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以联苯四酸二酐(BPDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,利用溶液缩聚法制备聚酰亚胺(PI)绝缘膜,采用XRD、SEM、FT-IR对不同热亚胺化温度合成的PI薄膜结构和表面形貌进行了表征,利用超高阻微电流测试仪测试了热亚胺化温度和粉体含量对PI绝缘膜击穿场强的影响。结果表明,在真空度为1.0×10-2Pa条件下,300℃热亚胺化1h,聚酰亚胺酸(PAA)薄膜完全被热亚胺化,制备的PI绝缘膜内部结构致密;当BPDA和ODA的粉体含量为5%时,PI绝缘膜击穿场强高达2.15MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能。 相似文献
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日东电气工业公司用聚酰亚胺树脂生产出一种透明薄膜,这种透明薄膜可长期耐高温,并有很高的耐磨性和耐化学品性。这种薄膜的生产方法是,将芳族四羧酸酐与芳族二胺聚合,制得高粘度的聚酰亚胺原料,然后把它涂敷在不锈钢等基体材料上形成薄膜。虽然传统的聚酰亚胺薄膜是褐色的,但是该公司采用先进的分子设计技术,成功地使两种透明的、具有高度耐湿性和耐化学品 相似文献
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利用数字散斑相关方法计算在不同温度下聚酰亚胺无机纳米杂化膜的变形量,并以此计算出聚酰亚胺无机纳米杂化膜的热膨胀系数。实验中同时测量了掺杂有不同浓度粘土、云母和二氧化硅类无机物的聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数,并对实验结果进行了分析。 相似文献
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以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI薄膜绝缘性能的影响。分别使用红外光谱、俄歇能谱、扫描电镜、原子力显微镜对薄膜成分以及薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了PI复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性。结果表明:热亚胺化300℃/1 h真空(1.0×10-2Pa)处理后的PI绝缘膜内部结构致密,当场强为8.0MV/cm时漏电流密仅为8.2×10-5A/cm2;薄膜击穿场强达到8.42MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能以及热稳定性。 相似文献
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日本宇部兴产公司新近开发成功一种新型的聚酰亚胺薄膜,商品名“ュ-ピレツクス”。据报道,该产品某些性能超过均酐型聚酰亚胺,已于1983年上市销售。以下对其制法、性能、用途等进行介绍。一、制法ュ-ピレツクス薄膜与Kapton薄膜(均苯型聚酰亚胺)一样,都是缩聚型的全芳香族聚酰亚胺,但两者的结构不同,且制法也有本质上的差别。Kapton是以均苯四甲酸二酐(PMDA)为原料,而ュ-ピレツクス 相似文献
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几种共聚型聚酰亚胺薄膜的摩擦学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多年来,对共聚型聚酰亚胺薄膜的摩擦学研究报道较少,为了对其摩擦学应用提供试验依据,以均苯四甲酸酐、邻苯二胺、间苯二胺和对苯二胺为原料,利用具有不同组成的2种二胺的混合溶液与以均苯四甲酸酐进行反应,通过2步法在玻璃表面制备了共聚型聚酰亚胺薄膜.采用热分析仪考察了聚酰亚胺薄膜的热稳定性,用DF-PM型动静摩擦因数精密测定装置考察了其摩擦学性能.结果表明,由邻苯二胺以及邻苯二胺含量较高的混合溶液与以均苯四甲酸酐反应得到的聚酰亚胺薄膜的摩擦学性能明显优于由其他物质制成的聚酰亚胺的性能. 相似文献
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聚酰亚胺薄膜的制备及其摩擦学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过浸渍得到了聚酰胺酸薄膜,采用适当的方法对薄膜进行处理之后再进行热亚胺化得到聚酰亚胺薄膜.用DF-PM型动静摩擦系数精密测定装置考察所得到的聚酰亚胺薄膜的摩擦学性能.用SEM考察了聚酰亚胺薄膜的磨痕形貌和对偶Si3N4陶瓷球表面的转移膜的形貌.结果表明,聚酰亚胺薄膜在与Si3N4陶瓷球对磨时,由于在摩擦过程中,聚酰亚胺能够在对偶面上形成均匀的并且低剪切强度的转移薄膜,因此表现出了优异的减摩与抗磨性能.聚酰亚胺薄膜的摩擦和磨损行为主要取决于薄膜的制备条件. 相似文献
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为确保电子设备的正常运行和安全工作,围绕电子元器件热管理的研究近年来热度持续升高,聚酰亚胺(PI)作为基材生产的石墨膜是一种重要的导热材料,且能通过掺杂改性提高石墨膜的导热性能。而相较于固体导热填料,离子液体与聚酰亚胺基体的相容性更好,已常见于气体分离膜、无色聚酰亚胺(CPI)等应用。以4,4′-二氨基苯酰替苯胺(DABA)与3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐(BPDA)作为单体,利用1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐(IL)这一具有多个氢键位点的IL对PI薄膜进行改性,而后通过石墨化制备得高导热石墨膜。研究结果表明,IL含量为5.0%(质量分数)时,石墨膜晶粒尺寸为78.417 nm,石墨化程度达88%,导热系数达770 W/m·K,为纯PI基石墨膜的1.53倍。 相似文献
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石墨材料具有密度低、热膨胀系数低和热导率较高等优点,是近年来最具有发展前景的导热材料。主要综述了聚酰亚胺薄膜制备高导热新型柔性石墨膜的研究进展,并结合笔者的研究对形成石墨膜过程中存在的问题进行了简要分析。在此基础上着重综述了碳化和石墨化过程中化学结构的变化,薄膜由无序堆积结构转变成类石墨结构,其导电和导热性显著提高。综述了温度变化导致结构变化,从而对薄膜导电导热型产生影响的研究进展。这种新型薄膜在电子封装和国防工业等诸多领域都有极大的应用前景,薄膜对于该领域的前景和发展都具有重要的科学意义和应用价值。 相似文献
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吴鹏李忠伦余智刘鹏波 《高分子材料科学与工程》2018,(3):132-137
利用非溶剂诱导相分离法,制备了一种低介电常数聚酰亚胺(PI)微孔薄膜。扫描电镜观察表明,聚酰亚胺微孔薄膜中泡孔均匀,其平均孔径在6~28μm之间。随着聚酰胺酸(PAA)浓度的增大及凝固浴温度的升高,所制得的聚酰亚胺微孔薄膜的孔隙率和平均孔径均增大。介电性能分析表明,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数明显下降,当孔隙率为80%时,聚酰亚胺微孔膜的介电常数(1 MHz)为1.81。拉伸性能测试表明,随着孔隙率增加,聚酰亚胺微孔膜的拉伸强度和拉伸模量均逐渐下降,但断裂伸长率增大。 相似文献
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利用非溶剂诱导相分离法,制备了一种低介电常数聚酰亚胺(PI)微孔薄膜。扫描电镜观察表明,聚酰亚胺微孔薄膜中泡孔均匀,其平均孔径在6~28μm之间。随着聚酰胺酸(PAA)浓度的增大及凝固浴温度的升高,所制得的聚酰亚胺微孔薄膜的孔隙率和平均孔径均增大。介电性能分析表明,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数明显下降,当孔隙率为80%时,聚酰亚胺微孔膜的介电常数(1 MHz)为1.81。拉伸性能测试表明,随着孔隙率增加,聚酰亚胺微孔膜的拉伸强度和拉伸模量均逐渐下降,但断裂伸长率增大。 相似文献
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以对苯二胺(PDA)和联苯四甲酸二酐(BPDA)为单体,合成了聚酰亚胺前驱体——聚酰胺酸溶液。采用溶液共混法将氧化石墨烯与聚酰胺酸复合,经制膜和热酰亚胺化反应制备了石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜。用红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对复合材料的结构和形态进行了分析。发现被还原的氧化石墨烯已经充分剥离并均匀分散在聚酰亚胺基体中,且与基体树脂结合紧密。力学性能测试表明,石墨烯的加入明显改善了聚酰亚胺的拉伸强度,当石墨烯含量为2%时,复合材料的拉伸强度提高了53%。热失重分析发现,复合薄膜的热稳定性也得到明显改善,相对于纯的聚酰亚胺,添加2%石墨烯的复合材料其热降解温度提高了10℃。 相似文献
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通过静电纺丝的方法制备了单轴取向的聚酰亚胺(PI)纳米纤维膜,并且采用不同环化温度的纳米纤维膜与聚酰亚胺基体进行复合,制备了一种PI纳米纤维增强PI复合薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)研究了纳米纤维的取向情况,以及纳米纤维膜与其基体的界面粘接情况;采用红外光谱对不同热处理温度PI纳米纤维膜的亚胺化程度进行了表征;并对复合薄膜的力学性能进行了表征。结果表明:通过提高滚筒转速可以得到高度取向结构的纳米纤维膜;纳米纤维膜的环化程度随热处理温度升高而提高;纳米纤维的亚胺化程度越低,其与基体之间的界面粘接性越好,复合薄膜的力学性能越佳。 相似文献
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溶胶-凝胶法是目前广泛被采用的制备聚酰亚胺/2氧化硅杂化膜的方法,此法通常是由PI的前驱体(如聚酰胺酸)和经水解缩合而成的二氧化硅溶胶制得。该方法制备的杂化膜普遍存在二氧化硅粒径较大且由于水的参与造成前驱体的稳定性偏低等缺点。本文以工业硅溶胶为硅源,首先制备了无水二氧化硅N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)分散液,再以均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4,-二氨基二苯醚(0DA)为原料,采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/纳米二氧化硅杂化膜,此方法克服了溶胶-凝胶法的缺点。利用FT-IR、SEM等手段对杂化膜的化学结构和形态进行了表征,证实杂化膜的热亚胺化较为完全,SiO2粒子以纳米尺度均匀地分布于聚酰亚胺基体中。动态力学分析表明随着二氧化硅含量的增加,杂化膜的Tg随之升高。另外,杂化膜的力学性能也有了很大改善。 相似文献
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以4-苯乙炔苯酐和γ-氨丙基三乙氧基硅烷为原料,设计并合成新型耐热硅烷偶联剂-3-[(4-苯基乙炔基)邻苯二甲酰亚胺基]丙基三乙氧基硅烷(PEIPTES),并通过13C NMR和FT-IR对产物进行了表征.PEIPTES能溶解在DMF、DMSo等有机溶剂中,并具有较好的耐热性能,氮气中热失重10%的温度为532℃.由于PEIPTES的特殊分子结构,既能与无机相形成化学键,又与聚酰亚胺具有较好的相容性,因此通过PEIPTES对SiO2前驱体的原位改性,将PEIPTES应用到聚酰亚胺杂化膜中,制备无机相以纳米尺度均匀分散的聚酰亚胺杂化膜. 相似文献