在双极型运算放大器中减小直流误差

虽然双极型运算放大器失调电压是固有的,但其量值要比场效应晶体管(FETS)低一个数量级,后者是由于它们的偏置电流低,所以广泛使用了。这篇报告将讨论双极型输入级的设计,当相等于场效应管的偏置电流时,它就要求保持一个低的失调电压和漂移。唯一的,对于高至125℃温度,偏置电流保持很小。 如(?)图1可以看出,这个设计利用一个按修正的达林顿连接的超增益晶体管。反偏晶体管Q_7为Q_1和Q_2提供相当地偏置电流,这个偏置电流可观地超过Q_3和Q_4的基极电流。实际上,这种偏置消除了复合晶体管连接的许多讨厌的特性。     

MOS管差分输入运算放大器的失调电压及其温度漂移

由于MOS管具有极高的输入阻抗(10~9～10~(12)),现已越来越广泛地用于各种运算放大器中。但是,由MOS FET代替双极型管作输入级时运放的失调电压及其温漂比较大。 本文分析MOS FET作差分输入级运放X56失调电压及其温漂产生的原因,同工艺的关系以及改进措施。     

一种高精度双极型采样保持放大器的设计

设计了一种高精度采样保持放大器.采用6 μm高压双极工艺,优化了电路输入结构,弥补了实际工艺制作中因输入晶体管及偏置电阻不能完全匹配所带来的输出误差.测试结果显示,该放大器能在6 μs的时间内完成采样,可满足12位A/D转换器的精度要求.     

用蓄电池供电、搭载低音增强电路的MOS-FET耳机放大器

本文介绍一款用两节内阻很低的12V铅蓄电池构成放大器电源的MOS—FET耳机放大器,由于铅蓄电池的内部阻抗在高频时仍然低,所以可以提高耳机放大器的信噪比。该耳机放大器的输入级选用FET上下对称差动电路,驱动级为双极型晶体三极管,输出级为MOS—FET。放大器的输出阻抗很低,1kHZ时为0.5Ω。残留噪声也极小,为4uV(JIS—A曲线校正)。该机还可以用作线路放大器。     

仿真电流镜输入偏置电流的方法

仿真电流镜的输出偏置电流是很简单的.您只需加上输入电流和测量输出电流,再计算它们的差就行了.然而,输出偏置电流不等于输入偏置电流,尤其当电路不是1:1电流镜时.高度精确地仿真输入偏置电流是比较复杂的.假设您正在处理1:1电流镜,并且想知道需要什么样的输入电流来得到10μA输出电流.在理想情况下,假如输入偏置电流为零,则输入电流是10μA.然而,由于双极晶体管的β值有限、输出阻抗有限以及失配等原因,输入偏置电流不等于零.图1所示设计,仿真精度高,仿真时间短.     

基于恒流二极管（CRD）的运算放大器低功耗研究

基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器（OPAMP）输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0．290 mA到0．433 mA变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0．239 mA到0．244 mA之间,且电流变化只有0．005 mA。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0．739 mA,而基于CRD偏置电路电流只有0．222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。     

偏流小、噪声低、失调电压漂移小的单片运算放大器

偏流极小、噪声低、FET 作输入的运算放大器芯片用来处理几个 pA的电流已不成问题。而且,它的失调电压漂移比得上最好的双极型器件。     

东芝公司试制出双极形MOS FET

东芝公司首次试制了一种新颖结构的双极MOS FET,这种新结构的晶体管兼 备有MOS FET的高速响应及双极晶体管的大电流控制特性,器件可用于自动控制等要求大电流控制的地方。 本FET就是利用电压控制的MOSFET原理的电导率调变现象,考虑了漏极区域的低阻抗特性的器件。试制器件有耐压为500V和1,000V两个品种,通导     

甲类50W/甲乙类130W完全对称型直流功率放大器

完全对称型直流功率放大器的基本电路是从真空管直流功率放大器演变过来的。由于具有两种载流子,两种特性相反的器件,所以半导体放大器在电路的构成方面比真空管放大器更加灵活、应用范围更加广泛。用同样的前置电路可以任意设置输出级的偏置电压,输出级可以用各种功率放大器件构成、包括N沟道MOS—FNT、P沟道MOS—FET、N沟道V—FET、双极型晶体三极管、真空管等。完全对称型功率     

HP StorageWorks XPl0000：让海量存储更简单

近日，凌特公司推出一系列具有像双极型放大器那样低的电压噪声的新型CMOS放大器。CMOS放大器通常以低输入偏置电流而闻名，但本身比双极型设计的噪声高。     

可在2Ω负载上输出231W的立体声大电流MOS—FET功率放大器

本文介绍一款可在2Ω负载上输出231W的直流音频功率放大器。为了能够驱动2Ω的负载，放大器的输出级必须使用大电流型MOS—FET．驱动级选用能对MOS—FET的大输入电容作快速充放电的双极型晶体三极管。第2级差动放大器选用线性好的双极型晶体三极管。该放大器在8Ω负载上可输出78W×2。其音质细腻、动态范围宽。     

了解这些 就可以搞懂IGBT

<正>绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。     

面向TIA和缓冲器应用的毫微微安偏置电流运放可实现500 MHz增益带宽

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出FET输入单路和双路运算放大器LTC6268和LTC6269,这两款器件为高速和大动态范围跨阻抗放大器（TIA）以及缓冲器应用提供了卓越的性能。LTC6268/LTC6269在25°C时的偏置电流仅为3 fA,在整个-40°C至125°C温度范围内的偏置电流最大值仅为4 pA,可分辨从几毫微微安至数安培的输入电流。     

提高线性集成电路性能和可靠性的工艺措施

设计和工艺技术之间理想的折衷方案已经产生出当前的高性能的线性集成电路。比如,线性技术公司的新产品、单片、双极运算放大器就有其特点,它的输入失调电压小到15μA、输入偏置电流小到100pA,象这样接近理想的参数是通过     

基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计

基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明：在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。     

超低输入偏置电流高精度放大器

LMP7721高精度放大器的输入偏置电流最低可达3fA，25℃时输入偏置电流保证不超过20fA，85℃时这个电流值保证不超过900fA，125℃时则保证不超过5pA，而且在整个输入共模电压范围内输入偏置电流都能保持在极低的水平。     

一种基于PJFET输入的高压摆率集成运算放大器

基于双极型集成工艺设计并制作了一种高压摆率、低输入偏置电流、低输入失调电流的运算放大器。输入级采用p沟道结型场效应晶体管(PJFET)共源结构,有利于减小输入偏置电流,提高信号接收的灵敏度,实现高输入阻抗、低偏置电流、低输入失调电流和高压摆率。增益级采用常规的共射放大电路结构。输出级采用互补推挽输出结构,提升了驱动负载的能力,并克服交越失真。测试结果表明：在电源电压±15 V、25℃环境温度下,开环电压增益为114.49 dB,正压摆率为12.33 V/μs,负压摆率为-9.76 V/μs,输入偏置电流为42.52 pA,输入失调电流为4.23 pA,输出电压摆幅为-13.56～14.16 V,共模抑制比为105.56 dB,电源抑制比为107.91 dB。     

偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响

选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系,研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响。此外,采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息。基于电性能测试和DLTS分析结果可以看出,双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度,不同类型的缺陷对于电性能的影响也存在明显差异。     

一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。     

介质谐振器稳频的微波自振混频器

介绍了利用介质谐振器稳频,用场效应管(FET)或双极型晶体管制成的微波自振混频器的工作原理、实验电路及测试结果。实验表明,在X波段使用FET混频器变频增益达5.8dB,噪声系数为13.0dB。在C波段使用双极型晶体管,获得变频增益为4.8dB。