X波段小型化无源限幅器的研究

采用微波混合集成电路设计方法,用并联PIN二极管和检波二极管,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。其电参数为:频率范围9GHz～10.5GHz;承受功率4W(连续波);泄漏功率≤5mW(Pin=4W,连续波);插入损耗≤2.0dB;驻波系数≤1.5;外形尺寸13.5mm×6.2mm×4.2mm;输入输出端:50Ω绝缘子。     

宽带微波限幅器模块的研究

采用微波混合集成电路设计方法，用二只并联 ＰＩＮ二极管芯片和一只检波二极管芯片，在很小的腔体内制作了微波限幅器模块。其电参数为：频率范围 ｆ＝１．０～５．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．４３ｄＢ，输入输出电压驻波比ＶＳｗＲ≤１．５，漏功率Ｐｌｉｍ≤１．８ｍＷ（输入功率为连续波１Ｗ时）。     

一种用于P波段小型化T/R组件的限幅器设计实现

文章介绍了一种采用三节并联PIN二极管芯片实现P波段限幅器的方法,简要阐述了其工作原理及实现过程,并通过试验件的研制验证了其性能指标。试验表明该限幅器具有插入损耗小、漏功率特别小、体积小等突出优点。目前已经在P波段T/R组件中得到了良好的应用。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法 ,用 PIN二极管和检波二极管 ,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。电参数为 :频率 f=2 .5～ 3 .0 GHz,插入损耗 IL≤ 0 .3 9d B,电压驻波比 VSWR≤ 1 .3 ,漏功率 Plim≤ 0 .5 5 m W(输入连续波 1 W)     

一种改进型高功率KU波段限幅器的设计

基于PIN二极管限幅器的器件原理,设计了满足电磁兼容系统要求的限幅器.研究了单级、级联和三级PIN二极管限幅器的性能.在此基础上,利用PIN对管和肖特基势垒二极管(SBD)对限幅器电路进行改进.在13-15 GHz输入连续波功率200W时,限幅输出功率0.04W,插入损耗小于0.1 dB.和参考文献对比表明,本文限幅器...     

PIN 限幅器微波脉冲效应数值模拟

分析微波脉冲作用下PIN 器件效应机理,基于半导体物理方程,热传导模型研究PIN 器件物理模型。基于大功 率微波脉冲作用下的器件高温强场特性的,选择Sentaurus-TCAD 软件中的相关物理模型,建立器件多物理模型-电路的 联合仿真模型;开展验证性实验结果与仿真结果在大于30dBm 的功率注入时比较吻合,证明仿真中使用的物理模型适用 于PIN 限幅器大功率微波脉冲效应机理分析。     

砷化镓PIN管单片限幅器

<正>在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在高功率的微波信号通过限幅器时,被衰减到较低的功率电平,而小功率微波信号则以较小的插损顺利通过。GaAsPIN二极管是实现单片限幅器的首选技术。GaAsPIN二极管在微波频段具有低的导通电阻,小的结电容,高击穿电压,易于集成等特点,因此采用GaAsPIN二极管的单片限幅器具有插损小、体积小、耐功率高等优点,受到广泛重视。南京电子器件研究所技术人员,基于现有的MOCVD材料生长技术和φ76mm砷化镓工艺线,成功开发了一套完整的砷化镓PIN管限幅器单片生产技术,其中包括GaAsPIN管的结构设计,GaAs限幅器的电路设计以及GaAs限幅器的工艺技术。已研制出的产品在各个频段带内具有低插损,承受功率大,泄漏电平低,无需外加偏置等优点。具体性能参数如表1所示。     

X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。     

C波段微波限幅二极管

设计了一种新的限幅二极管微带封装形式，可使器件良好地工作于Ｃ波段。     

小型化高功率微波限幅器研究

电子装备现已被大量应用,在如此复杂的电磁环境下高功率微波可导致接收机灵敏度下降甚至失效。为了满足高功率微波的防护需求,介绍了一种基于PIN 二极管的小型化高功率微波限幅器,体积为34 mm×Φ9 mm。测试结果表明,在0.3~2 GHz 频带内,该限幅器实现了小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5;可承受脉宽100 μs,占空比0.1%,峰值功率超过1000 W,漏功率小于17 dBm。国内外尚无类似指标限幅器相关报导。该高功率微波限幅器体积小、频带宽、耐功率高,可大大提高接收机可靠性,具有广阔的应用前景。     

L波段T／R组件噪声系数改善和控制

本文论述了L波段T／R组件接收噪声系数这一关键特性参数的构成,分析如何在设计生产和调试三个方面来控制和改善组件的噪声,提出了限幅器电路调试要点,从而,获得了良好的噪声特性。满足了L波段T／R组件噪声系数的设计要求。     

频率对PIN限幅器微波脉冲热损毁效应的影响

采用数值仿真和理论分析相结合的方法研究了频率对PIN（positive-intrinsic-negative）限幅器微波脉冲热损毁效应的影响.研究发现,在相同脉冲宽度情况下,PIN限幅器微波脉冲热损毁功率阈值随频率的升高而降低,由于在一定功率下虽然频率与微波脉冲能量无关,但是在相同脉冲宽度情况下,PIN管阻抗周期性增大的次数随着频率的升高而增多,使得PIN管平均阻抗增大,实际吸收能量增多.该规律对全面评估PIN限幅器的微波脉冲防护能力具有重要的意义.     

一种脉冲功率微波限幅器的设计

在限幅器最大输入功率理论分析基础上,根据PIN限幅二极管产品手册上最大连续波输入功率和给定脉宽下最大脉冲输入功率等条件,求解得到温度时间常数及任意脉宽下最大脉冲输入功率,给出了分析模型及计算公式。研制了实验验证电路,在频率1GHz、脉宽25μs、占空比1%条件下,最大脉冲输入功率43W,与理论分析相符。     

一种吸收式微波限幅器设计方法

本文介绍了一种基于lange电桥结构的吸收式微波限幅器设计方法。限幅电路采用PIN二极管和lange耦合器结构,可实现小型化和高性能限幅特性。测试结果表明,在S频段限幅器插入损耗小于0.9dB,可承受峰值超过100W的功率,限幅器隔离度大于26dB。该设计方法可显著缩小限幅器产品体积,提高限幅器性能,具有广阔的应用前景。     

一种可见光波段光学限幅器的研究

研究了八异戊氧基钯酞菁 (octa PdPc)掺杂有机改性溶胶 凝胶玻璃反饱和吸收和热散焦光限幅特性 ,初步研究了一种室内防护的可见波段脉冲和连续激光限幅器。对于 488nm波长 ,当限幅器的孔径为 2 2cm时 ,使用一层厚度为 1mm的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 30 %;在不改变孔径的情况下 ,增加一层相同厚度的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 9%。通过调小孔径或增加介质层数 ,限幅性能可进一步提高。对于 6 32 8nm ,5 14 5nm和 45 7 9nm波长的光 ,与 488nm具有相似的限幅特性。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法，用ＰＩＮ二极管和检波二极管，在很小的腔体内制作了小型化夫源微波限幅器。电参数为：频率ｆ＝２．５～３．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．３９ｄＢ，电压驻波比ＶＳＷＲ≤１．３，漏功率Ｐｌｉｍ≤０．５５ｍＷ（输入连续波１Ｗ）。     

宽带大功率限幅器小型化研究

采用微波混合集成电路设计方法,用并联二极管和检波二极管,在很小的腔体内制作了无源微波限幅器。其电参数为:频率范围2~18GHz;承受功率4W(连续波);限幅电平≤30mW(Pin为4W,连续波);插入损耗为2.5dB以下;驻波系数为2.0以下。外形尺寸为13.5mm×6mm×3mm;输入输出端为50?绝缘子。     

微波收信机中频放大器的自动增益控制

叙述了自动增益控制的基本原理,结构形式,控制方法,分析了在应用当中所遇到的问题,总结出一些解决问题的处理方法。     

Ku波段电调衰减器模块设计

采用混合集成电路方法，用燕联ＰＩＮ二极管芯片在很小的腔体内制作Ｋｕ波段吸收式电调衰减器，动态范围〉２０ｄＢ，电压驻波比〈１．４，插入损耗〈０．８５ｄＢ，相位变化插入态／衰减态为２．７°，传输时间〈１００ｎｓ，线性度优于１０％。介绍了该模块的电路原理，设计方法和结果。     

基于准周期阵列可调微波吸收体

在传统准周期阵列吸收体单元图形间集成一系列PIN二极管,通过控制PIN二极管偏置电流大小,可以实现吸收体反射特性的动态调节.自主设计了3种不同单元图形的可调微波吸收体,采用正弦信号和直流偏置相结合的激励方法,实现了吸收体PIN二极管阵列的有效驱动.微波反射率测量结果表明:在2～8GHz和8～17GHz两个频段,具有反射率动态可调特性.通过比较不同图形动态反射率曲线,发现由于不同单元图形对应的电感电容不同,反射曲线各异,通过对单元图形设计,可以实现特定的吸波要求.