氧化锌压敏电阻特性

本文对氧化锌压敏电阻的特性进行了探讨。氧化锌压敏电阻因为其自身的一些物理和化学性质,使得其在电路保护及相关系统保护中应用较为广泛。现阶段氧化锌压敏电阻已经在电子设备保护、通讯系统保护、电力及工业系统保护中取得了较好的应用。     

2400数字源表在压敏电阻测试中的应用

本文介绍了2400数字源表在压敏电阻测试中的应用，主要描述其中的测试过程，测试方法和测试技术。     

TiO_2环形压敏电阻及其材料的主要电参数设计

为了对元件性能进行优化设计,根据TiO_2压敏电阻的几何尺寸及元件与材料之间电性能参数的函数关系,分析计算了极间电压V_(10mA)不大于30 V,非线性系数α_1为3~5,1 k Hz下极间电容C不小于10 nF的环形元件所需材料的参数分别为:相对介电常数不小于1.22×10~5,电流强度分别为10 mA和1 mA时所对应的电流密度J_(10)大于10×10~(–3)A·cm~(–2)及J_1大于1×10~(–3)A·cm~(–2),在材料的J-E非线性曲线上,电场强度E_(10)大于E_(10mA),E_1大于E_(1mA),且E_(10)与E_1的比值大于1而小于E_(10mA)与E_(1mA)的比值。     

小电流接地系统中压敏电阻配置与应用分析

在北京郑常庄燃气热电工程处于机组试运调试阶段时,先后发生了1#机UPS进线压敏电阻模块烧毁、空开跳闸,1#机直流屏进线压敏电阻烧毁,1#燃机励磁盘压敏电阻烧毁等元件烧毁现象。这些现象的发生无疑会严重影响将来机组的安全稳定运行。起初分析认为可能是厂家产品质量存在问题,但经过仔细的查阅相关图纸、厂家资料,现场进一步实际勘察,终于发现了问题的关键所在。这些压敏电阻都是设计在整流装置的进线单元,用来防止电源过电压烧毁整流模块的。本工程主厂房厂用电系统是小电流接地系统,结合小电流接地系统的运行特点,进行了分析,并编写了分析报告(即正文部分)向业主提供了优化方案,业主与相关厂家进行了沟通,按方案进行了更改,起到了十分显著的效果。目前,随着变频技术的不断发展,整流模块的应用日益广泛。在发电厂电气系统中涉及到整流装置的系统有直流系统、UPS系统、励磁系统及电动机的变频启动装置等。这些系统对机组及设备的安全稳定运行都有着至关重要的作用,由此可见保护的整流装置安全稳定运行,有着非常重要的现实意义。     

对数IV转换器在局部探测显微镜中的应用

这里我们构建了一个准对数电流电压转换顺，它测量的带宽范围超过2kHz，并且允许的输入电流范围是10pA到10mA，此转换器用半导体二极管作为反馈支路的非线性元件，是建立在虚地设计模式基础上的，为了扩展此转换器的频带，加了额外的补偿回路，并且用多对二极管扩大了输入级的动态范围。这对于在扫描隧道显微镜的局部相互作用中的应用是非常合适的。     

WB系列真有效值电量隔离传感器及其应用

介绍了真有效值和平均值算法的含量，并说明在某些场合为什么必须用真有效值才能准确测量的原因，简介WB系列真有效值电量隔离传感器的原理及其应用。     

a-Silicon剩余厚度和TFT特性的关系研究

以Cl2 SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon。通过调整刻蚀时间,研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响,并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器件电学特性进行测量和评估。在这里说明测试用的Glass,Channel部的a-Silicon是由三层物质L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n a-Silicon按照21.74%、56.52%、21.74%的比例沉积而成。其中n a-Silicon是Channel部必须去除的部分,其余两部分才是影响TFT特性的因素,而TFTChannel的真正形成也是在L:a-Silicon层。所以整个实验过程中需要考虑一点是H:a-Silicon在全部a-Silicon(包含L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n a-Silicon)中的比例,即所谓的H:a-Silicon%。因为既要保证下面的L:a-Silicon层不受影响,同时还要保证上面的n a-Silicon曾被完全去除,所以实验中的时间选定必须从某个定点开始。实验结果说明当H:a-Silicon的剩余厚度为10.8%时TFT特性明显变差,那么可以保守的得出:在其它条件不变的情况下,H:a-Silicon的剩余厚度在a-Silicon总厚度的25%～45%范围之内时TFT器件的电学特性受到的影响很小;而H:a-Silicon剩余厚度少于a-Silicon总厚度的25%时TFT器件的电学特性变差,即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异。     

电压/电流变换器XTR110及其应用

XTR110是美国Burr—Brown公司推出的精密电压／电流变换器，它是专为模拟信号传输所设计的。可用于将0—5V或0—10V的输入电压转换成4—20mnA，0—20mA，5—25mA或其他常用范围的输出电流。此外，其内部精确的 10V参考电压可也用于驱动外部电路。     

AlxGa1-xN/GaN肖特基二极管的高温特性

High-temperature characteristics of the metal/AlxGa1-xN/GaN M/S/S （M/S/S） diodes have been studied with current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at high temperatures. Due to the presence of the piezoelectric polarization field and a quantum well at the AlxGa1-xN/GaN interface, the AlxGal-xN/GaN diodes show properties distinctly different from those of the AlxGa1-xN diodes. For the AlxGa1-xN/GaN diodes, an increase in temperature accompanies an increase in barrier height and a decrease in ideality factor, while the AlxGa1-xN diodes are opposite. Furthermore, at room temperature, both reverse leakage current and reverse breakdown voltage are superior for the AlxGa1-xN/GaN diodes to those for the AlxGa1-xN diodes.     

磁补偿式电压电流传感器及其应用

磁补偿式电压电流传感器主要用于电压、电流、功率、频率、阻抗或波形等电参数方面的测量。本文介绍了成都晶峰电子有限公司生产的磁补偿式电压、电流传感器的原理与用途,阐述了它们在电气参数测试系统中的应用。     

可调节镜像电流源的研究及其在LNA中应用

A novel topology of current mirror （CM） with tunable output current is proposed. Two methods for output current tuning are presented. The first one utilizes an analog input voltage for linear current output, and the second one has an N-bit digital input signal for 2N un-continuous current outputs. A linearization method for low noise amplifier （LNA） is proposed and realized with this tunable CM. As the provider of the bias current, the CM has brought the LNA a lower NF （noise figure） and a higher IIP3 （input-referred third-order intercept point） compared with a conventional one. The experimental results show that the LNA achieves 1.47 dB NF and ＋ 19.83 dBm IIP3 at 860 MHz.     

瞬态电压抑制器及其在彩色显示器中的应用

文中主要介绍了瞬态电压抑制器的特性及共参数，在计算机彩色显示器中，通过对它的应用提高了显示的工作可靠性，为类似这样的情况提供了一种有效的处理方法。     

高精度电压／电流转换器混合集成电路VIC的性能与应用

简要介绍电压电流转换器的内部功能，外部特性以及应用电路。     

东芝TA78DSxxF系列新型稳压器应用

<正> TA78DS××F系列是新型正电压输出的三端稳压集成电路,其最大输出电流为30mA,具有低压降(小于0.3V)和小等待电流(0.6mA)、内置限流、过热、过压、输入电压极性接反和瞬间过压保护功能,采用了 SOT—89封装结构,体积小巧,是电池供电的电子产品的首选稳压器。     

一种新颖的CMOS差动电压电流传送器及其应用

针对第二代电流传送器（ＣＣⅡ）的不足之处，提出了一种新颖的差动电压输入电流传送器（ＤＶＣＣ）。首先给出了ＤＶＣＣ的ＣＭＯＳ集成工艺实现方法，并分析了其工作原理。然后给出其具体应用实全儿ＰＳＰＩＣＥ的模拟结果，验证了实现和应用ＤＶＣＣ的可行性。     

万能充电控制器MAX1647及其应用

ＭＡＸ１６４７是美国ＭＡＸＩＭ公司产品。该芯片外加很少元件就可组成功能很强的充电器。这     

砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析

通过对碲镉汞材料进行Ａｓ＾＋注入以及退火，成功地制备Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５μｍ，黑体探测率Ｄ＾＊（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１。通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子ＲｏＡ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。     

超辐射发光二极管的结构特性及其应用

近几年来,由于超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面的重要应用,已引起了人们的极大关注,许多国家都在竞相研制和开发.本文综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景.