FePt纳米薄膜研究进展

由于FePt在超高密度磁存储材料方面的广阔应用前景及其局限性,研究人员对FePT薄膜进行了大量的研究及改性.根据国外近期在此领域的研究现状,综述了单相、复相及掺杂FePt薄膜的制备以及对结构和性质的影响.复相或掺杂主要是通过结构的改变来降低L10晶相转变温度和FePt颗粒的大小,通过其耦合作用来影响FePt薄膜的磁学性能,使其成为超高密度存储器材料.     

CoCr基磁性薄膜材料的研究现状和发展趋势

简要介绍了磁记录用介质膜的发展趋势及面临的问题,介绍了垂直记录方式的优点,综述了国内外对垂直磁记录用介质膜材料的分类及研究现状,回顾和评述了CoCr基磁性薄膜的研究现状和发展趋势.     

FePt—MgO垂直磁记录介质的磁性和记录特性之间的关系

利用溅射和退火工艺制备了不同组分和厚度的FePt-MgO垂直磁记录介质,并用极化克尔效应测量了介质的磁滞回线,用spinstand测量了记录性能.研究结果表明,垂直记录介质中磁性晶粒间交换耦合的α值与退火前单层FePt的厚度成反比;信噪比与α值成反比;高频噪音与α值成正比.     

超高密度磁记录介质的研究进展与未来趋势

磁记录在过去的50年内经历了磁带、硬盘水平记录模式和垂直记录模式,其记录面密度达到～150Gbit/in~2,50年中记录面密度提高了约10~7倍。在未来5～10年内,磁记录面密度的目标是1000Gbit/in~2(即今天的6～7倍)。本演讲将从磁记录介质因素(磁晶各向异性能和磁有序诱发相分离)和记录模式两方面来评述磁记录面密度的发展过程和相关科学问题的解决、现在面,临的“瓶颈“困境以及未来的发展方向。首先从热力学的角度综述了最近几年对当前唯一可行的Co-Cr基合金介质发生的这种磁有序诱发相分离的认识和理解,通过实验证据和热力学计算来阐明该合金体系能形成纳米双相组织的成因,并解释有效合金化元素Pt、Ta、B对Co-Cr基合金薄膜提高其有效磁晶各向异性能和降低记录噪音的作用。详细分析该体系多元合金作为磁记录介质发展过程中的科学问题(磁晶各向异性能的改善、磁记录信噪比(SNR)的提高与双相组织的关系)以及目前面临的困境(超顺磁)和可能解决的方案。着重阐明未来可能的超高密度记录材料(相分离型合金Co-W和Co-Mo、有序化型合金CoPt和FePt,稀土型合金FeNdB和SmCo_5等)的研究进展和以上各种材料目前存...     

超高密度磁存储的展望

磁性存储是最常用的海量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。本文通过对信息记录、读出和存储三个过程的分析,对比了硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点,指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记录技术。同时,还指出量子磁盘技术是未来高密记录的方向。     

CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能

采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.     

新型磁存储介质L10有序FePt薄膜研究综述

L10有序FePt合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此极有可能成为下一代超高密度磁存储的介质,近年来引起了广泛的关注.详细介绍了Fept薄膜近年来的研究结果,分析了其大矫顽力的机制、降低有序化温度、控制易磁化轴取向、降低粒子间相互作用的方法等对磁存储至关重要的问题,并对其在磁存储中的应用前景作了分析.     

不同退火时间对[Ag/FePt]_(10)多层膜磁性能和微结构的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.     

FePtAg-C纳米颗粒薄膜的制备及表征

采用磁控溅射法在硅基片上生长FePt纳米颗粒薄膜。在硅片表面生长MgO籽层用来引发FePt合金薄膜的fct织构,加入C来减小其颗粒尺寸,加入Ag来增强其L10有序度。采用X射线衍射仪（XRD）、超导量子干涉仪（SQUID）和高分辨率透射电镜（TEM）对FePt薄膜进行表征。结果表明制备的薄膜样品具有优良的L10相结构,其M-H曲线表明方形度很好,垂直矫顽力HC有2467 kA/m,颗粒大小为10.4 nm。该薄膜非常适合用做下一代高密度磁存储媒质,可有效提高信息存储密度。     

不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究

利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.