掺杂T型半导体量子线的量子限域效应与有效库仑作用

采用双带模型研究了掺杂半导体量子线中的量子限域效应及有效库仑作用。通过有限元方法数值求解复杂边界条件下薛定谔方程,获得了T型砷化镓量子线中载流子的单粒子波函数。载流子间的有效库仑作用通过包络函数近似获得。研究发现,重空穴量子限域效应强于电子,空穴间的有效库仑作用随控制电场增大,而电子间的有效库仑作用则减弱。电子与空穴间的有效库仑作用变化规律较为复杂,反映了电子与空穴的局域与离域性的相互竞争关系。     

InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应

本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量（以Si计）达5.5×10⁴Gy。结果表明：多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性、I-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。     

降低放射性物质监测系统中被检车辆屏蔽效应的方法研究

研制了一套带有基于光幕的车辆轮廓采集模块的放射性物质监测系统,该系统能降低待检车辆在通过监测系统时对探测器造成的屏蔽效应,提高了系统的报警灵敏度.介绍了系统的工作情况,并进行了初步试验.     

消除空间效应的数字逆动态方法

本文叙述了用落棒法测量反应性时消除空间效应的数字逆动态方法。以文献[1]所导出带有空间变量的关系式为基础,应用空间补偿因子作为试算系数,以反应性曲线前段与后段之差为判断函数并插值至无空间效应值。此方法在快速落棒条件下,一次落棒后即可完成消除空间效应,直接测量到真实反应性值。在有较大空间效应影响下,探测器在不同位置的测量结果均在1%内符合.本方法易于实现数字计算机的在线测量。     

去除X线透射图像中重叠效应的算法研究

在X线透视成像安全检查过程中,经常遇到多种物体重叠在一起,很难判断物质的真实属性,这对危险品检测工作产生了很大影响。如何消除X线透射图像中的重叠效应,得到被覆盖物质的真实灰度以及属性信息一直是安检设备研发中的一个重要课题。目前的方法只能对灰度级较高,即穿透性很好的重叠区域有较好的效果。通过对重叠效应的深入分析和大量试验验证,对现有方法进行了改进。实验结果证明本方法不仅在灰度级较高的区域有较好的效果,在穿透性不强的区域也有较好的效果。     

8MeV X线照射人外周血诱发的染色体畸变率及其相对生物效应

本文应用国产 DZY-10医用电子直线加速器产生的8MeVX 线离体照射人外周血,经54小时培养后,观察淋巴细胞的染色体畸变,双着丝点体畸变率与剂量之间关系适宜配成 Y=(1.97±1.95)×10~(-4)D+(2.74±0.71)×10~(-6)D~2。以180kVX 线诱发的双着丝点体的畸变率为标准,得到8MeVX 线、~(60)Coγ线和14MeV 中子的相对生物效应系数分别为0.59、0.63和2.03。     

SRAM型FPGA的静态与动态单粒子效应试验

静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在空间电子设备中取得了广泛的应用。但它内部大量的SRAM型存储单元极易发生单粒子软错误,特别是配置存储器中的单粒子翻转,有可能改变整个电路的结构,给其空间应用带来严重的可靠性问题。因此,有必要开展地面加速器模拟试验以评价该器件对单粒子效应的敏感程度,且对系统在空间中的失效行为进行预估。本工作在重离子加速器上对Xilinx的Virtex系列FPGA进行了单粒子效应试验,取得了典型器件的静态单粒子翻转截面曲线。针对3个测试电路进行的动态测试表明,系统的失效率远低于内部存储器发生翻转的频率,也不能简单地用资源占用率来进行估计。     

CIAE’CRM脉冲化注入线中束流的耦合效应

中国原子能科学研究院将基于强流回旋加速器综合试验装置——10MeV中心区实验台架（CRAM）新建1条注入能量为40keV的脉冲化注入线,进行脉冲化实验研究。根据脉冲化的具体要求,束流切割器将使用频率2．2MHz的正弦波,由切割器切割后产生的脉冲重复频率为4．4MHz,可接受的脉冲宽度为7ns,相对应的相宽为士3°@2．2MHz。束流切割器将会导致束流的纵向一横向的耦合,同时螺线管透镜会导致束流在横向产生x-y之间的耦合。     

低剂量γ线照射和苯复合诱发家兔血淋巴细胞和骨髓细胞遗传效应的研究

报道了低剂量γ线照射复合苯诱发家兔血淋巴细胞和骨髓细胞遗传效应的实验研究。结果表明:苯和γ线都能诱发染色体畸变和SCE频率的升高;畸变类型主要是染色体型无着丝粒断片;血淋巴细胞染色体畸变率要比骨髓细胞的高;随剂量的变化,γ线诱发染色体畸变的升高比诱发SCE的要明显得多,但剂量效应线性相关不明显,相反,苯诱发SCE的升高要比诱发染色体畸变的要明显,且血淋巴细胞无着丝粒畸变率和SCE频率与剂量呈线性相关。染色体畸变效应总的趋势是:高复组>低复组>照射组>高苯组>低苯组>对照组;苯能提高γ线诱发的染色体畸变率,在双+环主要是协同,而在无着丝粒主要是相加。     

Temperature and carrier-density dependent excitonic absorption spectra of semiconductor quantum wires

In this paper, we present a theoretical study on excitonic absorption spectra of one-dimensional semiconduc- tor quantum wires. The carrier-carrier scattering is treated by the second Born approximation in the Markovian limit. The absorption spectra of different carrier densities and temperatures are discussed. The excitonic absorp- tion peak position and width show complicated dependence on cartier density and temperature, indicating the importance of carrier-carrier scattering. The behavior can be understood by the cooperative effects of exchange self-energy and Coulomb correlation due to cartier-carrier scattering.