Sn掺杂对锂铌钛体系微波介质陶瓷性能的影响

引入SnO2对Li2O-Nb2O5-TiO2体系陶瓷进行掺杂改性研究，考察了SnO2的添加量对LiNb0.6Ti0.5-xSn2O3陶瓷的烧结性能、显微结构和微波介电性能的影响。研究表明：对所考察的体系而言．随着SnO2添加量的增加．烧结样品体积密度和介电常数基本保持不变；而品质因数Qf值随SnO2的加入有所提高，而后随SnO2含量继续增加而快速下降；在1100℃的烧结温度下．当X=0．01时．获得微波介电性能优良的微波陶瓷，其ε=678．x1=＋4ppm／℃．Qf=6780GHz。     

锂铌钛体系微波介质陶瓷的研究状况

概述了锂铌钛体系的发展历程;介绍了材料理论结构和微波介电性能,并展望了其应用前景,罗列的大量研究数据和结果将为以后的研究者提供一个良好的研究基础和研究方向。     

粉体的球磨方式对Li1.0Nb0.6Ti0.5O3锂铌钛陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响

通过X射线衍射、扫描电镜等分析手段结合介电性能测试结果,探讨了不同球磨方式(普通球磨及砂磨)制备的粉体对Li1.0Nb0.6Ti0.5O3(LNT)锂铌钛陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响.用砂磨的方式粉碎粉体,获得了粒度分布均匀且分散性很好的粉体,在一定程度上降低了LNT陶瓷的烧结温度.另外,通过砂磨粉碎的粉体烧结而得到的陶瓷样品密度、相对介电常数(ετ)及机械品质因数与谐振频率的乘积(Q×f均高于普通球磨工艺制备的.结果表明:在1050℃烧结的陶瓷其具有相对优异的微波介电性能,ετ=9.9,Q×f=5 887 GHz,谐振频率温度系数τf=28.3×10-6/℃.     

V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷性能的影响

采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135～154,介电损耗(tan δ)为0.0033～0.0007,频率温度系数(τf)为-442～-387(2MHz).     

水基流延法制备掺杂ZnO-TiO_2系微波介质陶瓷及性能研究

利用低温共烧陶瓷(简称LTCC)技术设计制造片式多层微波器件已成为当今的研究热点。ZnO-TiO2系微波介质陶瓷具有介电常数适中、介电损耗低、频率温度系数可调和低温烧结等特点,它是具有开发价值的LTCC微波介质材料。实验结果表明:在ZnO-TiO2系统中加入微量的添加剂MgCO3与ZrO2,构成双元复合取代掺杂系统Zn1-xMgxTi1-xZrxO3,当x值取0.07时,最佳介电性能为:εr为29.4,Qf为4285GHz,τf为-8ppm/℃,且该微波介质陶瓷适合于水基流延成型和低温烧结,为LTCC微波介质陶瓷产业化打下了良好的基础。     

掺杂B2O3对ZnO-TiO2介质陶瓷的烧结及介电性能的影响

本实验用传统固相法合成了B如。掺杂的ZnO-TiO2系微波介质陶瓷,通过X射线衍射、扫描电镜分析和微波介电性能测试等方法对其烧结行为、显微结构和介电性能进行了系统的研究。结果表明：试样掺杂4wt％B2O3,可使ZnO—TiO2陶瓷的烧结温度从1100℃降到900℃。试样在900℃下烧结2h、掺杂4wt％B2O3,在6-8GHz测试频率下试样的介电性能为：εr≈26、Qf≈19500、τf≈35ppm／℃。     

微波介质陶瓷的研究进展

综述了微波介质陶瓷材料的特性和发展现状,给出了多数目前已经研究的微波陶瓷体系及其性能,阐述了其制备方法,提出了改善其性能的途径和微波介质陶瓷的预期进展.     

添加剂对BaO-TiO2-Sm2O3系微波陶瓷改性的研究

研究了影响BaO—TiO2—Sm2O3微波陶瓷材料介电性能的机理，通过用Nd2O3和AL23及MnO2对BaO—TiO2—Sm2O3微波材料进行掺杂改性，得到了二种工艺稳定，品质因素Q值高，τf(谐振频率温度系数)低，烧结温度较低的被波陶瓷材料。该材料可用于制作介质滤波器及分米波通信设备用的小型、轻量的片式元器件。     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

高性能陶瓷微波介质材料

微波介质陶瓷可使微波通信和其他微波设备小型化,是有良好发展前景的一种介电材料。目前已经研制出许多具有高介电常数、高品质因数、低介质损耗及小谐振频率温度系数的优质微波介质陶瓷。本文综述近年来微波介质陶瓷在制备工艺、改良介电性能及应用方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。     

BaCu(B_2O_5)助烧剂对2.5ZnO-2.5Nb_2O_5-5TiO_2微波介质陶瓷介电性能的影响

研究了烧结助剂BaCu(B2O5)(BCB)对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷的微观结构、烧结特性及介电性能的影响。结果表明:当烧结温度高于900℃时,添加BCB的陶瓷片的致密度高于纯ZNT的致密度。介电常数(εr)随着BCB添加量的增加先增大后略有减小。由于液相的存在,品质因数和谐振频率的积(Qf)随着BCB添加量的增大而减小。谐振频率温度系数(τf)与纯ZNT陶瓷相比更接近零。添加质量分数为3%BCB的ZNT陶瓷在900℃烧结3h后得到良好的介电性能:εr=48,Qf=15258GHz,τf=41×10-6/℃(5GHz)。     

钨酸盐类陶瓷微波介电性能

研究了钨酸盐AWO4(A=Ca,Sr,Ba,Zn,Mg)系列陶瓷材料的微结构、烧结性能以及微波介电性能.AWO4具有黑钨矿和白钨矿两种结构.无论白钨矿还是黑钨矿,其相对介电常数εr和介电品质因素Q×f值都随着阳离子A2 半径的增大而减小,谐振频率温度系数τf绝对值增大.白钨矿结构的CaWO4具有较好的微波性能εr=10.0,Q×f=50.842 THz,τf=-50× 10-6/℃.     

复合钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能

介绍了复合钙钛矿化合物结构的本质特征，讨论了钙钛矿结构对微波介质陶瓷材料的介电性能（介电常数、介质损耗、频率温度系数）的各种影响因素。     

CuO和V2O5掺杂对ZnNb2O6陶瓷介电性能的影响

采用传统的固相反应法制备了CuO和V2O5掺杂的ZnNb2O6介质陶瓷.通过X射线衍射,扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等测试手段对其烧结特性,晶体结构,微观形貌和介电性能进行研究.结果表明:CuO和V2O5掺杂能降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌并优化介电性能.掺杂质量分数为0.25%CuO和0.25%V2O5的ZnNb2O6陶瓷样品在1 025℃烧结后,在100 MHz下具有较好的综合介电性能:介电常数εr=35,介电损耗tanδ=0.000 21,频率温度系数τf=-44.41×10-6/℃.     

BaCu(B_2O_5)助烧对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

研究了BaCu(B2O5)的掺入对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3微波介质陶瓷介电性能的影响。用XRD和SEM分析其相组成及微观形貌。结果表明:BaCu(B2O5)的加入能够使0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷的烧结温度降至1100℃并有效抑制第二相MgTi2O5的形成。在1100℃烧结3h,加入3wt%BaCu(B2O5)的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷获得了较好的介电性能:εr=22.9,Q×f=25,000GHz(7GHz),τf=-3.3ppm/℃(7GHz)。     

锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响

研究了锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.采用固相法制备出掺杂比例为1mol%的zrO<,2>-BaO和ZrO<,2>两种掺杂方式的钛酸钡陶瓷样品,对其进行多方面的表征.实验结果表明.ZrO<,2>-BaO掺杂与ZrO<,2>掺杂的钛酸钡晶格常数、介电性能会发生不同的变化,这是由锆元素不同掺杂情况对钛酸钡的作...