磁控溅射法制备Mo／B4C软X射线多层膜

用ＤＣ和ＲＦ磁控溅射法制备出了波长小于１０ｎｍ的波段的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ软Ｘ射线多层膜反射镜。掠入射Ｘ射线衍射仪的测量结果表明,磁控溅射法有很高的控制精度,制备出的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ软Ｘ射线多层膜周期结构非常好,表（界）面粗糙度非常小,约为０．４ｎｍ。     

Mo/Si和Mo/B_4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控溅射法制备Mo／Si多层膜（周期为25nm，20层）和Mo／B4C多层膜（周期为3．9nm，121层），并在真空中加热30min，温度为200，400，600，800和1000℃。用小角X射线衍射法和透射电镜研究不同温度下（保温0．5h）加热的样品。实验结果表明，当加热温度达600℃时，Mo／Si多层膜周期被破坏。而Mo／B4C多层膜在800℃加热温度下仍保持周期性层状结构。说明Mo／B4C多层膜不仅周期只有3．9nm，而且具有很好的热稳定性，可以作为较短波长的软X射线多层膜推广应用。     

Mo／Si和Mo／B4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控射法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜和Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜，并在真这中加热３０ｍｉｎ，温度为２００，４００，６００，８００和１０００℃。用小角Ｘ射线衍射法和透射电镜研究不同温度下加热的样品。实验结果表明，当加热温度达６００℃时，Ｍｏ／Ｓｉ多层膜周期被破坏。     

X射线光学多层膜的研究

介绍X射线光学多层膜的构成原理、制作、测量方法及在超高真空系统中的研制技术。     

波长小于10nm的软X射线多层膜制备技术

软X射线短波段区域(1～10nm)高反射率多层膜的制备对软X射线光学的研究具有十分重要的意义.该波段要求镀膜过程中能减小界面扩散,实现膜厚控制,从而严格限制了制备技术的应用.介绍了软X射线短波段多层膜的发展现状和制备技术,主要包括蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积技术和激光分子束外延,对这些方法进行了比较并提出了今后的研究方向.     

C/W多层膜的制备及其光学特性

介绍了软X射线波段C/W多层膜的制备和光学性能检测.采用高真空直流磁控溅射方法在超光滑硅基片上制作了C/W多层膜,用X射线衍射(XRD)仪,小角测量方法测试多层膜的光学性能,采用透射电镜(TEM)观测多层膜断层样品的微观结构,并在同步辐射软X射线光束线上,测试了所制备的C/W多层膜样品的反射率,然后对测试结果进行拟合分析.结果表明,所制备的C/W多层膜样品的质量较高,界面清晰,粗糙度小,所有膜层均为无定形态,没有晶相生成,以44.2°入射在5.9 nm处有约6%的反射率.     

直流磁控溅射法制备金钆多层膜

本文介绍了直流磁控溅射方法制备Au／Gd多层膜，探索了多层膜的制备工艺参数，利用X射线衍射表征了多层膜的界面结构及混和膜的晶型结构，原子力显微镜观察了膜的表面形貌和粗糙度。成功地制备了膜层厚度控制精确、界面清晰和表面光洁的Au／Gd多层膜。     

30.4nmSi／C多层膜反射镜的制备与测量

采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Ｓｉ／Ｃ多层膜,用于３０．４ｎｍ波段的正入射多层膜反射镜。并用软Ｘ射线反射率计测得其反射比最大值为０．１４。有效地抑制了１５．０ｎｍ处的二级衍射峰。     

30.4 nm Si/C多层膜反射镜的制备与测量

采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Si/C多层膜 ,用于 30 4nm波段的正入射多层膜反射镜。并用软X射线反射率计测得其反射比最大值为 0 14。有效地抑制了 15 0nm处的二级衍射峰。     

工艺参数对磁控溅射TiN膜成分影响的研究

在不同的工艺参数条件下 ,采用磁控溅射技术制备了大量的TiN膜样品。通过对实验结果的仔细分析 ,得出了膜层颜色与氩气分压无关 ,而与溅射功率和氮气分压的比值有关的结论 ,并得到了微观结构分析的证实。对磁控溅射法制备TiN膜技术具有一定的参考价值     

反应磁控溅射制备超亲水性SiO2/TiO2多层膜的研究

本文采用反应磁控溅射的方法在玻璃基片上制备TiO2及SiO2／TiO2多层膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、接触角测定等分析方法对试样进行表征。研究了不同制备工艺对薄膜亲水性能的影响，初步讨论了SiO2／TiO2多层膜的超亲水性机理。结果表明这种多层膜结构，其底层SiO2作用在于阻止玻璃中的钠离子在溅射过程中向薄膜中的扩散，适当厚度的顶层SiO2，一方面利用到了SiO2本身的亲水性，同时也利用到了TiO2薄膜的光致亲水性。因此在制备TiO2超亲水性薄膜的时候，考虑制备SiO2底层和顶层对于亲水性效果有明显的改善作用。     

磁控溅射镱薄膜的制备及压阻特性

使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数依赖于薄膜的晶粒尺寸,经300℃热处理1 h,镱薄膜晶粒长大,薄膜结构更为致密,膜内缺陷减少,压阻系数有明显提高.     

磁控溅射B4C薄膜的制备与力学性能

通过磁控溅射方法在不同基片温度下制备了B4C薄膜 ,利用傅立叶红外光谱、X射线衍射、透射电子显微镜表征了薄膜的微结构 ,并采用纳牛力学探针测量了薄膜的力学性能。结果表明 ,室温下制备的B4C薄膜具有很高的硬度 ( 4 2 5GPa)和杨氏模量 ( 3 0 0GPa) ,薄膜呈现非晶或纳米晶特征。随基片温度的提高 ,薄膜略有晶化 ,硬度与杨氏模量相应增加到5 0 4GPa和 4 2 0GPa。     

Ar Pressure Dependence of the Properties of Molybdenum-doped ZnO Films Grown by RF Magnetron Sputtering

Transparent conducting oxide film of molybdenum-doped zinc oxide （MZO） with high transparency and relatively low resistivity was prepared by RF （radio frequency） magnetron sputtering at room temperature. The structural, electrical, and optical properties of the films deposited under different Ar pressure were investigated.XRD （X-ray diffraction） patterns show that the nature of the films is polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation along the c-axis. The resistivity increases as Ar pressure increases. The lowest range exceeds 88% for all the samples. The optical band gap decreases from 3.27 to 3.15 eV with increasing Ar pressure from 0.6 to 3.0 Pa.     

磁控溅射Fe-N薄膜及Fe-N/TiN多层膜的结构和磁性

用磁控溅射法制备了Fe N薄膜和Fe N/TiN多层膜。结果表明 ,在常温下 ,使用较小的氮、氩比溅射 ,生成的Fe N薄膜主要是含氮α Fe固溶体 ,并且N原子进入α Fe晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Fe N/TiN多层膜的层间耦合作用以及减小每一Fe N层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力 ,从而获得更好的软磁性能     

CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究

利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。     

等离子喷涂碳化硼/钼涂层氚的滞留性能研究

为了保证核能源的使用安全, 对氚在第一壁材料表面的滞留数量以及深度进行定量表征非常重要。在本研究中, 制备了一系列潜在的第一壁材料B₄C/Mo 涂层, 并采用成像板(IP)和β射线激发X射线(BIXS)法对其表面的氚滞留情况进行了测定。IP 图像表明, 涂层表面吸附的氚含量遵循以下顺序: B₄C>BM15>BM5>Mo。而BIXS结果进一步表明, 对于B₄C涂层, 大部分氚扩散到了涂层内部; 而对于其他三种涂层, 氚仅在其表面发生吸附。扫描电镜(SEM)结果显示, B₄C涂层气孔率最高, 而其他三种涂层尽管气孔率较低, 但其截面仍能观察到大量气孔和微裂纹的存在。涂层中的这些缺陷为氚的吸收和扩散提供了通道, 而气孔与微裂纹的尺寸最终决定了氚在涂层表面的吸附数量。实验结果还表明, 涂层杂质成分Ti的存在也对氚的滞留产生了一定影响。     

磁控溅射MoS2/WS2复合薄膜的工艺与摩擦学性能研究

采用MoS2/WS2复合靶材在不锈钢和硅基片上溅射MoS2/WS2纳米薄膜,通过多次实验,得到溅射MoS2/WS2薄膜的最佳工艺如下:溅射气压4.0Pa,靶基距为70mm,溅射功率为150W,溅射时间为3h.使用X-射线衍射仪,能谱仪,扫描电子显微镜对薄膜的成分和结构进行分析.采用HH-3000薄膜结合强度划痕试验仪,纳米压痕测试系统,UNT-3摩擦磨损试验机对薄膜进行机械性能和摩擦磨损性能分析,结果表明:在大气环境中,WS2/MoS2 复合薄膜摩擦性能要优于纯MoS2薄膜.