低功耗低电源线噪声纳米CMOS全加器

提出一种低功耗低电源线噪声的纳米CMOS全加器。采用电源门控结构的全加器来降低纳米CMOS电路的漏电功耗,改进了传统互补CMOS全加器的求和电路,减少了所需晶体管的数目,并进一步对休眠晶体管的尺寸和全加器的晶体管尺寸进行了联合优化。用Hspice在45nmCMOS工艺下的电路仿真结果表明,改进后的全加器电路在平均功耗时延积、漏电功耗和电源线噪声等方面取得了很好的效果。     

一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析

本文基于一种单电子晶体管数学模型（改进的MIB模型），实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET／CMOS混合器件模型，并用SPICE对其I-V特性进行了仿真验证，仿真结果证实了电流与电压具有线性关系。此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用。     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系.该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,并可以由此出发,研究SET反相器和存储器电路,解决SET/MOS混合电路仿真的问题,对未来单电子电路的研究会有一定的帮助.     

可重构单电子晶体管逻辑的设计与模拟

单电子晶体管以其超小的器件尺寸和极低的功耗,被认为是最有希望代替MOS器件的技术。国内外研究人员已经提出了多种基于单电子晶体管的逻辑结构。本文在分析单电子晶体管体电压效应的基础上,首次提出了基于体电压控制的可重构单电子晶体管逻辑门(RSETLG)。SPICE的模拟结果表明,RSETLG能够以其简单的结构实现多种逻辑功能,具有很高的应用价值。     

基于射频单电子晶体管的超灵敏电荷计的模拟研究

集成单电子晶体管(single electron transistor, SET)与射频共振电路的射频单电子晶体管(radio frequency single electron transistor, RF SET)是一种高速高灵敏的电荷计。本文通过建立RF SET的等效电路模型,对共振电路及其与射频传输线的集成进行模拟分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,获得了所需的谐振频率、品质因子和对SET阻抗的灵敏度。结果表明,受电荷调制的SET阻抗直接影响着共振电路的品质因子、阻抗和射频透射/反射系数。射频信号随着SET的阻抗降低而减小,峰位基本不变。在SET阻抗小于200 k?时,共振信号幅度随阻抗的变化率较大。透射式与反射式两种结构相比,前者共振频率及品质因子更高,后者则具有更高的灵敏度优势。     

室温单电子晶体管制备进展

单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键。室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺。自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题。在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点。     

基于混合SET/MOSFET的比较器

基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比较器电路结构.该比较器有以下优点:利用双栅极SET和MOSFET构成逻辑块使电路结构大为简化;减少了管子的数日;电压兼容性好,驱动性能高;输入和输出高低电平都接近于1V和0V;静态总功耗低,为nW级.仿真结果验证了它的正确性.     

基于射频单电子晶体管的超灵敏电荷计的数值分析

集成单电子晶体管SET（Single Electron Transistor）与射频共振电路的射频单电子晶体管RF SET（Radio Frequency Single Electron Transistor）是一种高速高灵敏的电荷计。通过建立RF SET的等效电路模型,对共振电路及其与射频传输线的集成进行模拟分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,获得了所需的谐振频率、品质因子和对SET阻抗的灵敏度。结果表明,受电荷调制的SET阻抗直接影响着共振电路的品质因子、阻抗和射频透射/反射系数。射频信号随着SET的阻抗降低而减小,峰位基本不变。在SET阻抗小于200 kΩ时,共振信号幅度随阻抗的变化率较大。透射式与反射式两种结构相比,前者共振频率及品质因子更高,后者则具有更高的灵敏度优势。     

晶体管反向击穿电压测试附加器

晶体管反向击穿电压的测量是电子爱好者感到比较困难的一件事,常用的JT-1型晶体管特性图示代也只能测到200V,不能测量高反压晶体管。本文介绍一种晶体管反向击穿电压测试附加器,配合500型等万用表使用,测量范围为0～1000V,可满足一般测量要求。     

双栅场效应晶体管及其应用

本文介绍双栅ＭＯＳ场效应晶体管的工作原理与特性，并给出了它在调制和解调等电路中的一些典型应用举例。