溶胶—凝胶法制备PCT铁电陶瓷

本文报导了通过溶胶－凝胶法制备Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３（ｘ＝０．１￣０．３）铁电陶瓷原料粉末，所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺ＣａＯ量对晶体结构和烧结温度的影响。在ＰＣＴ晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过１０００￣１２００℃的烧结过程，所得ＰＴＣ陶瓷可达理论密度的８８￣９４％。     

溶胶—凝胶法制备PCT铁电陶瓷

本文报导了通过溶胶—凝胶法制备Ｐｂ_（１－ｘ）ＣａｘＴｉＯ_３（ｘ＝０．１～０．３）铁电陶瓷原料粉末，所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺ＣａＯ量对晶体结构和烧结温度的影响。在ＰＣＴ晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过１０００～１２００℃的烧结过程，所得ＰＣＴ陶瓷可达理论密度的８８～９４％。     

交流测试电场对PMZNT驰豫铁电陶瓷介电性能的影响

考虑了不同交流测试电场对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ系驰豫铁电陶瓷介电性能的影响。     

Sol-gel法制备铁电陶瓷厚膜的研究

综述了基于Sol-gel技术的铁电陶瓷厚膜的制备方法.分别从溶胶、热处理工艺和成膜技术等3个方面详述了粉末溶胶法、添加有机物溶胶法等改进的溶胶法,一步烧结法、快速成膜法等改进的热处理工艺法以及界面聚合术等新型的成膜技术,讨论了这些制备陶瓷厚膜方法的优缺点,并对基于Sol-gel技术陶瓷厚膜的制备这一研究领域进行了展望.     

晶粒可控钛酸钡致密陶瓷的制备及表征

采用超重力反应沉淀法制备的纳米钛酸钡粉体和常规陶瓷工艺,通过控制烧结温度在 1200 ~1300℃,分别制备了晶粒尺寸 0.45~2.2μm的致密陶瓷。实验结果表明超重力反应沉淀法制备的粉体具有良好的烧结和介电性能。烧结温度为 1200℃时,相对密度即可达到95%,晶粒尺寸为 0.45μm,随烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,未出现晶粒的异常长大现象,到1300℃相对密度和晶粒尺寸分别达到 97.7%和2.2μm。钛酸钡陶瓷介电性能有明显的粒度效应,晶粒在1.2μm左右时,室温介电常数达到最大(4143)。由于晶粒内部立方相成分的出现,包含更细晶粒的陶瓷(d=0.45μm)呈现低的介电常数。     

BST铁电薄膜的制备及其性能的研究进展

Ba1-xSrxTiO3铁电薄膜具有优良的介电性、铁电性、热释电性,得到了广泛的研究,近年来取得了很多进展.简介了BST材料的结构,并综述了BST薄膜的制备方法及BST薄膜的性能测试和影响铁电性能的几个因素.     

PZT95/5铁电陶瓷的掺杂改性研究

采用固相烧结法制备锆钛酸铅95/5(PZT95/5)材料,以“相同化合价,不同原子半径;相近原子半径,不同化合价”的原则,选择了碱金属族、碱土金属族元素的碳酸盐以及Fe₂O₃、SiO₂、Nb₂O₅、WO₃等作为掺杂物分别对其进行掺杂改性.研究了掺杂对材料介电性能、极化性能和低温-高温铁电相的相变温度的影响.发现受主掺杂使得材料的介电常数降低,施主掺杂使得材料的介电常数提高;剩余极化随着掺杂离子的化合价增大而增大;制备得到了低温-高温铁电相相变在15℃的铁电材料,在实际应用上有重要意义.     

钛酸钡铁电陶瓷和薄膜的溶胶凝胶法制备及表征

本文通过对近年来有关利用溶胶凝胶法制备钛酸钡陶瓷材料研究的总结，对制造钛酸钡陶瓷和薄膜的原材料以及工艺过程给予了比较详细地分析和总结，并讨论了有关钛酸钡陶瓷和薄膜的表征问题。     

交流测试电场对PMZNT弛豫铁电陶瓷介电性能的影响

考察了不同交流测试电场对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ系弛豫铁电陶瓷介电性能的影响。测试结果表明，交流测试电场的增大导致介电常数最大值对应的温度Ｔｍａｘ下降，同时介电常数在Ｔｍａｘ附近及低于Ｔｍａｘ温度以下增大。并应用冻结偶极子、慢偶极子的概念对实验结果进行了定性分析。     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

综述了低介微波陶瓷中MgTiO3-CaTiO3系、Ba(X,Y)O3系、AWO4系、Zr2SiO4系材料的最新研究进展,总结了添加剂对低介微波介质陶瓷的烧成及介电性能的影响.对低介微波陶瓷的不足和今后的发展方向进行了展望.     

改进的sol-gel工艺制备细晶Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷及其介电性能的研究

用改进的sol-gel工艺制备了细晶钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷块体,研究了BST陶瓷的结晶与介电性能.在这种改进sol-gel的工艺中,用传统的固相反应煅烧形成BST粉体,经高能球磨制备BST纳米陶瓷粉体,再将一定质量的纳米粉体加入到相同化学组成的BST的溶胶液中,经普球球磨12h后,制备成悬浮性好,分散均匀的浆料.浆料可用来制备BST陶瓷,并在1200℃保温2h烧结成瓷,结果显示,BST陶瓷块体结构致密,晶粒尺寸在0.15～2μm之间.分析了样品的介电性能和晶粒尺寸对材料介电性能的影响.介电温谱显示,在0℃,100kHz时,相对介电常数为2500,介电损耗为0.02;并且存在明显的弥散相变.     

钙钛矿型低铅压电陶瓷的制备与性能研究

采用传统陶瓷工艺制备了钙钛矿型低铅压电陶瓷xPbTi0.4716Zr0.4834（Mn1/3Sb2/3）0.0450O3-（1-x）（K0.485Na0.485Li0.03）NbO3[xPMS-（1-x）KNLN],研究了该陶瓷体系的结构和介电、压电与铁电性能以及这些结构和性能与工艺条件的关系。XRD分析表明,随着烧结温度的升高,陶瓷晶相由焦绿石相与赝立方钙钛矿相共存转变为单一的四方钙钛矿相;SEM分析表明,在烧结过程中产生了以（K0.485Na0.485Li0.03）NbO3组分为主的液相,并在烧结温度提高的过程中产生孔洞出现-孔洞消失的现象;电学测试表明,xPMS-（1-x）KNLN陶瓷具有良好的性能,在x=0.75、烧结温度为1250℃时,陶瓷的性能参数为压电常数d33=182pC/N,机电耦合系数kp=34.5%,居里温度TC=165℃,剩余极化强度Pr=21.2μC/cm2,矫顽场强Ec=1.47kV/mm,介电常数εr=1879,介电损耗tanδ=0.92%。     

BaTiO3陶瓷的低温冷烧结制备及性能研究

近年来, 冷烧结低温制备陶瓷引起了很大关注, 并在BaTiO₃陶瓷的制备上取得了一定进展。为了提高冷烧结BaTiO₃陶瓷性能, 本研究采用水热法制备了分散性好、粒径为100 nm的四方相(晶格参数c/a为1.0085) BaTiO₃粉末。采用0.1 mol/L的乙酸在100 ℃/1 h的条件下对粉末进行水热活化处理。以质量分数10% Ba(OH)₂·8H₂O为熔剂, 在350 MPa、400 ℃/1 h的条件下对粉体进行冷烧结, 最后经600 ℃/0.5 h退火获得了相对密度为96.62%、晶粒尺寸为180 nm, 常温介电(ε_r)为2836, 介电损耗(tanδ)低至0.03的BaTiO₃陶瓷。乙酸处理后高活性粉末表面形成的非晶钛层有效促进了陶瓷的致密化, 抑制了杂相的生成和晶粒长大, 提高了介电性能, 大幅改善了冷烧结BaTiO₃陶瓷出现的介电弥散现象, 从而实现了BaTiO₃陶瓷的低温冷烧结制备。     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。     

(1-x)BiScO3-xPbTiO3铁电陶瓷的结构稳定性和电学性能研究

采用传统固相法制备了(1-x)BiScO3-xPbTiO3(BSPT)(x=0.58～0.66)铁电陶瓷.经XRD分析发现,BSPT体系三方相和四方相的准同型相界(MPB)在x=0.62附近.在准同型相界附近x=0.62处BSPT陶瓷的压电常数d33和平面机电耦合系数kp具有极大值,但机械品质因素Qm却最小.对BSPT体系及其它钙钛矿型ABO3化合物的结构稳定性进行了讨论,发现容差因子t和离子键百分比p可作为判定钙钛矿结构形成难易程度的基本参数,容差因子t越接近1且离子键百分比p越大的化合物,越容易合成稳定的钙钛矿结构.     

Preparation and characterization of ZrB 2 -SiC ultra-high temperature ceramics by microwave sintering

ZrB₂-SiC ultra-high temperature ceramic composites reinforced by nano-SiC whiskers and SiC particles were prepared by microwave sintering at 1850°C. XRD and SEM techniques were used to characterize the sintered samples. It was found that microwave sintering can promote the densification of the composites at lower temperatures. The addition of SiC also improved the densification of ZrB₂-SiC composites and almost fully dense ZrB₂-SiC composites were obtained when the amount of SiC increased up to 30vol.%. Flexural strength and fracture toughness of the ZrB₂-SiC composites were also enhanced; the maximum strength and toughness reached 625 MPa and 7.18 MPa·m^1/2, respectively.     

Investigation of ferroelectric properties on nanocrystalline barium titanate ceramics

Dense nanocrystalline BaTiO₃ (BT) ceramics with 50 nm average grain size obtained by spark plasma sintering were investigated. The dielectric data showed a ferropara phase transition with a maximum permittivity of 1,602 at 120°C and at 1 kHz. The polarization reversal characteristics were measured, and the typical piezoelectric hysteresis loop was recorded. The asymmetry of permanent polarization and coercive field in polarization-electric field curves were obtained and attributed to the existence of an internal electric field. The present results provide experimental evidence, indicating that if a critical grain size exists for ferroelectricity, then it is less than 50 nm for polycrystalline BT ceramics.     

基于伴生稀土高岭土制备致密堇青石陶瓷的研究

堇青石具有优良的力学性能,主要用于耐火材料等领域。本研究以天然高岭土矿物粉末为原料,通过成分调整并采用固相烧结法制备了高性能的堇青石陶瓷,利用气孔率、XRD、SEM、维氏硬度、抗弯强度等分析测试方法对堇青石结构和性能进行了表征。研究表明:堇青石陶瓷配比为伴生稀土高岭土80.2wt.%、氧化铝7.6wt.%和氧化镁12.2wt.%,当烧结温度由1 100 ℃提升至1 250 ℃,且原料粒度由100目降至300目,样品中堇青石相含量增加到96.6%,体积密度达到2.51 g/cm³、致密度高达99.8%,维氏硬度上升至11.56 GPa,抗弯强度达到127 MPa,经3次热震循环后,材料的抗弯强度达到150 MPa。综合堇青石材料对硬度、抗弯强度与抗热震性能的要求,其最佳烧结温度为1 200 ℃,且原料粒度越小,堇青石结构与性能越好。     

A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究

用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.