8～18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度＞５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度＞５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

基于LTCC工艺的三频段小型化植入天线设计

创新性采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺,基于其提供的多层堆叠技术,在多层空间中设计缝隙天线结构,充分激励起缝隙辐射及耦合辐射,使植入天线在医疗设备无线通讯服务(Med Radio,401-406 MHz)频段和工业科学医疗(ISM,433-435 MHz,2.4-2.5 GHz)频段实现很好的双频带响应,同时,更有效地减小了天线尺寸(11×10.5×0.636 mm3),使其具备小型化性能,更适用于人体植入。     

陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。     

基于EFPI和FBG传感器的光纤智能夹层系统研究

以光纤自诊断系统为研究对象,围绕光纤智能夹层(FOSL)制作和标定中的相关理论及技术展开较深入的研究。采用聚酰亚胺薄膜制作了基于非本征法布里-珀罗干涉型(EFPI)传感器和光纤布拉格光栅(FBG)传感器的FOSL。制作过程中,光纤传感器性能完好,FOSL的埋入对复合材料强度影响较小。在此基础上,对FOSL试件中的EFPI和FBG传感器进行了四点弯曲试验。试验表明,FOSL中,EFPI传感器的应变与载荷、FBG波长偏移与应变之间均具有良好的线性关系;在FOSL的制作中,可以选用EFPI和FBG传感器同时监测结构应变和温度。利用FOSL中的光纤传感器网络和先进信息处理技术,可以建立结构损伤主动、在线和实时监测系统。