IBM宣布22nm半导体光刻制造工艺

正IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(Computation Scaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则     

Spansion宣布推出业界首款45nm8GbNOR闪存

Spansion公司日前宣布推出业界首款45纳米（nm）单芯片8Gb（千兆）NOR闪存产品。8GbSpansion@GL—T可提供高品质的快速随机访问读取性能,助力游戏和工业应用中的互动图形、动画和视频实现更好的用户体验。     

SST与TSMC合作90nm闪存技术

闪存厂商超捷（SST）和台积电公司（TSMC）已达成了一项新的技术开发和授权协议，以推出首项可授权90nm嵌入式闪存技术。根据该协议，TSMC将授权SST的新一代90nm超快闪（SuperFlosh）技术作为TSMC嵌入式闪存记忆技术组合的一部分。     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

40nm工艺闪存：闪存

瑞萨电子株式会社推出适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS（金属氮氧硅）技术方面,拥有丰富的经验且广受好评。     

Spansion与SMIC合作新添43nm制程

Spansion日前宣布扩大与中芯国际（SMIC）目前的合作协议,在生产65nm MirrorBit NOR产品的基础上,增加基于300mm晶圆的43nm Spansion MirrorBit ORNAND2闪存产品。借助中芯国际世界级的专业制造专长,Spansion将为其在嵌入式和无线应用领域的客户提供更具成本优势的差异化产品系列。此项合作的具体条款尚未透露。     

Spansion推出业内首款4Gb NOR闪存

Spansion公司日前发布了业内首款基于65nm生产技术的单芯片4Gb NOR闪存产品--4Gb Spansion GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证,协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务,从而提升用户体验。     

Spansion与中芯国际扩展代工协议扩大65nm产能生产45nm闪存

NOR闪存领先供货商Spansion与中国最大的晶圆代工领导企业中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）宣布双方将延伸目前的代工协议以扩展中芯目前的65nm代工产能．并为Spansion制造45nm闪存。     

Numonyx发布41纳米32Gb闪存技术

由Intel和意法半导体合资的Numonyx近日公布了最新的32Gb（4GB）闪存技术。这款芯片采用了更小的41纳米制程，可以在同等面积下将闪存容量提升一倍，也就是说MMC大小的存储面积上就可以存32GB的数据，而microSDHC目前最大为8GB。     

CSR与TSMC扩大合作至90nm嵌入式闪存制程技术与硅知识产权

无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系,CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。     

Spansion能动性策略领跑国际闪存市场

Spansion公司由AMD(NYSE:AMD)和富士通公司(TSE:6702)的闪存部门合并而成.AMD和富士通公司的合作可以追溯到1993年.1993年,AMD和富士通公司成立了富士通与AMD半导体有限公司(FASL).2003年,将闪存业务合并,成立了一家名为FASL LLC的新公司.该公司的规模更大、更加专注于闪存业务.双方都以Spansion品牌销售他们的产品.2004年该公司更名为Spansion LLC.Spansion公司的总部位于加利福尼亚的Sunnyvale.全球总共有7,500多位员工.     

日月光与Spansion将合资共同拥有苏州的闪存工厂

日月光半导体制造股份有限公司与总部位于美国的Spansion Inc．近日在一份联合公告称,两家公司将在中国成立一家合资企业,共同拥有Spansion在苏州的闪存芯片制造厂。公告称,日月光半导体已与Spansion就成立合资企业一事签署了一项备忘录。两家公司并未在公告中透露合资企业的其他相关细节。     

1940nm半导体激光器系统

长春新产业光电技术有限公司推出了1940nm半导体激光器,输出功率为1000mW,发散角〈3mrad,出光孔光斑5mm×8mm,功率稳定性好,波长稳定性高,可靠性高,经济实用,并具有输出功率可控功能;该波长的光纤耦合激光系统输出功率可达8W。     

NXP半导体与MIPS科技合作推出业界首款45nm HDMI 1．3接收器IP解决方案

MIPS科技宣布,已与恩智浦半导体（NXP Semiconductors）合作成功开发出业界首款45nm HDMI 1．3接收器IP解决方案。两家公司曾于一年前宣布扩展双方的战略合作关系。为包括高清DTV和显示设备,A／V接收机,机顶盒等数字家庭应用提供基于HDMI的IP解决方案。通过共同开发和共同授权的结合,HDMI接收器IP将集成在NXP的全球数字电视方案——TV550平台中,同时也可从MIPS科技获得IP授权。     

Spansion与中芯国际合作面向高端市场的下一代NAND闪存 Spansion公布业界最小NAND裸片尺寸的最高性能NAND闪存生产计划

瞄准NAND高端市场,发挥性能、低功耗优势在Nor闪存市场,Spansion无疑获得成功,目前市场份额位居第一。那么如何将取得成功的MirrorBit技术转移到NAND市场并获取成功成为     

三星量产70nm 4Gb闪存

日本经济新闻引述韩国新闻报导指出，在NAND型闪存(Flash)市占率高达54％的三星电子日前公开宣称该公司将采用70nm工艺技术制造4GbNAND型Flash，三星旗下的12英寸晶圆厂Fab 14已较原订进度提前投产，未来该厂将以70nm工艺量产4Gb NAND型Flash，年底月产能可望达1．5万片。     

SST超捷与SANYO三洋扩大闪存技术在内地的合作关系

（SST，SiIicon Storage Technology,Inc，)超捷，与(SANYO Electric Co．．Ltd．)三洋电机于2003年11月21日庆祝闪存技术合作10周年．并宣布华虹NEC已建立好SST的非自行排齐超快闪技术（non-selfaligned Super Flash)．即将大量生产．而且宏力半导体也建立     

传输腔稳频的397nm半导体激光器

商用的半导体激光器由于其长期漂移大,不能满足单离子光频标中离子的激光冷却和长时间探测的目的。因此,采用了传输腔稳频技术减小商用397nm半导体激光器的长期漂移。利用经过Pound-Drever-Hall(PDH)技术锁定的729nm超稳激光器作参考激光,采用扫描的法布里-珀罗(F-P)干涉仪作传输介质,实现了397nm半导体激光器的长稳锁定。稳频后397nm激光器在1h内的漂移小于1MHz,100s的Allan方差小于1×10-10。这些指标为下一步利用传输腔技术实现866nm激光的长稳锁定打下了基础,同时为优化单个钙离子的激光冷却和长时间精密测量提供了条件。     

减少RAM需求，65nm多路NOR串行闪存扩展到便携应用

拥有65nm工艺、支持1.8V电压、多路I/O口和非易失性配置等一系列新特点,恒忆的128Mb产品进一步扩展了NOR串行闪存的技术优点和应用领域。