基于径向基函数神经网络的内模控制

文章用径向基神经网络设计内模控制系统,径向基神经网络是通过调整隐层与输出层间的连接权系数来逼近函数,如果隐层神经元数目过少,难免会出现收敛时间长,控制质量差,甚至发散的现象。为此,本文提出了增加调整基函数形状参数和中心向量的方法予以避免,并证明了网络不同调整参量收敛于目标函数极小点的性质。     

基于径向基函数神经网络的铁路路径规划

通过合理路径规划实现高速铁路能量效率的优化是铁路运行中的重要研究内容。本文引入资格迹(eligibility trace)改进径向基函数(RBF)神经网络。在此基础上,使用改良的径向基函数(RBF)神经网络实现列车在复杂情况下的路径规划。     

基于广义径向基函数神经网络的非线性时间序列预测器

该文对传统的径向基函数（ＲＢＦ）神经网络的结构和学习算法进行了总结,并在此基础上提出了广义径向基函数模型概念,使这种网络具有更好的应用灵活性与可扩充性。文章基于Ｍａｃｋｅｙ－Ｇｌａｓｓ造血模型方程的数值解数据,对此广义模型与现有的ＲＢＦ模型和梯度径向基函数（ＧＲＢＦ）模型对一笥时间序列预测问题的应用结果进行了比较与讨论,显示出这种广义模型的应用有效性。     

基于径向基函数神经网络的CDMA多用户检测方法

径向基函数神经网络是一种三层前馈性神经网络,它具有较强函数逼近能力和分类能力,学习速度快等优点.本文根据径向基函数神经网络的这些优点提出了一种基于径向基函数网络的CDMA多用户检测方法(RMD).计算机模拟表明我们所提的算法具有能克服多址干扰,抑制噪声干扰和对"远-近"问题不敏感等优点,这为研究CDMA多用户检测器开辟了一条新的途径。     

基于径向基函数神经网络的模拟/混合电路故障诊断

径向基函数神经网络是一种前馈型神经网络,具有较强的函数逼近能力和分类能力,学习速度快等优点.本文采用幅值恒定的正弦信号源进行模拟电路的故障仿真,从频域提取输出信号波形的特征值建立故障字典,应用径向基函数神经网络的这些优点进行响应分析和故障诊断,能够实现快速故障诊断及定位,具有准确率高的特点.     

基于广义径向基函数神经网络的非线性时间序列预测器

该文对传统的径向基函数(RBF)神经网络的结构和学习算法进行了总结,并在此基础上提出了广义径向基函数模型概念,使这种网络具有更好的应用灵活性与可扩充性。文章基于Mackey-Glass造血模型方程的数值解数据,对此广义模型与现有的RBF模型和梯度径向基函数(GRBF)模型对非线性时间序列预测问题的应用结果进行了比较与讨论,显示出这种广义模型的应用有效性。     

基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络

提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络,并通过异或问题进行了验证.所有单元均采用HJTC 0.18μm CMOS数模混合工艺制造,芯片面积为200μm×150μm,功耗约为100μW.芯片测试结果表明:提出的单元电路结构简单,功耗低,便于扩展和调节,因而为硬件实现径向基函数神经网络的片上学习提供了可     

基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络

提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络,并通过异或问题进行了验证.所有单元均采用HJTC 0.18μm CMOS数模混合工艺制造,芯片面积为200μm×150μm,功耗约为100μW.芯片测试结果表明:提出的单元电路结构简单,功耗低,便于扩展和调节,因而为硬件实现径向基函数神经网络的片上学习提供了可     

径向基函数神经网络的分类机理

本文研究了径向基函数网络（ＲＢＦＮ）的分类机理问题。在Ｒｕｃｋ工作的基础上，通过与传统的基于Ｐａｒｚｅｎ窗估计核分类器做类比，本文从模式分类机理入手，分析了ＲＢＦＮ使用正、负两类训练样本来估计判别函数的特点，指出它优于核分类器，并讨论了相应情况下ＲＢＦＮ输出层连接权、模式分类判决域的特点。最后用多类模式分类的结果对上述理论进行了验证。     

径向基函数神经网络芯片ZISC78及其应用

ZISC78是IBM公司和Sillicon公司联合生产的一种具有自学习功能的径向基函数神经网络芯片，文中主要介绍了ZICS78芯片的功能、原理，给出了ZISC78神经网络芯片在舰载武器系统中进行船舶运动实时预报的应用方法。     

基于RBF神经网络的机抖激光陀螺零偏的温度补偿的研究

温度偏置漂移是存在于激光陀螺中使得输出信号产生较大偏置误差的一种不可忽略因素,准确地辨识漂移并有效地对其进行补偿直接关系到激光陀螺的测量精度.通过温度实验研究了机抖激光陀螺的温度特性,采用RBF网络进行温漂辨识.温漂辨识可以通过离线事先学习,因而在多种学习方法中选择了简单易行、精度高且运算速度快的正交最小二乘(OLS)法.通过实验验证,采用RBF网络及其OLS学习算法可以快速、有效、高精度地辨识并补偿温漂.     

基于BP神经网络的磁罗盘误差补偿研究

研制了一款基于磁阻传感器HMC1052/1051Z和MEMS加速度计ADXL203的磁罗盘,介绍了三轴磁阻罗盘的测量原理并分析了磁罗盘工作过程中可能存在的误差及其来源。针对样机的水平状态,利用前馈神经网络算法,建立了以测量航向角为输入、补偿后的航向角为输出的三层BP神经网络模型,并用样机的航向角采样数据进行仿真验证。实验数据表明,采用该BP神经网络补偿算法,可将航向角的精度从±35.73°提高至±0.5°以内,研制的样机可应用于普通导航领域。     

基于遗传优化RBF神经网络的声纹识别研究

提出了一种基于遗传优化RBF神经网络的声纹识别算法,该算法中采用遗传算法对传统的RBF神经网络基函数中心以及宽度进行优化处理,克服了传统RBF神经网络参数难以确定的缺陷。同时,算法结合心理声学模型,提取了能表现说话人个性特征的Mel倒谱系数为特征进行说话人识别,可较好地提升系统的抗噪性能。仿真实验结果表明,与传统RBF神经网络相比,该方法具有快速学习网络权重的能力,并且网络的全局寻优能力强,使得系统的识别率进一步提高。     

A high precision programmable bandgap voltage reference design for high resolution ADC

temperature coefficient is close to 0.69 ppm/℃ over the whole temperature range.     

用于高分辨率ADC的高精度可编程带隙电压参考设计

A programmable high precision bandgap reference is presented, which can meet the accuracy requirements for all technology corners while a traditional bandgap reference cannot.This design uses SMIC 0.18 μm 1P4M CMOS technology.The theoretically achievable temperature coefficient is close to 0.69 ppm/°C over the whole temperature range.     

基于神经网络的数控机床误差补偿研究

以加工中心为平台进行定位误差测量,利用神经网络智能控制编程,实现修改程序和误差补偿实验,而逐次二点法可以同时分离出工件和机床的定位误差,且测量原理与数据处理简捷有效。结果证明,在神经网络编程下利用逐次二点法进行误差补偿,是有效可行的。     

基于BP和RBF神经网络的新型融合技术研究

为了提高融合技术的精度,本文以JCY-120压力传感器构建的一套测量系统为例,提出了一种基于BP,RBF神经网络进行训练消除交叉敏感的实验方案,该实验利用压力传感器得到的交叉敏感的数据,采用BP和RBF网络进行训练和测试.最后进行实验,实验结果表明该方法在利用神经网络进行新型融合技术方面,能够提高数据融合的精度.     

基于FPGA的RBF神经网络的硬件实现

介绍了RBF神经网络,并采用CORDIC算法实现了其隐层非线性高斯函数的映射。同时,为缩减ROM表的存储空间并提高查表效率,本设计还采用了基于STAM算法的非线性存储。最后,以Altera公司开发的EDA工具QuartusⅡ作为编译、仿真平台,采用Cyclone系列中的EP1C6Q240C8器件,实现了RBF神经网络在FPGA上的实现,并以XOR问题为算例进行硬件仿真,得出仿真结果与理论值一致。     

基于径向基函数神经网络的混沌系统控制

考虑到不同神经网络模型误差对混沌控制效果的影响，提出了采用一种改进的递阶遗传算法对径向基函数（RBF）神经网络进行训练，针对连续的Lorenz系统进行了仿真，并且与其它神经网络训练算法结果进行了比较，仿真结果证明所采用的训练算法具有更加理想的混沌控制效果。     

一种应用于ADC带曲率补偿的高精度带隙基准源

设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器(ADC)的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同,该带隙基准源采用曲率补偿技术,降低了温度系数,提高了精度。分析提高电源抑制比的方法,设计低压共源共栅电流镜偏置的折叠式共源共栅运放,提高了带隙基准源的电源抑制比。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,获得了900 m V的带隙基准,Spectre仿真结果表明,带隙基准源正常启动,在-40~125℃温度范围内温度系数低至3 ppm/℃,低频时的电源抑制比达89 d B。