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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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本文报道了D波段单片振荡-倍频链的设计、MMIC制作及测试。该电路用亚微米(0.1μm)InAlAs/InGaAsHEMT制造,且芯片上有稳定偏压电路,一个集成的E场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为130.5GHz至132.8GHz,输入功率为-12dBm,设计的HEMT小栅宽为45μm。这是首次报道的用InP基HEMT制作的D波段单片振荡-倍频链。 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 相似文献
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本文介绍了一种采用0.15μmA1GaAs/InGaAsPM-HEMT技术的低功耗94GHz单片集成共面调频连续波雷达的芯片。此芯片包括VCO、数个GHz的电调范围,发射和接收放大器,混频器和定向耦合器。单片微波集成电路仅8mm^2,在0.7W的直流电能消耗中传输射频功率达10mw。接收机噪音系数为6-7dp,变频增10dB。 相似文献
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概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。 相似文献
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采用分子束外延(MBE)技术,研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料,并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明,较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间,将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为160mA/cm2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器,阈值电流为16nA,外微分量子效率为04mW/mA,激射波长为976±2nm,线性输出功率为100mW。 相似文献
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我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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兆铮 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
140GHz工作的放大IC据《日经》1995年第626期报道,美国TRWInc.的EkctronicsSystemsandTechnologyDivision已制成工作频率140GHz的InAIAs/lnGaAs/InPHEMT两级单片放大IC,可用... 相似文献
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简要介绍了异质结双极晶体管(HBT)的发展现状,对HBT器件性能进行了理论分析,设计并制作了功率HBT器件样品。器件性能达到:fT=40GHz,fmax=32GHz在8GHz工作频率下测量,输出功率为100mW,功率附加效率为31.3%,增益为9.4dB,f0=12GHz,输出功率为23.6mW,增益6.1dB,功率附加效率为23.4%。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据日本《エレクトロニクス》1999年第3期报道,日本NTT公司开发了SOI结构MOSFET,栅长为0.5μm,栅宽为0.8mm,RF特性为2GHz,19dBm,PAE为68%,工作电压为3.6V。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐(Harmonictuning)来提高附加效率和降低输出电容。其RF特性为1.8GHz,0.5W(27dBm),PAE为71%和3.5V的工作电压,已接近GaAs高频器件的性能。SOI结… 相似文献
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使用最佳结构的1.05μmGaAsP势垒层的1.3μmInAsP压应变MQW激光二极管,在90℃时达到了37mW的高输出功率和超过0.55W/A的高斜率效率。 相似文献