采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构

采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明：Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息。综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc-Si)薄膜。     

VHF-PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料.用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究.结果表明:薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料.将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η＝4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc＝0.335 V,短路电流密度Jsc＝20.16 mA/cm2,填充因子FF＝41.938%.     

微晶/非晶Si∶ C∶ H半导体多层膜的结构研究

采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积了具有交替微晶和非晶Ｓｉ∶Ｃ∶Ｈ亚层的多层膜样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两相结构；在低角度Ｘ射线衍射谱中，观察到了多级的衍射峰，证明了多层结构的存在     

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.     

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.     

微晶／非晶Si：C：H半导体多层膜的结构研究

采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积具有交替微晶和非晶Ｓｉ：Ｃ：Ｈ亚层的多层样样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两仃结构；在低角度Ｘ射线衍射谱中，观察到了多级的衍射峰，了多层结构的存在。     

本征微晶硅薄膜的结构演变及其对太阳电池光伏性能的影响

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备本征硅薄膜和n-i-P结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响.采用光发射谱(OES)和喇曼(Raman)散射光谱研究了处于过渡区的本征硅薄膜的纵向结构演变过程.结果表明:光发射谱和喇曼散射光谱可以作为研究硅薄膜的纵向结构演变有效手段.随着氢稀释率的增加,硅薄膜从非晶相向微晶相过渡时,其纵向结构的改变会严重影响硅薄膜太阳电池的光伏性能.     

本征微晶硅薄膜的结构演变及其对太阳电池光伏性能的影响

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法制备本征硅薄膜和n-i-p结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响. 采用光发射谱（OES）和喇曼（Raman）散射光谱研究了处于过渡区的本征硅薄膜的纵向结构演变过程. 结果表明：光发射谱和喇曼散射光谱可以作为研究硅薄膜的纵向结构演变有效手段. 随着氢稀释率的增加,硅薄膜从非晶相向微晶相过渡时,其纵向结构的改变会严重影响硅薄膜太阳电池的光伏性能.     

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.     

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.     

软交换体系结构研究

软交换是面向网络融合的新一代多媒体业务全面解决方案,它打破了传统的封闭交换结构,采用横向组合模式、开放的接口和通用的协议,构成一个开放的,分布的和多厂家应用的系统结构,成为下一代网络(NGN)中的核心技术之一。本文主要介绍了软交换的功能结构和网络结构,并对软交换的对外接口进行了分析。     

ECM的相位受振膜材料影响的讨论

着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析.     

框架载片台打凹深度对塑封针孔的影响

圆片制造技术的不断提升有效缓解了单位芯片的成本压力,同样功能的芯片尺寸越来越小,封装工艺也迫切面临提升的要求,尤其是小芯片极易在塑封工序产生背面针孔等方面的问题,这对塑封工艺提出了新的挑战。文中针对小芯片在塑封工艺中产生针孔的原理进行了深入分析,重点通过一系列试验改善针孔发生的比例,其中框架载片台打凹深度对针孔发生有重...     

屏蔽罩对真空灭弧室性能影响的研究

分析了屏蔽罩对真空灭弧室耐压及燃弧后介质特性恢复的影响 ,以及屏蔽罩厚度及材料对真空灭弧室的性能影响。最后研究了屏蔽罩大小对真空灭弧室电弧电压、屏蔽罩电位及屏蔽罩电流的影响     

应用Hartmann-Shack原理测量人眼波前像差的系统研究

分析波动光学中人眼像差的产生机理和波前像差的表示方式,着重讨论了Hartmann-Shack波前传感器测量波前像差的原理,结合自适应光学中Zernike多项式重建波前的理论,提出了应用H-S波前传感器测量人眼波前像差的解决方案,使得由波前像差引导的人眼视觉矫正技术能达到一个新的水平。     

基于CDIO理念的《计算机基础》应用课程改革研究

伴随全国应用型大学集体转型发展,高校提出应该强化基础课程的应用型改革。《计算机基础》作为非计算机专业的一门公共必修课,理应加强学生的实践性和操作性的能力培养,为应用型大学转型发展服务。欧美流行的CDIO理论强调工程教育的本质,以工程项目为载体,将教学过程分为4个环节,强化4个环节对学生自主能力的培养。文章从CDIO工程教育理念和应用课程改革2个角度,探讨《计算机基础》的课程改革与探索。     

引出结构对叠层片式电感器可靠性影响的研究

叠层片式电感器(MLCI)其引出结构在热应力冲击下,可能会形成开路,降低了MLCI的可靠性,进而影响到电子线路的整体功能。针对实际应用过程中一例叠层片式电感器(型号CH1608H22N)的失效,采用X射线检查、金相检查等分析方法对电感器的失效机理进行了分析。结果表明引出电极与内电极结合部位的热致失效导致了开路,进而研究了引出结构对MLCI可靠性的影响,设计出了一种新的圆弧型引出结构,通过实验验证该结构的耐流特性比直角型引出结构的提高了50%,产品可靠性得以改善。     

毫米波辐射对细胞膜电位变化影响机理研究

用细胞膜电压荧光技术及荧光显微技术,研究了毫米波场辐射下悬液中K562细胞膜电压的变化。结果表明,在相同辐射条件下,不同细胞浓度组的K562细胞膜电压变化规律是不相同的。然后用场近似等效方法,建立了毫米波场辐射下,排列在平面上的悬液细胞膜电压计算模型。根据模型,计算了悬液中的细胞膜电压,用生物电磁学的观点,对实验现象的产生机理进行了探讨。     

溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系

采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡＩＮ薄膜。结果表明,５种基片均可生长（１００）面掺优取向的ＡＩＮ薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密。在金属电极和Ｓｉ片上沉积的ＡＩＮ薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小,两者的结构均优于在盖玻片上的沉积的ＡＩＮ薄膜。