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本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。 相似文献
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研究表明,只有在适当选择的工艺条件下使用氮化硼片源扩散系统,才能发挥其机构上的特点,获得高均匀性和高重复性的硼掺杂.本文讨论选择这种系统的基本工艺条件的实验结果;给出国产氮化硼源片的使用条件. 相似文献
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扩散工艺是集成电路制造工艺的重要工艺之一。集成电路工业的发展已对扩散的杂质浓度分布的准确计算提出了越来越高的要求。本文采用杂质浓度的增强扩散模型计算了几种扩散工艺条件下的硼杂质在硅中的分布,计算方法采用隐式有限差分法,并就其计算结果与高斯分布及余误差分布进行了比较。结果表明:在高浓度扩散条件下,该计算结果与高斯分布及余误差分布有一定的差别,并与文献报道的实验数据进行了比较。 相似文献
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文中介绍A/D转换集成电路ICL7107,译码驱动电路CD4511,双D触发器74LS74,时基电路NE555及模数接口电路LM339在电子验光仪中的应用。 相似文献
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本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果. 相似文献
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一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。 相似文献
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TA2104是日本东芝(TOSHIBA)公司生产的一种单片数字调谐集成电路,专用于便携式收音机和耳机电路。TA2104推出的时间已经不短了,但因为性能优良,所以仍被广泛应用在目前市场主流机型中,上期《电子世界》中介绍的德劲新款DE1121收音机中就应用了TA2104。本文就介绍一下这款芯片的特性和应用,以及它在实际收音机(DE1121)电路中的接法。TA2104有两种不同的外形,一种是双列直插结构,也就是SDIP24封装形式,其型号为TA2104BN。另一种则采用了SSOP24封装形式的扁平结构,它的型号则是TA2104BNF(如图1)。 相似文献
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氮化硼片做为硼源,美国于1968年开始研制使用氮化硼片,日本于1970年开始研制使用。我国1976年才开始采用了建材院生产的氮化硼片,改进了粉状氮化硼源的一些缺陷,改善了硼扩散工艺。 相似文献