12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管

报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。     

高频电路散射参数的探讨

探讨了高频电路工作频率较高时，一种便于分析的晶体管参数--散射参数。对散射的概念及散射参数做了介绍。     

栅对准误差对双栅MO SFET 性能影响的分析

对栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件，它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点，但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅MOSFET的正、背面栅存在对准误差时，对器件的表态及动态特性的影响，并提出了一种改善这种影响的方法。     

一种直接提取操声温度参数的方法

本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET‘s的噪声温度参数（Td,Tg)的直接提取方法。该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用，并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素。同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择，理论上有助于提高参数提取的精度主方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性。     

GaAs MESFET肖特基结参数表征及其应用

运用双指数函数模型方法分析了影响GaAsMESFET肖特基势垒结特性的各种因素 ,编制了结参数提取和I -V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的 6个结参数 ,其结果与实验数据吻合得很好。并对TiAl栅和TiPtAu栅GaAsMESFET进行了高温储存试验前后的结参数对比分析和深能级瞬态谱 (DLTS)验证分析 ,证明这种结参数表征方法是进行器件特性、参数的稳定性与退化和肖特基势垒结质量研究的一种新的实用可行的分析手段。     

PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用——第1部分:PECVD SiN的制备及其组分和键结构

叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD SiN性能及其与工艺条件的关系,着重叙述在GaAs器件中的应用和对器件性能的影响。     

双栅无结型场效应晶体管的设计与优化

利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性。     

Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究

Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电流、关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积的影响。通过仿真实验和计算分析发现,Si/Ge异质结DGTFET的开态/关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积随Pocket区掺杂浓度增大而增大,而Pocket区厚度对器件性能没有明显影响。研究结果为TFET器件的直流、频率特性优化提供了指导。     

多端口散射参数测量的一种新方法

本文对利用双端口矢量网络分析仪（VNA）进行多端口网络散射参数测试的问题进行了研究。通过网络参数矩阵的归一化、反归一化变换以及基于不同接入阻抗下网络散射参数矩阵之间的关系,对测试参数进行校正,解决了接入阻抗反射系数的精度带来的测试误差问题,提高了这类测试方法的测试精度。     

双极晶体管关键参数的研究

本文基于双极晶体管的工艺,就如何对电流增益和特征频率两个参数进行优化研究.首先对其进行了器件工艺模拟分析优化,得到模拟特征频率在10 GHz,电流增益为160,而后进行了流片,通过测试得到特征频率为9.5 GHz,电流增益在160以上,最后进行了测试结果和模拟结果的比较分析.     

叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型

利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。     

双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟

提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.     

亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究

采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要.     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的设计与制作

提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场为一非均匀场.理论计算、TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明,通过改变该器件中任何一个栅极偏置电压,能够得到可以调节的输出特性(增益系数)及转移特性曲线,可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅并具备低功耗特点.这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性,既可以简化电路的设计又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度.平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容.     

GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究

对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。     

激光散射法粒子测量中信号串扰影响的研究

提出了夫琅和费衍射和激光多普勒效应相结合的三光束激光散射方法，详细研究并解决了该方法用于同时测量大于５μｍ粒子尺寸和速度时信号串扰问题，并用实验结果证实了理论分析。