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通过对Si(100)衬底上C60薄膜在不同温度处理后的AES谱线研究发现,C60分子于973K时开始分解,生成石墨类碳碎片,1073K时C原子已与Si原子键合形成SiC,1123K时C60分子全部分解,这一研究结果对解释C60分子促进金刚石成核将起到重要作用. 相似文献
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利用高分辨率的Guinier-Hagg相机和计算机控制的底片扫描及数据处理程序系统,测定了复合添加,组份为(Ca0.5Mg0.5)xSi12-3xAl3xOxN16-x(x=0.3、0.6、1.0和1.4)的α-Soalon的晶胞参数.材料由热压工艺制备而得.研究结果表明,当x≥1.0时,材料的主晶相为α-Sialon和含Mg的AlN多型体.(Ca,Mg)-α-Sialon的晶胞参数明显低于相同组份下的Ca-α-Sialon的晶胞参数·EDAX的结果进一步给出固溶进入α-Sialon的包括名义组份中90%的Ca++和少量的Mg++,而大部分Mg++进入AlN多型体,这一结果为净化α-Sialon陶瓷的晶界提供了新的有效途径. 相似文献
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以γ-氨丙基修饰介孔分子筛MCM-41内孔壁,将引入的γ-氨丙基与金属配位离子[Fe(bipy)2]3+通过配位键首次合成了金属配位化合物修饰的MCM-41(MCM-ap-Fe(bipy)2).通过XRD,77K氮气吸附-脱附曲线,固体UV-vis漫反射光谱和循环伏安曲线表征了复合物MCM-ap-Fe(bipy)2。由于[Fe(bipy)2]3+的引入,使 MCM-ap-Fe(bipy)2的结晶度降低, BET比表面积、孔容和最可几孔径急剧下降.γ-氨丙基与Fe3+的配位而使其UV-vis漫反射吸收光谱与MCM-Fe(bipy)2不同;循环伏安特性曲线表明MCM-ap-Fe(bipy)2在电化学上比浸渍法制备的MCM-Fe(bipy)2稳定. 相似文献
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前驱体制备途径对PFN-PMN二元铅基铁电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
综合运用 XRD、SEM、TEM、EDS和介电测量等方法,考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响.研究结果表明,对(1-X)PFN-XPMN二元系而言,在所考查的组成范围内(X=0~0.5);其居里温度与PMN的含量近似成线性关系,且随X的增加,居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随X的增加而降低.(预)煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响.对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较,并对其差异产生的可能机制进行了讨论. 相似文献
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C60-PMMA复合膜的纳米结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学有机沉积法,在Si(100)、KBr压片及微栅衬底上分别制备了C60/PMMA重量比不同的C60-PMMA复合膜、红外光谱分析表明,C60分子已均匀地分布在C60-PMMA复合膜中,利用X射线衍射(XRD)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了该复合膜的结构,结果显示原来均匀分布在PMMA中的C60分子经过扩散趋向于形成非晶或晶化的C60颗粒,经过退火,以面心立方结构单晶形式存在的C60颗粒的尺寸为30-100nm,且以规则的几何形体分散在PMMA连续相中,玻耳兹曼能量分布规律能够较好地解释,提高C60含量或退火温度,晶化C60颗粒尺寸增大的现象。 相似文献
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研究新合成方法下得到超硬材料C3N4,利用黑索今(RDX)炸药作为高温、高压源,以双氰胺(C2H4N4)为主要前驱体. 通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析仪(XRD)、X射线能谱分析仪(EDS)及红外光谱仪(FTIR)分别对输出压力为16GPa时制得样品的结构、形貌、价键特性和元素组成进行了分析与表征. 结果表明,XRD测试数据与理论计算值相符很好,样品中同时含有α、β、石墨相C3N4以及晶间相;样品中C、N元素质量比为1.00∶2.98,两种元素主要以CN形式成键;利用扫描电子显微镜观测到线度为2μm的六边形β-C3N4晶粒. 采用爆炸冲击合成方法合成出多晶C3N4粉末, 并对其合成机理进行了讨论. 相似文献
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先驱体热解制备富硼、氮BCN化合物及其发光性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以三聚氰胺和硼酸为原料,在水溶液中反应合成出纤维状C3N6 H6(H3 BO3)2先驱体,通过使其在高温氮气氛下热解制备出了富硼、氮BCN化合物.利用XRD、FT-IR、XPS、SEM、HRTEM等对热解产物进行了表征,采用FS测量了热解产物的室温光致发光光谱,研究了热解温度对产物及其光致发光性能的影响.结果表明,1000℃以上热解均可制备出乱层石墨结构富硼、氮BCN化合物.随热解温度的升高,BCN化合物中的B、N含量逐渐增大,C含量逐渐减小.BCN化合物的晶体形状为棒状或纤维状,由相互交织的平均直径在2nm左右的纳米纤维构成.这些BCN化合物均为宽带隙半导体,在340~450nm和670~705nm出现了两个很强的呈明显宽化的光致发光峰,且随热解温度的升高,短波长的发射峰波长基本呈逐渐减小的变化趋势. 相似文献
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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 相似文献
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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300℃. 相似文献
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采用原位合成与溶液共混的方法,制备了纳米羟基磷灰石(HA)-短切碳纤维(Cf)/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)生物复合材料, 研究了HA对HA-Cf/PMMA复合材料的力学性能和微观结构的影响. 采用万能材料试验机测试了HA-Cf/PMMA复合材料的力学性能,用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和红外吸收光谱仪(FT-IR)分析测试手段对材料的组成结构及断面的微观形貌等进行了测试和表征. 结果表明,采用卵磷脂改性后的HA纳米片与PMMA基体的界面结合性能得到了有效改善,显著提高了复合材料的力学性能;随着HA含量的增加,HA-Cf/PMMA复合材料的弯曲强度、拉伸强度、压缩强度、弯曲模量和拉伸模量均呈先增大后减小的趋势. 当HA含量在8wt%时,复合材料的力学性能最佳. 相似文献
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采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析. 相似文献
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Ag/TiO2薄膜结构和光催化性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用溶胶-凝胶技术制备了Ag掺杂的TiO2薄膜.用XRD、氮吸附法、UV-VIS-NIR分光光度计以及XPS对Ag掺杂后TiO2薄膜结构的变化进行了分析;用分光光学法通过在紫外光照下分解亚甲基蓝的实验比较了TiO2薄膜与Ag/TiO2薄膜的光催化性能.结果发现,掺杂适量的Ag有助于TiO2薄膜光催化氧化性能的提高,原因在于:(1)Ag通过引入耗尽层提高了TiO2的电荷分离能力,并吸引空穴向薄膜表面移动,结果使薄膜表面空穴的浓度提高,薄膜光催化效率提高;(2)Ag减小了TiO2粒子的粒径,使TiO2禁带宽度增大,薄膜光催化氧化的能力提高;(3)Ag掺杂后,TiO2薄膜表面对-OH基和水的吸附增加,使光照后TiO2薄膜表面活性自由基·OH的浓度增加,空穴向薄膜所吸附物质的转移能力提高. 相似文献
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锂钒氧化物纳米管的合成与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
利用溶胶凝胶法结合水热法, 以V2O5粉末和LiOH·H2O为原料, 十六烷基胺(C16H33NH2)为模板剂, 合成了锂钒氧化物纳米管正极材料. 对合成样品进行了SEM、TEM、XRD、FT-IR和XPS表征和分析, 并利用循环伏安测试研究了样品的电化学性能. 结果表明, 该法合成的锂钒氧化物为末端开口纳米管, 管壁为均匀有序的多层结构, 管长在1~3μm之间, 管内径约30nm左右, 外径约70nm左右. XPS分析表明样品中V、O、C、Li元素均由多种化学状态组成. 循环伏安测试表明, 锂钒氧化物纳米管具有良好的锂离子注入/退出可逆性. 相似文献