还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响

在材料组成、烧结工艺不变的情况下，系统研究了还原气氛对Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明，半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛，无论是Y5V、Y5u还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低，电容器的电容量温度变化率△C／C变小，当H2：N2比例大于20：100时，瓷片的△C／C不再变化，大约为空气烧结瓷片△C／C的88％。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下，通过还原气氛的适当控制，可改善Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性，而其他介电性能基本不变。     

MgTiO_3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响

采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。     

高压烧结的BaTiO3陶瓷的介电性能

用两种高压法烧结得到致密的细晶BaTiO3陶瓷。由压力辅助烧结得到的陶瓷晶粒没有过分长大,晶粒尺寸保持在纳米尺度内;用高压成型常压烧结法得到的陶瓷晶粒明显长大。当BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸从400 nm减小到50 nm时,相应的介电常数从3 000减小到1 900。介电常数的减小可由晶粒尺寸的减小而导致四方度的降低和非铁电低介电常数的晶界层解释。且铁电-顺电转变由一个尖锐峰变成一个宽的区域,宽的转变区域表现出扩散相变的特征。     

BaBi_(10)B_6O_(25)掺杂对CaZrO_3陶瓷介电性能的影响

研究了BaBi10B6O25掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、介电性能和微观组织形貌的影响。结果表明,通过掺杂BaBi10B6O25,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 500℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达98%。当w(BaBi10B6O25)=7.5%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3h获得良好的介电性能:介电常数εr=28,品质因数与频率之积Q·f=8 872GHz,频率温度系数τf=21×10-6/℃。     

ZnO掺杂MgTiO3-CaTiO3陶瓷的介电性能

采用固相反应法制备 (Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷.研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响.结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4.ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度到1 250 ℃,且对介电常数温度系数αc 有调节作用.当 x=0.02时在1 250 ℃温度烧结2.5 h获得最佳性能,即介电常数εr =21.7,介电损耗 tan δ=1×10-5,介电常数温度系数αc =2.12×10-5.     

K0.5Na0.5NbO3掺杂对BaTiO3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)-BaTiO3陶瓷.借助XRD、SEM和阻抗分析仪研究了KNN掺杂对BaTiO3陶瓷微观结构及介电性能的影响.结果表明:掺杂KNN的BaTiO3陶瓷均呈现出单一钙钛矿结构.KNN掺杂能够促进BaTiO3陶瓷的烧结并提高其致密度.随KNN掺杂量(摩尔分数)的增加...     

Zr4+掺杂对抗还原BaTiO3基陶瓷MLCC性能的影响

该文以BaCO_3、SrCO_3、CaCO_3、TiO_2、ZrO_2和Nb_2O_5及MnO_2为初始原料,按化学式{(Ba_(1-x-y)Sr_xCa_y)}O}_m(Ti_(1-o-p)Zr_oNb_p)O_(2+p/2)分别在大气和氮气中烧结,在固定摩尔分数x、y、p并取m=1.010的情况下,改变o(Zr的摩尔分数),对烧成的样品进行了分析。当Zr~(4+)的摩尔分数为12％时,介电常数在室温附近的峰值最大,电阻率最大,抗还原性能最佳。当瓷料在氮气中进行烧结,并加上电极时,处理后的电介质可以产生10 000以上的介电常数和高达10~(12)Ω·cm的电阻率。由上述电介质和Ni电极构成的多层陶瓷电容器和其他珍稀金属电极电容器一样稳定可靠。     

施主掺杂对BaTiO_3陶瓷性能的影响

研究了在 Ba Ti O3陶瓷中添加不同浓度的施主杂质在 H2 气氛中烧结后的实验结果 ,对所得的结果进行了分析 ,结果表明 :它们具有相近的平均晶粒直径 ,在大气中氧化后 ,仍然具有典型的 U形电阻率 -施主掺杂浓度曲线。这与传统理论不完全一致。文章就晶粒尺寸随氧分压的变化关系提出了新的见解     

BaWO4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响

采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3( BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2％～8％变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响.实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4％时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650...     

多层陶瓷电容器的发展及其动向

小型、低压、大容量化，片式高压系列化和低成本化是当前多层陶瓷电容器的主要技术发展趋势；移动通信设备和开关电源等产品是其应用的热门。瓷膜材料的面世，符合多层陶瓷电容器的低成本、小型和大容量化的发展潮流，将会取得推广与应用。     

含宇航级的多芯组瓷介固定电容器标准分析

就GJB 6788-2009《含宇航级的多芯组瓷介固定电容器通用规范》中的S级(宇航级)产品和K级(一般可靠)产品的相关试验组别进行了对比分析,论述了GJB 6788-2009中S级(宇航级)产品的显著特征.同时将GJB 6788-2009与美国军用标准MIL-PRF-49470进行了比较.简述了目前多芯组瓷介固定电容...     

嵌入陶瓷电容器印制电路板的可靠性

在最近几年中,无源嵌入式器件技术的发展成了OEM厂商,板材制造商和材料供应商所共同关注的事情。移动电话等不断追求小型化便携式的器件的需求,首先带动了这种技术的发展,通过无源嵌入式器件的优势也渐渐被大家所认识。DuPont专注于无源嵌入式器件在应用于有机衬底的电阻和电容材料领域取得了很大的成就。产品的家族包括了广泛的领域,即陶瓷、厚膜聚合物和用于贴装用的嵌入式器件的浆料,为了满足平面电容的要求而填充和非填充有机电解质的电容器。此前研究的文章描述了涉及到标准厚膜和在印制板上嵌入无源厚膜陶瓷电容器的印制电路板制程的技术发展。而这篇文章将重点放在嵌入式厚膜陶瓷电容器的可靠性上。     

陶瓷电容器用环氧–酚醛树脂包封料的研究

采用单因素变量法研究了组成对陶瓷电容器用环氧-酚醛树脂包封料性能的影响,得到了综合性能好的包封料,这种包封料干燥时间为8 h(低于20℃条件下),耐溶剂性时间为70 h(丙酮中36~38℃)。同时得到了各组分对包封料性能影响的规律,结果表明:加入六次甲基四胺的包封料干燥时间和耐溶剂性时间短,酚醛树脂多的包封料干燥时间和耐溶剂性时间都较长,无机填料CaCO3颗粒粗些能提高耐溶剂性,环氧树脂加入量w为1.4%时包封料的耐溶剂性最好。该研究为研制陶瓷电容器环氧-酚醛树脂包封料提供了依据。     

陶瓷电容器用环氧–酚醛树脂包封料的研究

采用单因素变量法研究了组成对陶瓷电容器用环氧-酚醛树脂包封料性能的影响,得到了综合性能好的包封料,这种包封料干燥时间为8 h(低于20℃条件下),耐溶剂性时间为70 h(丙酮中36~38℃)。同时得到了各组分对包封料性能影响的规律,结果表明:加入六次甲基四胺的包封料干燥时间和耐溶剂性时间短,酚醛树脂多的包封料干燥时间和耐溶剂性时间都较长,无机填料CaCO3颗粒粗些能提高耐溶剂性,环氧树脂加入量w为1.4%时包封料的耐溶剂性最好。该研究为研制陶瓷电容器环氧-酚醛树脂包封料提供了依据。     

高性能SrTiO3基高压瓷介电容器材料

研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500～2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。     

高压陶瓷电容器持续充放电条件下的寿命研究

为了提高脉冲功率装置的使用寿命,研究了SrTiO3 基高压陶瓷电容器在有10Ω 负载和无负载两种条件下持续充 放电过程中的使用寿命。详细分析了电容器使用寿命随着充电电压的增加而减小的原因,充电电压的增加会导致电容器 充放电过程中陶瓷介质所受的电致应力和温度增加,从而加快了放电通道的发展和漏电流的增加,导致了电容器寿命的 缩短。详细分析了放电回路负载的存在使电容器寿命增加的原因。放电回路负载的存在使得电容器温度增加变慢,从而 减慢了电容器充放电过程中击穿的发展速度。在无负载持续充放电的条件下,要使电容器的充放电寿命增加到105 次, 充电电压需要减小到~70%额定电压;在有10Ω 负载持续充放电的条件下,要使电容器的充放电寿命增加到105 次,充电 电压需要减小到~80%额定电压。     

陶瓷电容器丝网掩模漏即孔间隔设计

改进丝网掩模漏印孔间隔，提高了陶瓷电容器容量偏差（等级品）合格率，用０．０２ｍｍ漏印孔尺寸间隔代替０．１ｍｍ，可大幅度提高等级品（Ｃ（１、Ｊ（１）、Ｋ（２）级）合格率，在相同设施的条件下，大大提高了生产能力，经济效益显著。     

凝胶注模成型在高压陶瓷电容器的应用

高压陶瓷电容器传统成型方法存在诸多缺点,新的凝胶注模成型技术是传统陶瓷和高分子化学结合的产物,通过此种方法可以成型出素坯致密度高、密度均匀以及形状复杂近净尺寸的高压陶瓷电容器瓷片,有广阔的应用前景。重点阐述了凝胶注模成型用于制造高压陶瓷电容器的基本原理、目前研究状况及所要解决的问题。