IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

全新直流总线转换器芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)日前推出直流总线转换器芯片组 ,从而重新定义了用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,它能在小于1.7平方英寸的电路上和20A/150Wout条件下提供96 %以上的效率。该芯片组能节省53 %的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR2085S控制集成电路以及IRF7493原边和IRF6603副边HEXFET功率MOSFET各一对 ,加上用于原边偏压的IRF7380…     

IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

Astrodyne开架式隔离DC／DC转换器

Astrodyne扩展了其开架式隔离5W，7W和10W DC／DC转换器生产线，符合EN60950和UL60950-1SELV安全标准。ASDH系列包含48个模型，4：1的输入范围：直流9V到直流36V，直流18V到直流75V，从直流3V到直流15V的单向及双向输出。该产品的特点是开架式结构，具有集成的鳍状散热器，工作温度范围从-25℃到＋71℃。     

IR推出全新直流总线转换器芯片组

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称IR)推出首个直流总线转换器芯片组系列 ,重新定义用于电信及网络系统的 4 8V输入、15 0W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,能在小于 1.7平方英寸电路占位上 ,于 2 0A/15 0Wout条件下提供 96 %以上的效率。与业界标准的四分一砖设计相比 ,该芯片组能节省 5 3%的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约 5 0个大幅缩减至 2 0个。全新芯片组包含一个IR2 0 85S控制集成电路、IRF74 93原边和IRF…     

减少了组件数量的隔离式正向DC/DC转换器

1引言过去25年,高密度隔离式DC/DC电源转换器已经发生了显著变化。全砖和半砖DC/DC转换器最初推出时,用户和电源公司都非常振奋。这类砖式DC/DC转换器纳入了数百个组件,非常容易使用,因而用户不必再自行设计。这类器件适用于电信应用,电信应用中的-48V输入需要隔离输入和输出,因为总线电压提供很大的功率。此外,这类转换器可在数据通信和工业系统中作为分布式电源架构的起     

TPCA80xx-H系列MOSFET

TPCA8045／46／47／48／49／50和51-H系列MOSFET提供了电压为40V、60V和80V的一系列器件,它们适用于移动通信应用中的隔离式DC／DC总线转换器所用到的初级侧开关。这些N沟道器件也可以用于非隔离DC／DC转换器。     

ATCR250-48D12-03J：转换器

艾默生网络能源推出采用创新技术制造并集成了250WATCA电源输入模块的最新版直流／直流总线转换器。这款ATCR250．48D12-03J转换器是极少数集成了12V中间总线主通道输出与3．3V管理总线次通道输出的电源产品,其特点是可以执行ATCA控制和相关的监控功能。只要采用这款转换器,便可大幅简化-48V直流双通道热插拔冗余电源分配系统的设计,让ATCA或其他电信系统的电路板兼具抗电磁干扰的滤波功能。     

LT3573：隔离型单片反激式转换器

Linear推出具有一个集成式1．25A NPN电源开关的隔离型单片反激式开关稳压器LT3573。该器件简化了反激式转换器的设计,因为它不需要第三个绕组或光耦合器,并且可以直接从主端反激波形检测输出电压。LT3573在输出功率值高达7W时于3V至40V的输入电压范围内工作,可用于需要隔离式电源的众多工业、医疗、数据通信和汽车应用,包括海洋电了产品、低功率PoE和VoIP电话接口。     

美国国家半导体推出业界首款单芯片高电压双开关

<正>美国国家半导体公司宣布推出业界首款单芯片高电压双开关正激直流/直流稳压器。这款型号为LM5015是专为通信、汽车电子装置及工业设备而开发的电源解决方案。它可用于4.25～75V的极广阔输入电压范围,开关频率最高可达750kHz。设计工程师只要采用这款芯片搭配极少量外置元件,便可方便地实现隔离式或非隔离式的直流/直流转换器。     

效率高达95%的200V DirectFET MOSFET

国际整流器公司(IR)新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC/DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载     

电源

10W DC/DC转换器无需散热片 NPH10S DC/DC转换器输出功率10W,密闭封装,尺寸是1.26×0.98×0.39英寸。效率为87％,在高达72℃时可全额定输出而无需加散热片。 输出电压是3.3、5、12或15V,输入电压是24或48V。其它参数还有:输入/输出隔离电压1.5kV,线性调整率0.1％,负载调整率0.5％,工作温度范围-40～ 110℃。(1000个以上单价25美元,库存。)     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

美国国家半导体推出面向便携式应用的最小型1A、4MHz同步降压直流/直流转换器

美国国家半导体公司宣布推出一款业界最小的4MHz同步降压直流／直流转换器．该器件可在2-3～5．5V的输入电压范匍内输出高达1A的电流。这款型号为LM3691的直流／直流转换器可利用一颗锂电池为高性能处理器提供稳压供电．适用移动电话、个人媒体播放机等各种便携式电子产品。LM3691直流／直流转换器来自美国国家半导体PowerWise高能效产品系列．能效高达95％,     

发展iPOWIR结构模块技术精蕴

功率半导体专家国际整流器公司(Internation Rectifer,简称IR),推出三款创新的多相高电流直流——直流转换器参考设计。三款新设计均采用先进的iP2001器件,可作为5V至12V输入、1V至2V输出同步降压转换器电路的结构模块。 新设计能在细小面积上体现高效率。以IRDCiP2001-C 四相转换器参考设计为例,器件能在80A全负载、1.6V_(OUT)及500KHz无气流环境下,发挥高达88.5％的运作效率。相比于离散式解决方案,效率高出一成。 IR创新的iPOWIR技术为iP2001器件提供一个灵活平台,将功率转换电路设计化繁为简。该器件将用于关键布置的被动元件与优化型功率半导体,柔合于精巧的焊球网络阵列(BGA)封装。每个iP2001可取代十一个     

TI新推高压隔离微型1瓦直流转换器

德州仪器推出高隔离电压的小封装1 W未调节直流转换器DCH01系列。该插入式电源模块系列输入电压为5 V,输出5 V、12V和15 V等单电压及±5 V、±12 V及±15 V复合双输出电压。这些微型模块适用于各类工业产品,如数据采集、电机控制、可编程逻辑控制、测试和测量、医疗仪器和专业音响。TI的DCH01系列工作效率达85%,符合3 kVrms隔离的UL60950规范,EMC性能达到EN55022B级规范。工作温度范围在-40℃至85℃之间,可用于TI的ISO721及ISO721M高速数字隔离器等供电。此外,DCH01还提供高效的点负载功率转换和接地回路,适合对噪声敏感的产…