与陶瓷“匹配”封接的新材料

金属——陶瓷封接的炸裂现象是长期为人们所关心而至今没有解决的难题。本文介绍一种与陶瓷“匹配”封接的最新材料,Mo—Cu—Ni—W。采用这种材料与陶瓷封接,工艺简单、气密性好、强度高、性能可靠。可在行波管、金属陶瓷管及晶体管中广泛使用。下面以3037行波管电子枪的封接为例来说明实现“匹配”封接的有关问题。     

电真空器件玻璃封接工艺研究

总结了电真空器件玻璃封接实践中所遇到的气密性、强度及稳定性的一系列问题,包括玻璃与可伐封接的气泡、封接颜色异常、贴边尺寸超差现象和玻璃与玻璃封接的失透、雾化等现象。通过工作中的工艺实践结合相关资料,运用多种现代科技手段对其形成原因进行了一定探究。对提高玻璃封接质量和可靠性进行了有益的尝试,形成了此类玻璃封接问题具体的操作工艺解决方法。通过实施这些方法,提高了玻璃封接件的可靠性,保障了科研生产工作的顺利进行。     

含锆低钴可伐4J461在真空电子器件中的应用

含锆低钴可伐4J461是一种性能良好而廉价的新型封接合金。它的成份是:3%～4%Cu,5%～6%Co,45%～46%(Ni Co Cu),少量的Zr,其余为Fe。与常用的封接合金(如FeNi29Co18、FeNi33Co14、FeNi29Co20)相比,该合金的含钴量降低了2/3左右。它的主要特性是本质晶粒细,二次再结晶温度高、抗焊料晶间渗透能力强;与95%Al_2O_3瓷的“铜封”件具有良好的气密性、抗热冲击性能和高的封接强度,能够满足磁控管、行波管等制造要求。     

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究

依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。     

MEMS封装技术

光学窗口作为半导体光电器件封装中的关键外壳构件之一,为光电器件提供了必不可少的光学信号透过路径,该结构的封接质量会对器件的长期寿命产生重要影响。真空钎焊技术是以钎料作为填充材料,并在真空环境下将窗座与光窗片钎焊获得永久气密性连接的过程,是实现光学窗口封接的主要技术之一,其具有封接温度低、气密性高、平面度好以及可靠性高等优点,被广泛应用于光学器件真空气密性封装及光学设备制造等领域。文中从钎料类型、金属化结构设计、钎焊设备、焊接空洞率、气密性以及力学性能测试等方面对光学窗口真空钎焊技术的研究现状进行了介绍,并指出在此领域内未来技术的发展趋势。     

新书预告

陶瓷-金属封接技术是一门多学科交叉的技术领域，是一种实用性、工艺性都很强的基础技术。它要求陶瓷-金属封接组件必须具有高的结合强度、好的气密性以及优良的耐热循环等性能。封接的稳定性对器件和整机的质量及系统的可靠性影响极大，一旦发生问题，甚至产生灾难性的后果。这一点，已被多年来，多次质量事故所证实。     

新书预告

陶瓷-金属封接技术是一门多学科交叉的技术领域，是一种实用性、工艺性都很强的基础技术。它要求陶瓷-金属封接组件必须具有高的结合强度、好的气密性以及优良的耐热循环等性能。封接的稳定性对器件和整机的质量及系统的可靠性影响极大，一旦发生问题，甚至产生灾难性的后果。这一点，已被多年来，多次质量事故所证实。     

对玻璃与金属封装外壳气密性的认识

文中介绍了玻璃与金属的封接机理,指出了与气密性相关的因素,同时提出了分析产品漏气的几点思路。     

焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响

对焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响进行了初步分析与探讨。发现:用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷/可伐时,因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层,所以平均封接强度只有80MPa;用AgCu、PdAgCu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为Mo-Mo分层或Mo-Ni分层,平均封接强度在100MPa左右;用Ag、Cu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,平均封接强度达150MPa。用AgCu、PdAgCu、AuCu焊料焊接陶瓷/无氧铜时,因为封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,所以平均封接强度在150MPa左右,比用同种焊料焊接陶瓷/可伐时最高提高了80%。     

高气密性Mo-Cu-Ni瓷封合金

采用粉末冶金工艺制备了相对密度达99．97％的Mo-Cu—Ni合金，研究了合金的结构、物理性能、力学性能及加工性能。结果表明：经特殊工艺处理后合金气密性极高。合金以Mo为基，Cu，Ni互扩散形成Cu3．8Ni粘结相分布在Mo颗粒边缘，其热膨胀系数与95％Al2O3瓷相近，导电导热性能良好，具有中等强度、较好的延伸率和切削加工性能。用作封接件时合金气密性与其它工艺性能达到苛刻使用条件要求。     

陶瓷器件与锗窗口的金属高温封接技术

本文论述了陶瓷与锗的金属高温封接技术的原理和封接方法,并用该技术把TEA CO2激光器的陶瓷端口与锗镜封接在一起了.其封接面的漏气率优于10-12Torr·L/s,并能承受400℃的高温冲击,封接面的物理强度大于锗本身.     

低气压去离子水检漏方法研究

在被要求密封的电子产品(器件或组件)中气密性不良是造成产品失效的重要原因之一。在传统的检漏方法中,对低密封产品(如体积较大的组件及小整机)往往采用油质检漏,但此类方法也存在一些弊端。介绍了一种低气压去离子水检漏方法,阐述了其试验原理、理论依据以及采用本方法进行的实际检漏过程,探讨了在检漏过程中易造成误判、漏判的几点注意事项,最后对试验结果进行了验证,认为在漏率不大于10 Pa.cm3/s的情况下,该方法是行之有效的检漏方法之一,与传统的油质检漏方法相比,有其不可替代的优越性。     

GIS现场密封性试验基本方法及判定标准

GIS密封性试验通称为检漏试验，是GIS现场交接试验的最重要项目之一。本文以广泛应用的上海唐山仪表厂生产的LF-ID检漏仪为例，着重探讨GIS现场检漏方法及判断标准。     

MEMS器件封装的低温玻璃浆料键合工艺研究

玻璃浆料是一种常用于MEMS器件封装的密封材料.系统研究了MEMS器件在低温下使用玻璃浆料键合硅和玻璃的过程.与大多数MEMS器件采用的玻璃浆料相比(烧结温度400℃以上),此工艺(烧结温度350℃)在键合完成后所形成的封装结构同样具有较高的剪切强度(封装器件剪切强度大于360 kPa),同时具有较好的气密性(合格率达到93.3%),漏率测试结果符合相关标准.结果表明,在保证MEMS器件封装剪切强度和气密性的同时,降低键合温度条件是可以实现的.     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

Cu/Sn等温凝固技术在MEMS气密封装中的应用

研究了Cu/Sn等温凝固键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了等温凝固键合多层材料的结构和密封环图形,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如密封环尺寸等)进行了分析。在350°C实现了良好的键合效果,其最大剪切强度达到27.7MPa,漏率~2×10-4Pa·cm3/sHe,完全可以满足美国军方标准(MIL-STD-883E)的要求,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在MEMS气密封装中的适用性。     

长线阵12000元CCD密封技术研究

针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择.针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发.对氟油粗检漏技术进行了分析,最终采用了一种新的氦气加压常温气泡栓漏法对器件的密封效果进行考核检测.     

可伐合金气密封接的预氧化

可伐合金和硅硼硬玻璃是通过可伐合金表面的氧化物与玻璃互溶而紧密结合在一起的,所以可伐合金的预氧化是金属外壳制造的一个非常重要的工艺环节,是直接影响气密封接的一个重要因素。为实现气密封接,可伐合金预氧化需要得到的氧化物应是Fe_3O_4和FeO,而不希望得到Fe_2O_3。同时,氧化膜的厚度要控制在一定的范围内;氧化膜过薄则氧化物完全溶于玻璃,造成玻璃与金属基体表面的直接封接,使封接强度下降;氧化膜过厚则造成金属表面氧化物较粗糙疏松,封接件容易漏气。为达到上述两个目的,可以从可伐合金氧化的热力学和动力学出发,通过控制氧化气氛,氧化温度和时间来实现。     

有压差工况下天线密封结构的气体泄漏特性研究

本文采用当量思想对高功率径向线螺旋阵列天线屏蔽箱密封结构在有压差工况下的气体泄漏特性进行了研究。 阐述了当量面积法,并结合实际情况和相关公式获得了密封结构的当量面积,在此基础上,对密封结构的气体泄漏过程 进行了理论计算和数值仿真,并通过长时间的气体泄漏实验进行了验证。研究表明数值仿真和实验基本吻合,相对理论 计算,数值仿真更准确,且具有速度更快、更节约成本及能获得气体参数分布等特点。该方法为快速实现天线密封结构 的气体泄漏特性分析提供了手段。     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。