JEM—1200EX型电镜SENSITIVITY值与电子照射密度之间关系的测？…

ＳＥＮＳＩＴＩＶＩＴＹ（ＳＥ）代表电镜在照射镜底片上的电子照射密度（σ）。通过测量,分析ＳＥ取各不同值时ＥＸＰ ＴＩＭＥ及其相应的ＣＵＲＲＥＮＴ ＤＥＮＳ的取值范围,计算出与各ＳＥ值相对应的电子照射密度σ（即ＥＸＰ ＴＩＭＥ值与ＣＵＲＲＥＮＴ ＤＥＮＳ值的乘积）的取值范围。由此,分析、计算出ＳＥ与σ的关系及及关系曲线。     

JEM-1200EX电镜底片数据显示的调整

日本电子公司的ＪＥＭ１２００ＥＸ电镜在拍摄电镜照片时,通过一个底片数据显示ＣＲＴ,可以将放大倍数、加速电压、显微标尺等数据及一行１２个字符的注释内容打印到底片的一个注释框中记录下来,这一功能为底片的保存提供了很大的方便。通常底片注释框在电镜安装时已由厂方安装人员调整好,用户在使用时不必再对其进行调整。但是如果用户在下述特殊情况发生时,就需要对底片注释框进行重新设定。①用户更换了所使用的电镜底片的生产厂家时。不同厂家生产的电镜胶片,在感光性能上往往存在着较大的差别,因此在更换了不同厂家生产的底片…     

JEM—1200EX型电镜荧光屏幕电路系统故障的排除

通过检测证明:控制小荧光屏数字显示的集成块(IC_1)坏了。我们换上了一个相同型号的集成块(IC),并对电路做了合理的处理,又对大、小荧光屏幕的检测系统的电路做了重新调整,使电镜恢复了正常工作。     

JEM-1200EX型电镜皮拉尼规PIG4(RT)的调整

维修手册[1]的有关内容介绍了VAC=DVS的PIG4的调整方法。而我室的电镜VAC=DCS。我室的电镜,由于PIG4即RT的皮拉尼规老化而使电镜的抽真空时间变为几小时,甚至达几十小时。因此,我们参考维修手册的调整方法对PIG4进行调整。根据维修手册中介绍的VAC=DVS的PIG4的调整方法:首先,是将RT的皮拉尼规安装到照相室内,利用照相室的高真空将PI4的最小值调整为25μA(即TP4的电压为25mV),之后,在大气压时将PI4的值调整为250μA(即TP4的电压为240mV)。其次将RT的皮拉尼规装回到正常位置上来,依次调整其他值的控制信号;1.PI4值增加到2…     

JEM-2000EX电镜高压控制线路的分析与故障检修

高压电源是电子显微镜的主要组件之一，高压稳定性的好坏直接影响到电子显微镜的性能，倘若高压电路发生故障，电子显微镜将无法工作。JEM-2000EX透射电子显微镜的高压系统由高压箱(HTTANK)、高压控制单元(HT UNIT图纸编号606147357)以及低压电源等所组成，高压控制由计     

通用电子计数器的测量原理与误差分析

主要介绍了通用电子计数器测量频率原理及测量周期的基本原理，并对测量过程中的误差进行了分析。     

JEM-1200EX透射电子显微镜故障检修

故障一　开机后仪器真空系统正常,计算机显示屏只显示一行字“FCITFPBError”,按复位键及其它键均无反应,呈“死机”状态,仪器右面板各键指示灯全亮。故障分析　仪器正常时,开机后几秒钟计算机即转到显示各参数的初始状态。这台电镜以前也常出现“死机”现象,原因大多为MPUPB板上的微处理器芯片8080A、CMEMORY板上的6只EPROM集成块接触不良造成,一般是把它们拔出,清洗管脚后再重新插入,并用万用表检查每个管脚都与线路板连通,仪器基本都能恢复正常,但这次无法恢复。该电镜计算机系统具有自检功能,哪一块线路板出现问题,会在计算…     

JEM-1200EX透射电镜故障排除二例

我校购进的JEM-1200EX透射电镜是日本电子公司1986年产品，近20年来，该仪器使用率很高，在我校的教学和科研工作中发挥了重要作用。在使用过程中，仪器先后发生了一些故障，均由我室技术人员自行解决，现将两个故障维修经验总结如下，以供拥有相同型号电镜用户参考。     

JEM-1200EX透射电镜照相系统故障分析

本文讨论了JEM-1200EX透射电镜拍片过程并对所发生的故障进行了分析。显然,这对于准确及时地排除同类型电镜故障是有益的,对于排除其它类型电镜故障也有参考价值。本文所用符号参见JEM-1200EX透射电镜电路图第17～20页。JEM-1200EX透射电镜拍片程序JEM-1200EX透射电镜拍片过程包括三个程序。第一是取片程序。当第一次按PHOTO键后,微机CPU接受终端取片请求,发指令给继电器Ry1供电。Ry1结点闭合,使传送底片马达M1供电,传动机构齿轮联动,机械手移至供片盒,并从中取出底片送至荧光屏下曝光位置。与此同时,底片到位开关S1和要求马达…     

JEM-2000EX电镜消像散电路的故障分析与检修

故障现象电镜在正常工作中,图像像散突然增大,更换物镜光阑孔图像像散无变化;按下控制面板上的OBJSTIG1键或者OBJSTIG2键,调节DEFX、Y图像像散也不能被消除。且计算机CRT上显示物镜消像散线圈电压值变化范围始终处于正值;电镜自检,CRT上显示“DEFPBERROR”。线路分析JEM-2000EX电子显微镜消像散电路大致可分为输入电路、控制板接口电路、计算机控制电路、计算机接口电路、数据锁存及D/A转换电路、比较自检电路、消像散控制电路、消像散驱动电路和消像散线圈等所组成。其线圈电流的变化是通过调节面板上的DEFX、Y来控制的…     

Numerical simulation of complex electron optics by the charge density method

A numerical simulation of complex electron optics, typically electrostatically focused CRT, is described. The simulation is based on a charge density method and has very limited memory requirements. It allows an accurate and interactive evaluation of the effects of the geometrical structure and applied voltages on the electron ray shape. The results are compared with a finite-differences large computer simulation and with experimental measurements on spot diameter.     

Simulation of charge effects on density maps obtained by high-resolution electron crystallography

Atomic scattering factors for electrons are strongly affected by the charge status of the scattering atoms. The difference in scattering factors for charged and neutral atoms is most pronounced in the resolution range below 5 A. As a result of the negative scattering factors of negatively charged atoms in the low-resolution range, charged glutamate or aspartate residues produce weaker densities in electron crystallographic maps than their neutral forms. Such charge effects were indeed observed in an experimental map of bacteriorhodopsin. Here we present mathematical simulations of this charge effect on electron crystallographic density maps that corroborate the experimental results. For the simulations, we first evaluated the errors introduced by approximating atomic scattering factors for neutral and charged atoms by Gaussians. The simulations then showed that the effect of a polarized pair of oxygen and hydrogen atoms on the density (polarization effect) was much smaller than that expected from the individual charged atoms (charge effect), due to charge compensation. Still, density maps obtained by electron crystallography are expected to show slightly elongated features toward the positively charged atoms.