三星研发OneDRAM新型整合芯片

三星电子日前开发出了一款新型整合芯片,取名“OneDRAM”。它采用双接口结构,整合了通常被简称为RAM或系统内存的静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。该芯片频率为133MHz,总容量为512Mbits。手机一类的嵌入式设备通常都包含了一个通用的处理器和一个用来处理特定任务的应用处理器,O     

计算机随机存储器

随机存储器（RAM）也叫主内存,俗称内存（Memory）,其广意指计算机中的各种内存,而RAM只是其中的一种。RAM的具体组件称为内存条,它的技术、性能及容量等随着CPU的更新而不断升级与提高,以适应更快更好的CPU运行的需要。RAM一般分为两类：动态RAM（DRAM）及静态RAM（SRAM）,由于SRAM的读写速度远快于DRAM,所以PC中SRAM大都作为高速缓存（Cache）使用,DRAM则作为普通的内存和显示内存使用。RAM的特点是可以随时存取数据,但是一旦断电,保存在其中的数据就会全都丢失。衡量DRAM性能的重要指标是RAM芯片的存…     

讲解CMOS

CMOS的原意是互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料,它是微机主板上的一块可读写的RAM芯片,用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOSRAM本身只是一块存储器,只有数据保存功能,对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。早期的CMOS设置程序是驻留在软盘上的（如IBM的PC／AT机型）,使用很不方便。现在多数厂家将CMOS设置程序做到了BIOS芯片中,在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序,从而能够方便地对系统…     

北桥芯片类型

北桥芯片(North Bridge)是主板芯片组中起主导作用的最重要的组成部分，也称为主桥(Host Bridge)。一般来说，芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的，例如英特尔845E芯片组的北桥芯片是82845E，875P芯片组的北桥芯片是82875P等。北桥芯片负责与CPU的联系并控制内存、AGP、PCI数据在北桥内部传输，提供对CPU的类型和主频、系统的前端总线频率、内存的类型(SDRAM，DDR SDRAM以及RDRAM等等)和最大容量、ISA/PCI/VAGP插槽、ECC纠错等支持，     

实现家用电脑功能菜单选择

随着微机的广泛应用,一机多用成为家用电脑的一个新特点。例如:运行AutoCAD、在WPS中编辑文字、程序以及运行ANI动画、游戏程序等。这样要在内存中根据需要对不同的应用软件安装相应的驻留程序,如运行AutoCAD时,需要安装MOUSE、PC-CACHE等;但在运行WPS—6.9时,由于SPDOS占用内存较大,特别是在模拟显示和打印时,容易内存不够,所以最好不要安装MOUSE、PC—CACHE等,但是在使用软驱拷贝等情况下,还很有必要安装CPAV软件驻留内存。虽然安装的程序有的相同,但是设置的参数确不一定相同,例如:运行AutoCAD程序和ANI动画,需要安装的:PC—CACHE的参数必须根据各个程序和机型来确定。因此,在使用微机运行应用程序时,必须启动相应的批命     

CMOS数据备份——初学者最重要的事

计算机主板采用一种称为互补金属氧化物(CMOS)存储器来存储系统配置和设置。它由一个镍镉电池来供电,以保证计算机断电后,CMOS信息得以保存。CMOS数据包括硬盘参数、软驱类型、存储器配置、I/O接口、中断设置、外部设备、能源管理等,电脑启动时要读取CMOS信息,并按此信息来自检硬件,并设置系统,然后再引导系统。     

PC机中的存储器

PC机中的存储器主要分为两大类:只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。ROM主要用于存储固定的程序。如显卡及主板上的BIOS程序等。工作时其读取数据速度较慢,一般为几百纳秒,因此在CMOS设置中有一些ROM映射选项。如Video ROM Shadow,System ROM Shadow等。其作用是将这些ROM中的一些程序映射到内存RAM中,以提高调用这些设备驱动程序时的工作速率。     

基于FPGA的面阵CMOS图像传感器多模式采集系统

设计了一种基于FPGA的CMOS传感器多模式采集系统,研究了普通模式、高速模式、TDI模式三种模式的开发及模式切换。在掌握CMOS面阵传感器的原理和特点的基础上,选用了合适的芯片及外围电路设计用于实现三种模式的CMOS面阵采集器。分析了三种模式下的CMOS面阵采集器的采集特点,采用以FPGA芯片为核心的硬件电路控制整个系统,用Verilog语言对FPGA芯片进行内部功能模块划分,包括模拟SCCB协议以完成对CMOS传感器内各寄存器的配置、开辟同步FIFO、RAM缓存等。最后对USB芯片固件及电脑驱动进行设计,并用VB与MATLAB混编的方式对图像数据进行处理并显示。     

高速8K×8的混合式CMOS静态RAM

一、概述微处理器广泛应用对静态RAM的高速、高密集度和低功耗产生了强烈的要求。为了满足这一需求,采用NMOS工艺的16K静态RAM已设计成功。但是在高密集度的RAM中,NMOS增强/耗尽(E/D)电路的功耗问题一直未能完美地解决。这里介绍一个混合CMOS工艺制造的高速8K×8静态RAM。这一工艺就是将CMOS外围电路和NMOS贮存器模片相结合,用此RAM在典型的试验条件下我们得到了34ns的地址存取时间和90mW的有效功率。这里我们采用了带有4个子模块的分方位模片结构和一个新型的读出放大器。除了冗余贮存器单元之处,这个RAM包括     

微机CMOS正确设置和维护

5 扩展CMOS设置 扩展CMOS设置主要针对系统板和芯片组(CHIPSET),如高速缓存、影子内存、协处理器、快速A20、内存刷新、总线及I/O时钟、奇偶校验等设置,故又称板级和芯片级的设置。这些设置一般由硬件工程师来进行。但如果用户能掌握这方面的知识和技巧,会大大提高使用微机的水准。 扩展CMOS设置项以AMI最为丰富,     

CMOS中频数字接收机片上系统的设计与实现

随着CMOS工艺技术的进步,集成化、小型化成为电子器件的发展趋势。提出了一种基于CMOS工艺的中频数字接收机片上系统(SoC)方案,实现了将射频接收前端、A/D转换器(ADC)、数字下变频器(DDC)和数字基带处理器集成在一个芯片上。该芯片采用0.18 μm CMOS工艺,芯片面积为(7×8)mm²。在0.5~4 GHz范围内完成了芯片测试。测试结果表明,SoC芯片射频接收前端的镜像抑制比为46.3 dB,系统噪声为9.4 dB,增益控制范围为54.4 dB,满足系统的指标要求。该芯片在小型化、集成化、高可靠性电子系统中有广泛的应用前景。     

三星开发16芯片封装技术

2006年11月2日国际报道,在对减小MP3播放机、手机尺寸的永无止境的追求中,三星已经发现了一种新的封装技术,能够在原来只能容纳一个内存芯片的空间中封装16个内存芯片。当采用8Gb的闪存芯片时,整个模块的容量将达到16GB。这种多芯片封装技术能够在一个模块中包含不同类型的芯片     

信息园

东芝 Infineon开发铁电内存即便掉电也不丢数据东芝和 Infineon日前宣布 ,它们已合作研发出拥有庞大记忆容量的微型铁电随机存取内存 (Fe RAM)芯片。从 2 0 0 1年起 ,东芝和 Infineon的 5 0名工程师就一直在东京郊外的横滨东芝半导体技术中心和东芝先进微电子中心研发这种存储芯片 ,这种新型随机存取内存将芯片整体面积缩减至仅 96平方毫米 ,是传统组件的一半大小 ,将有助降低成本。东芝公司发言人表示 ,这个 32 Mb铁电随机存取内存芯片上日前已知最高容量的一种内存 ,相当于三星公司一年前发表的类似组件。它具有耗电量低的非挥发性特…     

CMOS静态RAM的掉电保护

在数据采集、过程监测与自动记录、自动化仪器仪表等领域,经常需要对采集的数据、运行的状态以及计算的中间结果等采取必要的保护措施,以防止由于供电系统突然断电导致信息的丢失。对于造价较高的微机系统,可采用不间断电源(UPS)对系统进行一定时间的保护,但对于需长时间保存RAM中的信息,上述方法已不适用,这时可以采用后备电池给RAM供电,从而保护必要的内容。微型计算机主机使用的RAM可分为两大类,一类是动态随机存贮器(DRAM),另一类是静态随机存贮器(SRAM)。DRAM工作时需要时时对其内容刷新,否则信息就丢失。一般说来,刷新信号来自CPU,这样要使DRAM的内容不丢失,不仅要给DRAM供电,而且还要使系统不断电,显然耗电大,不宜用后备电池保护。SRAM的内容在微机工作时不需要刷新,只要其电源电压不掉电就可以长久保持。对于CMOS静态RAM来说,在静态时消耗的电流仅是微安级,若采用常用的5号电池,也可以给CMOS静态RAM供电两年以上。由于CMOS电路工作可靠、耗电省、可以方便地与TTL电路匹配,而且用电池供电成本低,更换方便,所以下面介绍经常使用的几种CMOS静态RAM的掉电保护的方法。     

海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技     

数字视频控制芯片的设计

CMOS图像传感器技术逐渐成熟并广泛应用.设计了一款用于CMOS数字摄像头的视频控制芯片,满足30 f/s(帧/s)的视频采集、处理、存储与显示;该芯片集成摄像头寄存器配置块与数据采集接口、外缓存SDRAM接口、外转存储接口以及图像阵列显示接口;设计通过Verilog硬件描述语言进行RTL(Register Transistor Level)建模,在FPGA开发板上进行验证.实验结果证明,该控制芯片可以作为独立专用集成电路,嵌入式应用在数字视频系统中.     

新兴内存技术涌现,迈入商业化尚待时日

在2006年,若干新兴的内存技术大踏步向着完全规模商业化迈进,虽然它们尚未准备好对在该领域占据支配地位的DRAM或闪存构成挑战。对这些技术成就我们没有做特别的排名,它们包括飞思卡尔公司的商用4Mb磁阻RAM(MRAM),三星电子股份有限公司的相变RAM(PRAM)和全息内存,InPhase Technologies     

AT／286上实时钟的在线显示

AT/286以上兼容机装备了RT/CMOS RAM芯片,在机器下电后由后备电池支持芯片继续工作,从而不仅支持每天的时间更新,而且支持日期(年、日等)更新,故称实时钟。实时钟的工作原理如下图所示。专用振荡器经22分频成1024Hz的方波。这方波既送内部时钟控制电路计时,也送8259A从片的0级作IRQ8,触发     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

清除CMOS病毒

要清除隐藏在CMOS RAM中的病毒,一般可以使用放电法清除,但这对大多数不熟悉计算机硬件的用户是很不方便的。下面介绍用MS—DOS的DEBUG编写的一个小汇编程序形成一个文件名为CMOSCLR。COM的可执行文件,在DOS环境下执行它即可彻底清除CMOS RAM的全部信息(包括密码)。注意,执行之前最好先将CMOS的设置情况记录下来,以便恢复时参考。程序如下(其中“一”为DEBUG的提示符,1A7E:010X为存储器地址,各机型略有不同):