GaAs FET振荡器的信号和噪声性能

本文概论砷化镓场效应管作为非线性器件的工作原理,着重论述它作为振荡器元件时的性质。振荡器的性能特性将是研究的重点,还特别注意产生近载波噪声的机理。     

用选择电镀法制作砷化镓场效应晶体管

由于砷化镓场效应晶体管是一种必不可少的微波有源器件,因此为了提高该器件的频率并降低噪声,有必要将其栅长缩短到1微米以下。迄今,实现亚微米栅长的方法既有传统的光刻技术,也提出了自对准等种种方法,我们把电镀法形成微波肖特基势垒二极管的成功经验应用于场效应管的制作上,并对电镀法形成的有源区进行了研究。在此过程中,既考察了选择电镀法对器件制作的适用性,又探索了应用自对准方法制作场效应管的可能性。用选择电镀的优点是片子上面的绝缘膜不用粘附金属,仅在露出砷化镓的窗口粘附金属。其缺点是能镀的金属种类非常有限。     

8-12GHz场效应管压控振荡器

<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源.     

WZ541型砷化镓低调频噪声振荡晶体管

本文报道一种具有新颖“Γ”形栅结构的砷化镓振荡场效应晶体管,它不但具有较低的调频噪声,而且具有相当高的频率稳定度,是微波固态源较为理想的振荡器件。     

一种跨导线性化低相噪压控振荡器

介绍了一种跨导线性化的宽带压控振荡器,由谐振腔电路、偏置电路、可编程电容阵列组成。提出一种通过电容隔直将有源器件进行交叉耦合的谐振腔结构,实现了有源器件的跨导线性化,大幅减小了有源器件自身的固有噪声,改善了压控振荡器的相位噪声特性。通过可编程电容阵列电路,可在压控振荡器内进行频率调节,扩展了振荡频率范围。测试结果表明,压控振荡器的振荡频率覆盖5 400~7 300 MHz,频率覆盖比达26%,在7 300 MHz时,相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz。该压控振荡器可作为高性能频率合成器的核心器件,构成本振信号源,可被广泛应用于无线基站、频谱监测等多种领域。     

具有噪声负反馈的单谐振器砷化镓埸效应管振荡器的分析与设计

本文提出了用作调频噪声负反馈的锁频环内的低噪声介质谐振器砷化镓埸应效管振荡器的一种分析方法。在该电路中,一个谐振器既用作振荡器的频率确定元件,又用作鉴频器的色散元件。该分析结果用来形成一些设计准则。按照这些准则,用实验方法实现了一个X波段电路。在频偏为10千赫和100千赫时,测得的调频噪声分别为-120和-142分贝载频/赫,与预计结果十分相近。     

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。     

微波场效应管在相控天线阵中的应用前景

引言在双极晶体管不能达到的工作频率上具有良好性能的砷化镓肖脱基势垒栅微波场效应管(MFSFET)近十余年所取得的进步,可得出这样的结论:这种几乎是万能的有源器件可以用于任何高频无线电系统〔1〕。当要求器件在3千兆赫以上的频率工作而且要求大量生产时,     

X波段连续输出300～400毫瓦的耿效应二极管

英帝马拉德公司正在研制X波段连续输出300～400毫瓦的耿效应二极管。它是将铜散热器焊接到有源外延层上,而不是象通常那样焊接到砷化镓衬底上。这使器件能够承受大的电流,而不出现过热现象。新器件的关键是焊接技术,砷化镓和铜之间是银锡合金蒸发层和镀金层。砷化镓工艺,8～15伏的工作电压,3～5％的效率都没有改变。该公司认为,这种较大功率的耿效应二极管可使耿效应振荡器成为专用雷达设备中的实用的本机振荡器、二次雷达脉冲收发两用机中的发射机及用于小功率微波无线电通信线路中。     

高可靠X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器

<正> 南京电子器件研究所研制生产的X波段砷化镓场效应管介质谐振器振荡器全部使用国产元器件,其关键的有源器件和高Q介质分别是所内研制生产的WC58型GaAs FET和ZST介质陶瓷。使用的其它元器件从各厂购得。 介质谐振器振荡器自1983年研制生产以来,首先用于8GHz无人值守中继接力系统中作上、下变频器的本振源。在该接力系统中共使用16部介质谐振器振荡器。到1987年底,经过三年多无人值守中继机的现场运行试验和四年多试验室条件下长期工作寿命的可靠性验证试验,以充分的数据证实,该介质谐振器振荡器具有较高的电性能指标和可靠性水平。在现场使用运行试验中,因雷电闪击造成整个无人值守中继站的供电系统发生故障而造成介质谐振     

有源杂波产生器

有源杂波产生器用来模拟敌人的有源干扰,产生的有源杂波用于实验室和雷达站检验雷达接收机对有源杂波的抗干扰性能。要求产生的有源杂波中心频率为60MHz,频带宽度为10MHz。这种干扰信号形式是调频干扰,就是噪声调频干扰。噪声调频干扰是其频率随某一较低频噪声电压而变化的振荡,该振荡的频率与凋制噪声电压 u,(t)成线性关系:W(t)=W_0 K_(fu)(t)式中:K_f——为调频指数,其意为单位噪声电压引起的角频率偏移。噪声调频干扰电压表达式为:     

美国德克萨斯仪器公司推出砷化镓单片微波集成电路样品

美国德克萨斯仪器公司开始销售砷化镓单片微波集成电路(MMIC)和砷化镓场效应管样品.另外也开始数字砷化镓集成电路等研究工作.在微波器件中,德克萨斯仪器公司的单片功率放大器,反馈放大器,低噪声场效应管,功率场效应管都列入了试验项目.1986年第三季度和第四季度开始出售低噪声放大器和VCOMMIC四种产品,1987年第二季度提出2     

砷化镓双栅场效应管及其在微波电路中的应用

本文简述砷化镓双栅场效应管的基本特性及其在放大器、倍频器.混频器、振荡器、移相器和开关等微波电路中的应用.     

砷化镓场效应管超高速逻辑电路

综述了砷化镓场效应管超高速逻辑电路的国外概况。说明了发展砷化镓场效应管超高速逻辑电路的必要性和可能性。介绍了所用的器件结构、电路形式、电路的水平动向及发展这种电路所需的技术。指出了直接耦合场效应管逻辑无论在超高速还是在大规模方面均有发展前途。     

微波砷化鎵功率埸效应管及其电路技术的进展

本文讨论微波砷化镓功率场效应管及其电路技术的最新进展。其内容涉及工作频段直至K波段的器件的最佳结构和最佳设计参数。叙述了混合型砷化镓场效应管功率放大器的宽带匹配网络。这种网络是采用计算机辅助设计方法得出的,利用了从S参数特性推导出,并经修正后用于大信号工作的场效应管等效电路模型。本文还介绍了单片型场效应管功率放大器的设计和性能方面的进展。     

一种X 波段串联反馈介质振荡器的设计

在毫米波通信系统中,振荡器是最基本的微波频率源。本文介绍了一种串联反馈型介质振荡器的设计方法, 基于负阻理论和谐波平衡法,利用HFSS 和ADS 设计了10.5Ghz 的低相位噪声串联反馈型介质振荡器。HFSS 用来精 确仿真介质谐振器与微带线的耦合;ADS 用来对振荡器非线性仿真,优化相位噪声和输出功率。在设计过程中,采 用低噪声PHEMT 晶体管ATF-34143 作为振荡器的有源器件,高Q 值、高介电常数的介质谐振器作为稳频元件,确 定振荡器的谐振频率。     

X波段GaAs单片压控振荡器

<正>本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,     

微波电路用的一种新型元件——介质谐振器

1963年以来,随着半导体,特别是砷化镓应用到千兆赫器件,使微波技术的有源器件实现了小型化.产品采用陶瓷和塑料基片组成的混合电路.目前正在研制独石集成电路.但至今高质量滤波器和高稳定的振荡器还不能解决小型化问题.以前用殷钢合金制作的同轴空腔谐振器,体积大且价格昂贵.本文介绍的介质谐振器经济实惠,可以满足专业应用.     

新的砷化镓体效应二极管振荡器

据讯,美国通用电气公司微波器件生产部门最近生产了一种新的砷化镓体效应二极管及其配用的X波段振荡器微波电路。它们适用于小型雷达和运测研究。Y-2109电子渡越效应二极管及其C-2070微波电路模拟具有低边带噪声和低压运用的特点。它们的工作频率为10.5千兆赫。二极管和振荡器典型的输出功率分别为100毫瓦和50毫瓦。     

HBT电压控制振荡器的相位噪声

研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。