我国开发出可制备有机小分子单晶纳米线的新技术

据报道,中科院化学所光化学院的研究人员开发了一种吸附剂辅助的物理气相沉积技术,将色谱用的吸附剂引入气相沉积体系,从而显著改善了有机纳米材料的结晶性和尺寸均匀性。此方法已经被证明是一种制     

单晶六硼化镧的制备及主要应用

六硼化镧（LaB6）是一种理想的阴极材料。介绍了LaB6单晶的制备方法及晶体结构特征，讨论了LaB6晶体在摘要热阴极和场发射阵列阴极方面的性能及应用情况。     

热处理对氧化锌纳米线场发射特性的影响

用场发射显微镜研究了在钨针尖上生长的氧化锌纳米线的场发射性能,得到了氧化锌纳米线的场发射像及场发射电流与电压关系,并讨论了氧化锌纳米线场发射像的形成原因和不同热处理条件对其场发射性能的影响,给出了氧化锌纳米线比较合适的热处理温度.     

ZnO纳米线的制备及场发射特性的研究进展

从ZnO纳米线的生长机制出发,重点讨论了催化剂在制备过程中的作用,比较了采用VLS和VS不同机制生长ZnO纳米线的优缺点,并结合二者特点发现采用金属自催化将是制备高质量ZnO纳米线阵列的一种有效方法.分析了几种有利于提高其场发射性能的后处理方法,经过适当的后处理ZnO纳米线晶体的结构将更加完善,场发射开启场、阈值场将进一步降低,电流密度和场增强因子也将随之大大提高.     

多孔阳极氧化铝模板法交流电沉积单晶镍纳米线阵负

一维纳米材料在光学、电学、磁学等领域有着广阔的应用前景。采用二次阳极氧化法,结合逐级降压法制备了多孔阳极氧化铝（AAO）模板,然后在其上交流电沉积了单晶镍纳米线阵列。利用SEM,XRD,TEM等对镍纳米线阵列的形貌和结构进行了表征,探讨了沉积效果与沉积电流密度一时间曲线和稳定沉积电流密度大小之间的关系。结果表明：沉积电...     

氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究

以NaOH和Bi(NO3)3·5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间.通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力.     

栅极调制纳米线的场发射特性

建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响.结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因子就越大,且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加;而当栅极电压等于零(或接近于零)时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著,栅孔半径越大,电场增强因子反而越大;电流密度在纳米线顶端边缘处最大,而且随着栅极电压的增加而呈指数增加.     

日本合成尖晶石单晶LiMn2O4纳米线

日本产业技术综合研究所成功合成用作高速充放电锂离子电池（LIB）正极材料的尖晶石单晶锰酸锂（LiMn2O4）纳米线。目前,市售的LIB随着充放电率（电池全容量充放电速度）的增加,容量大幅减小。若正极材料使用纳米线,则即使充放电率增加,仍能维持较高的放电容量。     

金属钨纳米线阵列的制备

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿〈111〉方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30μm.     

微乳水热法制备单晶BaCO3纳米线

利用反相胶束结合溶剂热法制备了BaCO3单晶纳米线。该方法中,油酸／正辛烷／水体系中的反相胶柬起到模板作用,引导BaCO3沿一维方向生长,通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、投射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HRTEM）对BaCO3纳米线进行了表征,结果表明,所制备的BaCO3纳米线为均匀的直线形单晶纳米线,直径为80～200nm,长度为几百纳米到几微米。对BaCO3纳米线的形成机理进行了分析。     

水热合成单晶La1-xCaxMnO3系列纳米线

采用水热法,成功地合成了一系列单晶La1-xCaxMnO3(x=0．3、0．5、0．75)纳米线．X射线衍射(XRD)的结果表明所制备的样品是纯的La1-xCaxMnO3正交相(x=0．3、0．5、0．75)纳米线．透射电子显微镜(TEM)的照片清晰地显示所制备的样品是由大量直径均匀(约90nm)、长度从几微米至几十微米的La1-xCaxMnO3的单晶纳米线构成．La0．5Ca0．5MnO3纳米线清晰的高分辨电子显微镜(HRTEM)的图片表明纳米线的表面是光滑的,没有任何缺陷且La0．5Ca0．5MnO3纳米线沿<100>方向生长．La0．5Ca0．5MnO3纳米线磁测量的结果表明相对于块材来说纳米线的Tc有明显地提高,这是由于晶胞收缩和形状各向异性所致．     

定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进

本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且根据Fowler-Nordheim曲线斜率的变化,估算出纳米线阵列的功函数从3.6 eV降到了2.2 eV.     

单晶铋纳米线阵列的可控生长

采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.     

不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响

首先在400℃的干燥空气(流量为500?sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线, 随后, 采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能, 并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明: 水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大, 在500 sccm空气流量条件下, 通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比, 其密度明显增大, 场发射性能提升, 其开启场强约为3.7 V/μm, 明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm); 此外, 制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势, 并且, 在通入水汽流量为3000 sccm时, 获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能, 其开启场强低至1.4 V/μm。     

钨晶须/纳米线结构表征及性能研究进展

综述了钨晶须/纳米线的场发射性能、光电性能、力学性能等方面的研究,介绍了钨晶须/纳米线的制备方法,分析了不同制备方法下钨晶须/纳米线的结构特点及性能,指出了当前钨晶须/纳米线研究面临的问题,并展望了其应用前景。     

钴纳米线填充(12，0)硼氮纳米管的电子结构与磁性

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了密排六方结构的Co₁₀纳米线填充（12,0）硼氮纳米管（BNNT）的结构稳定性、电子性质和磁性质。完全弛豫后的Co₁₀/BNNT（12,0）复合体系,外围的BNNT沿着Co₁₀纳米线的三重旋转对称轴变成了近似正三角形的结构。复合体系Co₁₀/BNNT（12,0）的形成是自发地放热过程。电荷由Co₁₀纳米线转移到BNNT上。Co₁₀纳米线最外层的Co原子与其近邻的N原子形成的Co-N键具有极性共价键特征。Co₁₀纳米线封装入BNNT后,其平均磁矩有所减小,但相对于纯BNNT,Co₁₀/BNNT（12,0）体系具有较大的磁矩值。同时复合体系Co₁₀/BNNT（12,0）表现出明显的半金属特征。因此这种稳定的纳米复合体系在高密度磁数据记录设备及自旋电子学器件等方面具有重要的应用价值。     

科学家造全球最小纳米线锂电池

由美国Sandia和Los Alamos国家实验室联合组建的综合纳米技术中心（CINT）日前宣布,他们在电子显微镜下造出了全球最小的电池,其阳极由一根纳米线构成,仅有人类头发的1／7000粗细。     

我国最重最长4～6英寸砷化镓单晶制成

中国科学院半导体所研制成功了我国第一个5英寸液封直拉法(LEC)砷化镓单晶，以及我国最重最长4英寸、6英寸液封直拉法(LEC)砷化镓单晶。     

MWCNT/ZnO纳米线复合阴极薄膜的场发射特性

实验提出以多壁碳纳米管(MWCNT)/ZnO纳米线复合材料作为场发射阴极薄膜,研究其图形化制备工艺以及其场发射特性.用丝网印刷工艺制备图形化MWCNT/ZnO纳米线复合阴极薄膜,实验获得合适的浆料配比以及适合的烘烤和烧结温度.对MWCNT/ZnO纳米线样品进行SEM分析和场发射特性测试,发现图形化阴极设计提高了场发射电流,并且改善场发射发光均匀度;材料组分的低维化明显降低场发射开启电压;加电老练处理有效改善场发射特性.     

科学家造全球最小纳米线锂电池

由美国Smadia和LosAlamos国家实验室联合组建的综合纳米技术中心（C蹦T）宣布,他们在电子显微镜下造出了全球最小的电池,其阳极由一根纳米线构成,仅有人类头发的1／7000粗细。