亚微米i线投影光刻物镜的光学设计与研制

叙述亚微米投影光刻物镜光学设计要点：光刻分辨力Ｒ与波长λ、数值孔径ＮＡ的关系；光学系统双远心的构成方法；光刻物镜的象差校正优化设计中的需控目标值等问题。介绍一个亚微米ｉ线投影光刻物镜的设计结果、光学制造公差和质量控制方法，以及其主要性能测试结果。     

0.8μm投影光刻物镜研制

介绍了０．８－１μｍ分步重复投影光刻机投影光刻物镜双远心成象原理及设计研制。所研制的ｇ线１／５精密投影光刻物镜，其数值孔径ＮＡ＝０．４５，视场１５ｍｍ＊１５ｍｍ，畸变不超过±０．１μｍ。     

高性能投影光刻物镜MTF曲线平滑特性的探讨

用投影光刻法刻制大规模集成电路精细线条,必须顾及光学系统在一定离焦范围内均满足光刻工艺技术要求。本文以五倍光刻物镜为例,介绍了工作频率为300对线/毫米,象方线视场φ28毫米,轴上点及轴外点的波差传递函数MTF曲线一致性好,并在±2微米离焦范围内MTF曲线变化平滑,且满足MTF≥0.4关键性问题。     

0.8～1微米分步重复投影光刻机

０．８～１微米分步重复投影光刻机中国科学院光电技术研究所承担的国家“八·五”科技攻关项目“０．８～１微米分步重复投影光刻机”，于１９９６年１月通过了国家验收，１９９６年１１月至１９９７年４月在北京微电子中心按“０．８微米ＣＭＯＳ全套工艺”进行工艺考核...     

0.35μm分步重复投影光刻关键单元技术研究通过验收

今年4月18日,中国科学院光电技术研究所承担的中国科学院“九五”重大科研项目“微电子专用设备”的0.35μm分频重复投影光刻关键单元技术研究”课题,在北京顺利通过中国科学院主持的专家评审验收。由清华大学、信息产业部708厂、山东工业大学、北京大学、信息产业部700厂、中国科学院微电子中心、中国科学院半导体所及中国科学院高技术与发展局等单位的九位同行专家组成的评审组,听取了项目负责人姚汉民所作的项目研究总结报告及课题组的“0.35μm分步重复投影光刻关键单元技术研究”课题研制报告,测试组的测试报告,资料审查组的资料审查报…     

亚微米i线投影曝光机曝光能量积分和快门控制系统

主要介绍了亚微米ｉ线投影曝光机上使用的曝光能量积分快门控制系统。论述了新的设计方法和工作原理,在曝光期间挡光快门旋转３６０°是本系统的一个重要特点。该系统获得了小于０．５％的控制精度。     

我国反渗透技术发展浅析

我国反渗透技术发展浅析马成良（北京先路水处理新技术公司，北京１０００８１）经过国家“七·五”、“八·五”科技攻关，我国反渗透技术已经从实验室研究走向工业规模应用近两年来，却出现了进口反渗透产品几乎占领国内市场的现象参加过科技攻关的单位，也基本停止...     

数字光刻缩微投影系统物镜的设计

针对高精度数字光刻的缩微光学投影系统,提出并设计了一种适用于0.7XGA型数字微反射镜(DMD)的6片式数字光刻缩微投影物镜。通过优化和拼接三片式物镜结构,得到数值孔径NA=0.1,放大倍率为-0.2558,分辨力达3.5μm,不受DMD栅格效应影响且达到衍射极限的缩微物镜。经过Zemax软件模拟得到其全视场光程差小于λ/5,145cycles/mm处的调制传递函数(MTF)大于0.58,充分说明该缩微物镜已经达到光刻物镜设计要求。利用Monte Carlo分析方法,模拟加工装配了100组镜头,设定空间频率为145cycles/mm时,90%的镜头FMTF>0.55,验证了加工装配实际可行。     

高精度光刻物镜的变形研究

高精度光刻物镜是微电子光刻专用设备中的关键部件之一,不仅要求光刻物镜的精度高,还要尽可能地减小装调误差。根据 193nm 光刻物镜的光学零件结构尺寸,利用大型有限元分析软件 Algor 和材料力学的应力变形理论,求得了结构形式与重力变形关系,支撑方式与变形的关系,材料不同时的变形趋势图,为整个光刻物镜的装配和调校提供了依据。研究表明,非均匀支撑是引起重力变形的主要原因,在物镜口径φ300mm 时采用 9 点以上支撑方式其最大变形量基本恒定,并可预留加工“误差”补偿重力变形。     

极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计

极紫外投影光刻（EUVL）两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。本文分析了这两种结构在EUVL不同发展阶段的设计特点，并依据有限距反射系统像差理论，从解析解出发，设计了两套平场两镜系统，分别用于对分辨力为70nm、无遮拦、环形视场扫描曝光系统及目前研制的EUVL 32nm技术节点小视场曝光系统的研究。系统设计指标满足极紫外投影光刻要求。     

将1微米投影光学计改为0.2微米的读数

现在我厂用作精密测量的0.2微米投影光学计是由东德蔡司厂1微米投影光学计改装而成的,经北京市计量处鉴定认为符合要求。这项改革的工作量不大,做法简单易行。经多年使用证明改装后精度高,示值稳定,性能良好。一、仪器的结构刻度值为0.2微米和1微米的投影光学计的光路如图1a所示。光源1通过聚光镜2和棱镜3,将位于物镜6焦平面上的刻线标尺 4照亮(刻线标尺的结构及尺寸见图1b)。根据几何光学的成燉原理(图1d)可知,当刻线标尺上的光线经物镜6射向反射镜组7和8,并由摆动反射镜8将入射光原路反回后,标尺的刻线必定在与其同一焦平面的指标线位置上成像(图1c)。此时,标尺的刻线像便和指标线重合,并由投影目镜12放大,经过倒向反射镜13、14和15,将标尺刻线和指     

用沉积－扩散法生产Fe－65mg·g~（－1）Si合金薄带的扩散过程计算机模拟

沉积－扩散法是制备特殊材料的有效方法之一用计算机模拟研究了沉积一扩散法生产Ｆｅ－６５ｍｇ·ｇ－１Ｓｉ合金薄带的工业可行性及热处理工艺条件（温度、气氛浓度、时间等）的影响计算结果表明：沉积一扩散法制造工业用Ｆｅ－６５ｍｇ·ｇ－１Ｓｉ合金薄带是完全可行的；二步扩散较单步扩散明显缩短生产时间     

小建议二则

一、给立式光学比较仪装上投影装置 JD、型、JDG-1型立式光学比较仪的投影装置由投影照明灯、反射镜和投影筒组成。投影筒又由屋脊棱镜和投影屏组成,如图1所示。其光学原理是:微米标尺象和指标线通过投影物镜、屋脊棱镜和反射镜后被同时放大并投影在投影屏上。为了更加方便地观察影象和提高对线精度,我们在投影屏前面的45 mm处又加上一个二倍放大镜(透镜),使投影屏所呈     

MgO—B2O3—SiO2—Al2O3—CaO中含硼组分析晶动力学

根据玻璃形成动力学理论，计算了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＣａＯ渣系中含硼组分２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的成核速度（Ｉ）和晶体长大速度（Ｕ），获得了２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成的最佳温度．采用化学分析、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和差热分析（ＤＴＡ）等方法研究了热处理温度对ＭｇＯ—Ｂ２Ｏ３—ＳｉＯ２—Ａｌ２Ｏ３—ＣａＯ渣系硼提取率的影响．结果表明：硼渣最佳热处理温度与２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３晶体形成最佳温度一致。     

紫光高均匀照明实验装置及结构设计

介绍了一种可对分步重复投影光刻机照明系统性能进行研究的紫光高均匀照明实验装置及总体结构设计，说明了在该装置的结构设计上所遇到的主要问题及解决方法，使用此装置可以对照系统在多种不同照明条件下的照明均匀性等性能进行实验研究，并且可光刻物镜，工件台组合成一套曝光系统，开展微细加工光刻技术的曝光实验研究。     

光刻物镜高精度挠性结构镜框设计及分析

光刻投影物镜的透镜支撑形式决定透镜的面形精度,进而影响光学系统的成像质量。本设计为实现透镜面形精度优于5 nm的RMS值,提出一种三点挠性主支撑和六点弹片辅助支撑的支撑形式。综合考虑透镜自重、夹持力和热载荷对透镜面形影响,对支撑结构进行优化设计,并进行了仿真分析。仿真后的面形结果为：上表面面形PV 21.7 nm,RMS 4.49 nm;下表面面形PV 81.3 nm,RMS 3.63 nm。仿真结果显示：该种透镜的支撑结构可以满足光刻投影物镜的高精度面形指标要求。     

软X射线光刻研究现状和发展

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 X射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 X射线光刻及其应用研究是目前国际上非常活跃的高技术领域。把软 X射线光刻列为重要发展项目。本文摘要综述德国、美国、日本、俄罗斯等国近年来在软 X射线光刻关键单元技术及整机研究和发展方面的概况、预计下世纪初美国和日本将有软 X射线投影光刻机投入工艺生产线     

0．8—1微米分步重复投影光刻机问世

０．８—１微米分步重复投影光刻机问世由中国科学院成都光电所承担的国家“八五”重点攻关项目─—０．８—１微米分步重复投影光刻机已通过由电子部主持的国家级验收。验收小组专家一致认为：该光刻机主要技术指标达到攻关合同要求，工作分辨率达０．８微米，整机性能指...     

《低温与特气》1987年度总目录

题目期页题目期页26 28 24 747551勺,主八O勺自Q口 n乙几Q CJ通J毯 综述评论氢能源的开发和应用(二)”·”·“··”······一2特种气体一八氟丙烷合成路线简评····“··“一11985~1987年工业气体公司的国际合作与 经营活动·······“·”······“·“.·”···……4日本的工业气体”··””·”··“··”·······”·~·……3日本半导体工业用气体的生产和经营厂家 简介一”····””··”·”“······”··”……2苏联低温技术与工艺”·”·“·····”········“一4斯特林…     

粗糙度对极紫外投影光刻掩模的影响

基于Nevot-Croce模型,计算了一系列具有粗糙界面的极紫外投影光刻掩模的反射光谱。通过拟合计算结果,得到了峰值反射率、带宽和中心波长与粗糙度的函数关系。根据光刻系统对照明均匀性的要求,讨论了在相同粗糙度变化范围内,分别由峰值反射率、带宽和中心波长引起的照明误差。结果表明,粗糙度对极紫外投影光刻掩模的峰值反射率影响最大。当掩模粗糙度为0.85±0.04nm时,峰值反射率将产生±0.9%的波动,并由此产生±1.5%的照明误差。为保证由峰值反射率导致的照明误差小于±1%,极紫外投影光刻掩模的粗糙度必须控制在±0.025nm以内。