时间及电流截止角的函数关系。实验结果证明,按文中结论设计成的阶跃管高次倍频器可获得较好的效率和稳定性。     

串行EEPROM X24256的特性及其应用

文章介绍了美国Xicor公司的串行EEPROMX2 4 2 56芯片的特性及工作原理 ,提供了X2 4 2 56与单片机W 78E58的IIC方法 ,并且简要阐述其在手持无线抄表器中的应用     

酞菁染料薄膜的光存贮特性

本文研究了酞菁分子结构与光存贮性能的关系，给出作用在酞菁薄膜上的激光功率和辐照时间，其阈值随酞菁分子侧链的增长而增加的特性。     

GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析

本文分析用于ＧａＡｓ ＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数,Ｓ参数之间的关系,重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸。     

GaAs MESFET平面型变容管高频特性分析

本文分析了用于GaAs MMIC调频器件MESFET平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数、S参数之间的关系.重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸.     

NAND型快闪EEPROM与读出互换型256Mb掩模ROM

<正> NEC 电子器件公司开发出了 NAND 型快闪 EEPROM 和具有读出互换性的256Mb 掩模 ROM[μPD23C256112]。快闪 EEPROM 内置的小型存储器卡片,在音乐媒体和出版媒体中的用途将增加。所以对于该存储器互换 ROM 的需要越来越高。除了用于便携式信息设备和游戏软件、电子辞典的数据存储等固有用途之外,还用于音乐和图象的存储信息媒体。除了写入工作外,功能和电特性与 NAND 型快闪 EEPROM 相同。由于在端子布局上具有互换性,使快     

应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究

阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性,比较和分析了不同的可靠性测试方法,并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。     

用超模理论分析光栅耦合器型滤波器的特性

从实际测量的耦合器的形状出发,运用耦合的超模理论分析了在普通2×2光纤耦合器的熔锥区写入光栅制作滤波器的特性,并对不同类型的耦合器进行了比较。研究表明,即使在普通的耦合器上写入布拉格光栅,同样可以获得波长选择滤波器,并且存在最佳光栅位置和光栅长度。同时提出了获得窄线宽、边带抑制的滤波器的新方法,即在熔锥区写入非线性啁啾光栅。     

PLZT陶瓷的电光特性及其存贮显示器件

七十年代以来国外对PLZT透明陶瓷材料及其应用做了大量工作,文献数量也相当多,使电子陶瓷进入了电光时代.本文介绍了PLZT陶瓷的基本电光性能和用作存贮显示器件的各种工作模式.着重分析了双析射模和散射模铁电-光导象存贮和显示器件;利用铁电-反铁电可逆相转变的器件;光铁电效应器件以及大屏幕显示等.列出了最新报导的晶体光阀和液晶光阀的特性以供比较.最后,提出了些相应的看法.     

RCA-8850型光电倍增管特性研究

从理论和实验上研究了RCA-8850型光电倍增管的单光电子特性,通过计算机模拟得出光电倍增管的输出幅度分布近似满足泊松分布。通过多道分析仪测得PMT的实际输出分布,与计算机模拟结果一致。对增益、暗电流及暗脉冲计数的测量结果与标称值相近。通过高精度测量系统,对PMT的基本参数渡越时间及其抖动进行了测量,得到渡越时间:t∝1/u~(1/2)(u是偏压),并提出对高压电源稳定度的要求,渡越时间抖动E∝1/N~(1/2)(N为阴