碲锌镉籽晶定向熔接技术研究

应用CdZnTe晶体作为衬底材料时,其晶向非常关键。CdZnTe晶体籽晶引晶定向生长技术能够有效提高晶体利用率。但是,受碲锌镉晶体生长方法限制,CdZnTe籽晶引晶技术成功率并不高。本文即通过一系列实验研究了籽晶熔接过程升温方式以及籽晶晶向对碲锌镉籽晶熔接成功率的影响,并确定了升温方式是籽晶熔接的关键工艺所在。后续籽晶引晶生长晶向能否持续与籽晶选择晶向有关。通过显著提升初始熔体过热度可以促进<111>籽晶引晶晶向的保持。     

InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化

为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置.该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污.通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试.测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm2/(V·s)和4 600 cm2/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×1015 cm-3和4×1015 cm-3.通过该装置及工艺处理的籽晶,表面被处理得彻底、无沾污,容易生长出电学参数优异的晶体.     

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。     

有机非线性光学晶体DAST籽晶表面研究

采用籽晶法可获得大尺寸、高质量的4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体,而DAST籽晶的表面质量直接影响晶体质量。采用自制DAST源粉,通过溶液降温法自发成核生长DAST籽晶,并对其表面进行了研究。采用红外光谱对DAST源粉进行测试发现,DAST晶体有一定的吸水性。微分干涉显微镜及原子力显微镜(AFM)检测DAST籽晶表面形貌,结果表明,DAST籽晶表面存在凹坑、生长台阶等缺陷。     

籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响

空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。     

激光器单晶的制法

通常制造激光器用晶体的方法是在籽晶中添加少量特定物质以产生所需要的激光性能。当添加物质A置换籽晶中的原子B时,在添加原于A和籽晶中被换去的原子B大小差不多的情况下问题不大。但是添加原子如大于或小于某一范围便发生问题。即在晶体生长时,原子的大小不同,难以把原料中添加物以相同的浓度加于籽晶。这是由于大小不同的原子掺入,晶格产生畸变(一般称为分凝现象)所致。在分凝情况下,晶体中添加物浓度不均匀。为了增大晶体中添加物浓度而要增加原料中的添加物浓度,但往往添加物析出到晶体内部。即使增加添加物浓度有可能进一步提高激光性能,但是有时又会受析出物的影响而得不到好的激光器件。     

SPK1基因转染对大鼠骨髓间充质干细胞的影响

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

异型籽晶DKDP晶体的激光损伤

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素.该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分Ⅱ类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验.结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期.     

关于提高Φ250型高压釜单位产量的探讨

本文主要研究提高Φ２５０型高压釜单位产量，通过改进籽晶架，挡板开孔率，籽晶的固定形式及加热功率的分布，合理配置高压釜，充分利用高压釜的有效空间，改进工艺参数，提高晶体的生长速率，降低生长周期，提高压电晶体的单釜产量。     

空间生长的GaAs单晶的结构特性观察

为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在     

高纯ZnWO_4晶体的生长

用提拉法生长了ZnWO_4单晶,研究了晶体生长条件对晶体中杂质浓度的影响。晶体颜色对杂质很敏感,尤其对铁杂质特别敏感。生长过程中,通过界面加一电场可以改变铁的有效分凝系数。用籽晶作阳极可以减小分凝系数,从而可以得到高纯度的几乎无色的ZnWO_4单晶。     

CdS籽晶扩大技术北大核心

采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶体区域具有和初始籽晶相同的晶向,而且低温差利于获得更大的单晶扩展面积。当温差为5℃时,扩展出的CdS单晶的X射线衍射半高宽(FWHM)较小、红外透过率较高且腐蚀位错密度较低,表明此时晶体的质量较好;当温差增大为10℃和15℃时,蒸气过饱和度高、晶体生长速率大,导致晶体质量变差;当温差减小为2℃时,晶体生长驱动力不足,这容易形成不稳定的生长界面并导致晶体质量下降。     

大尺寸Nd：YAG晶体生长技术

本文介绍了大尺寸Nd:YAG晶体的生长装置及其温场的温度分布和测量方法;通过晶体生长实验,获得了生长大尺寸晶体的合适温场。用<111>方向的YAG籽晶作种子,中频感应加热提拉法已生长出φ60～65×190mm,重3500g的Nd:YAG晶体,文中指出了生长大尺寸Nd:YAG晶体的技术关键及其解决的途径。     

4英寸X轴铌酸锂晶体生长

本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体,分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。得出了通过建立较小的径向温度梯度,合适的轴向温场;选用优质籽晶;采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。     

PVT法同质籽晶AlN晶体生长

为了获得高质量AlN晶体,通过物理气相传输(PVT)法,采用AlN籽晶进行AlN晶体生长,并通过双温区加热装置对衬底与原料之间的温差进行调节。研究结果表明,籽晶形核阶段,随着AlN籽晶与原料顶温差的减小,AlN的形核机制呈现三种模式,分别为岛生长模式、畴生长模式和螺旋位错生长模式;晶体生长阶段,通过增加AlN籽晶与原料顶温差来提高晶体生长速率,采用10℃/h的变温速率将温差从10℃增加为30℃时,AlN晶体生长模式不变,仍然保持螺旋位错生长模式,该生长模式下获得的AlN晶体结晶质量最高,(0002)面摇摆曲线半峰宽(FWHM)约为55 arcsec。     

大面积均匀掺杂TGS晶体的生长

应用旋转盘方法生长了以大面积(010)晶面为籽晶的1-丙氨酸掺杂TGS晶体。改装普通的水溶液装置,使能在适当的流动条件下进行(010)晶面上的稳定生长,得到的晶体是高质量的,没有从籽晶繁衍下来的缺陷,通过缀饰和偏压场测量证明,由于均匀掺杂,改善了电性能。这些优点对热释电成象器件的应用特别重要。本文介绍选用的装置和晶体的生长,并讨论这种方法的优点。     

用籽晶汽相生长CdTe大单晶

本文叙述了一种生长CdTe(～18cm~3)大单晶的方法,这种方法是用籽晶通过汽相淀积法按常规生长晶体。在(111)面上观测到了外延生长,但在(111)面上未观测到。     

国外资料索引

用引上法生长Ba_2LiNb_5O_(15)单晶,它可用在光学数据贮存系统中Nd:YAG激光的倍频。并且测量了晶体透射率,相位匹配数据,非线性光学系数和光学损伤。190 HO:YLF激光材料本计划研制多敏化Ho:YLF作为Q开关激光材料。这是唯一工作在2微米的室温激光器材料。这种晶体用一种引上法改进的顶籽晶溶液技术生长。     

温度起伏对ZnO纳米晶体形貌的影响

用退火法在玻璃衬底上生长ZnO籽晶,然后将衬底置于醋酸锌和六亚甲基四胺溶液中,分别对溶液温度和物质的量浓度进行调控,生长了棒状、片状和菊花状等多种形态的纳米晶体.采用X射线衍射仪分析了纳米晶体的结构及择优生长和排列特征,用扫描电子显微镜观察了纳米晶体的形貌,研究了生长温度的起伏和溶液物质的量浓度的变化对ZnO纳米晶体形态的影响.结果表明,ZnO纳米晶体生长过程中溶液物质的量浓度的变化对纳米晶体形态的影响很小,而温度的起伏对纳米晶体的形态起到了至关重要的作用.     

高质量人造石英晶体的生产（I）

评述了高质量人造石英晶体生产的动态以及晶体中的缺陷，如籽晶罩、包裹体、位错、腐蚀隧道及杂质等。电清洗技术能有效地排除杂质和减少腐蚀隧道密度。简要介绍了人造石英晶体的应用。