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含锆低钴可伐4J461是一种性能良好而廉价的新型封接合金。它的成份是:3%~4%Cu,5%~6%Co,45%~46%(Ni Co Cu),少量的Zr,其余为Fe。与常用的封接合金(如FeNi29Co18、FeNi33Co14、FeNi29Co20)相比,该合金的含钴量降低了2/3左右。它的主要特性是本质晶粒细,二次再结晶温度高、抗焊料晶间渗透能力强;与95%Al_2O_3瓷的“铜封”件具有良好的气密性、抗热冲击性能和高的封接强度,能够满足磁控管、行波管等制造要求。 相似文献
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光学窗口作为半导体光电器件封装中的关键外壳构件之一,为光电器件提供了必不可少的光学信号透过路径,该结构的封接质量会对器件的长期寿命产生重要影响。真空钎焊技术是以钎料作为填充材料,并在真空环境下将窗座与光窗片钎焊获得永久气密性连接的过程,是实现光学窗口封接的主要技术之一,其具有封接温度低、气密性高、平面度好以及可靠性高等优点,被广泛应用于光学器件真空气密性封装及光学设备制造等领域。文中从钎料类型、金属化结构设计、钎焊设备、焊接空洞率、气密性以及力学性能测试等方面对光学窗口真空钎焊技术的研究现状进行了介绍,并指出在此领域内未来技术的发展趋势。 相似文献
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对焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响进行了初步分析与探讨。发现:用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷/可伐时,因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层,所以平均封接强度只有80MPa;用AgCu、PdAgCu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为Mo-Mo分层或Mo-Ni分层,平均封接强度在100MPa左右;用Ag、Cu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,平均封接强度达150MPa。用AgCu、PdAgCu、AuCu焊料焊接陶瓷/无氧铜时,因为封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,所以平均封接强度在150MPa左右,比用同种焊料焊接陶瓷/可伐时最高提高了80%。 相似文献
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研究了Cu/Sn等温凝固键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了等温凝固键合多层材料的结构和密封环图形,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如密封环尺寸等)进行了分析。在350°C实现了良好的键合效果,其最大剪切强度达到27.7MPa,漏率~2×10-4Pa·cm3/sHe,完全可以满足美国军方标准(MIL-STD-883E)的要求,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在MEMS气密封装中的适用性。 相似文献
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可伐合金气密封接的预氧化 总被引:3,自引:1,他引:3
可伐合金和硅硼硬玻璃是通过可伐合金表面的氧化物与玻璃互溶而紧密结合在一起的,所以可伐合金的预氧化是金属外壳制造的一个非常重要的工艺环节,是直接影响气密封接的一个重要因素。为实现气密封接,可伐合金预氧化需要得到的氧化物应是Fe_3O_4和FeO,而不希望得到Fe_2O_3。同时,氧化膜的厚度要控制在一定的范围内;氧化膜过薄则氧化物完全溶于玻璃,造成玻璃与金属基体表面的直接封接,使封接强度下降;氧化膜过厚则造成金属表面氧化物较粗糙疏松,封接件容易漏气。为达到上述两个目的,可以从可伐合金氧化的热力学和动力学出发,通过控制氧化气氛,氧化温度和时间来实现。 相似文献
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本文采用当量思想对高功率径向线螺旋阵列天线屏蔽箱密封结构在有压差工况下的气体泄漏特性进行了研究。
阐述了当量面积法,并结合实际情况和相关公式获得了密封结构的当量面积,在此基础上,对密封结构的气体泄漏过程
进行了理论计算和数值仿真,并通过长时间的气体泄漏实验进行了验证。研究表明数值仿真和实验基本吻合,相对理论
计算,数值仿真更准确,且具有速度更快、更节约成本及能获得气体参数分布等特点。该方法为快速实现天线密封结构
的气体泄漏特性分析提供了手段。 相似文献
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分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。 相似文献