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对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。 相似文献
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本文通过对Au/n-CdTe肖特基二极管I-V-T测量得出:在室温附近,势垒高度随温度升高而线性增加,增加速率约为 9 ×10~(-4)eV/K.这一结果与 Hattori 等对InP的研究结果一致, 相似文献
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CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10~(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25~+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。 相似文献
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采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标,并与文献中的数值进行了比较。eεff高达(4~9)×105,具有良好的介电温度系数(|αs|<0.3%)、频率系数(fr<12%)和电压温度系数(|k|=0.2%);介电损耗小(tanδ<1%);非线性系数大(α=4~10);电流密度为1 mA时的场强(E1 mA)值很低(0.3~2.9 V/mm);电压系数小于10%。 相似文献
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SrTiO_3环形压敏电阻器 总被引:2,自引:2,他引:2
以SrTiO_3为主晶相,以La_2O_3为施主杂质,在还原气氛下烧结使其充分半导化;掺杂多种金属氧化物,通过高温氧化处理形成晶界层,研制出环形压敏电阻器。其性能优于原有的ZnO环形压敏电阻器,不仅压敏特性优良,且具有很高的电容量,是一种双功能元件。更重要的是解决了ZnO压敏电阻器固有的在焊接挂锡后电压降低严重的问题。该成果填补了国内空白,并于1992年通过机电部设计定型鉴定。 相似文献
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SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了SrTiO3片式化压敏一电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。 相似文献
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以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N_s的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用。因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态。对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N_s及有效界面态密度n_s,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φ_b的计算将更趋于合理化。 相似文献
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多功能SrTiO_3压敏电阻器及其应用 总被引:7,自引:6,他引:7
SrTiO3多功能陶瓷压敏电阻器具有可克服ZnO压敏电阻器不足之处的多种电气功能。在低电压下具有较大电容量的电容器功能(电容量大于0.01μF);在高于电压临界值又具有压敏电阻器功能:电压非线性系数大于15,耐浪涌电流可达1800A/cm2。它所具有的吸收高频噪声、前沿快速上升噪声及自复位功能,使其在电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌电压、保护双向可控硅开关器件、旁路电容器、微型电机等方面有着广泛的用途 相似文献
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低温沉积ZnO薄膜的压敏特性及其热处理影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用GDARE法在较低温度下,通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜.AFM和XRD分析表明,薄膜具有以ZnO(002)晶面取向为主的多晶结构,多层膜的晶粒尺寸增大.经200~300℃退火热处理,薄膜呈现出良好的低压压敏特性.经200℃退火热处理后,多层ZnO薄膜的非线性系数达到61.54,压敏电压20.10V.在一定范围内升高热处理温度,可明显降低压敏电压.分析了不同膜层及热处理温度对ZnO薄膜压敏特性的影响机理. 相似文献
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本文从含TiO2低压压敏材料入手,研究了HNO3处理及热处理工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响,并讨论了交流冲击下的电压稳定性,通过处理,其非线性系数a上升,漏电流IL下降,尤其耐冲击能力大有改观。 相似文献