集成FBAR滤波器的高增益GPS低噪声放大器

在2．7V和6mA的典型工作条件下，ALM1612 LNA／滤波器模块可以提供优异的性能表现，包括0．9dB的噪声系数、18dB的增益、＋2dBm的输入三阶截点（IIP3）以及超过65dBc的移动通信Cell／PCS频带抑制能力。     

ALM-1912：GPS前端接收方案

Avago公司的ALM-1912是一个GPS前端模块，结合了高增益低噪声放大器（LNA）和GPSFBAR滤波器。LNA采用Avago专利的GaAs增强模式pHEMT工艺，在确保低噪声和高线性度的前提下实现高增益，同时严格控制了噪声指数分布。     

用于WiMAX的高线性度1W和2W放大器

可以支持750MHz～3．9GHz频带,ALM～31X22功率放大器内置有源偏压电路并且不需射频匹配器件。在典型的5V和400mA偏压条件下,ALM-31122可以在900MHz下带来31．6dBm输出功率（P1dB）、47．6dBm的OIP3和15.6dB增益。ALM-31222则可以在2GHz时提供31．5dBmP1dB、47．9dBm OIP3和14．9dB增益的输出。     

XC2406，2407，2408：低噪声放大器

特瑞仕半导体推出采用CMOS工艺、附带ON／OFF功能、用于GPS的小型放大器LNA（低噪声放大器）的3种产品。XC2406、XC2407、XC2408是附带ON／OFF功能、用于1．6GHz的GPS的LNA。在实现低NF（0．96dBTYP）的同时,达到增益18dB（XC2406）,15dB（XC2407）,22dB（XC2408）的3种产品,使用者可依不同用途进行选择。工作电压范围在1．71V-3．63V之间,备有3．45V、3．00V、     

模拟与混合信号

集成滤波器的GPS低噪声放大器Avago推出一款内置滤波器的GPS低噪声放大器(LNA,Low Noise Amplifier),它拥有相当低的噪声指数和高线性度,Avago的ALM-1412提供了卓越的GPS信号接收灵敏度,ALM-     

3．1～10．6GHz超宽带低噪声放大器的设计

基于SIMC0．18μmRFCMOS工艺技术,设计了可用于3．1—10．6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级结构：第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明：在电源电压为1．8v的条件下,所设计的LNA在3．1～10．6GHz的频带范围内增益（521）为20dB左右,具有很好的增益平坦性f±0．4dB）,回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4．5dB左右,IIP3为-5dBm,PIdB为0dBm。     

具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。     

安捷伦超低噪声放大器模块

安捷伦科技有限公司（Agilent Technologies）日前宣布推出具有业内最低噪声指数（介于0．9到3．5GHz间）的单晶微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）模块，其关断（shutdown）功能可提升GPS手机的功效。安捷伦的ALM-1106放大器模块具有低噪声指数（可提高灵敏度）、袖珍尺寸、低压操作和节电等特性，成为手机中GPS接收器的理想选择。ALM-1106的操作电压为1V，其关断功能可降低待机电流，并采用了无引线、     

DVB-C系统中射频宽带低噪声放大器电路的设计研究

本文根据DVB系统对LNA的特殊要求,阐述了负反馈展宽放大器频带的原理,讨论了通过设计并联负反馈的手段来实现LNA宽频带稳定性,并在此基础上,设计出一种宽带LNA的拓补结构,并采用将负反馈解析计算与仿真优化相结合的LNA设计方法,给出了LNA最终设计的仿真及实测结果.实验结果和设计结果吻合较好.该LNA带宽为50 MHz～900 MHz,功率增益10.4 dB,带内增益波动0.6 dB,带内噪声系数2.7 dB～3.5 dB.     

带有ESD保护,900MHz/2.4 GHz Dual-BandCMOS LNA的设计

设计了一个可以同时工作在900 MHz和2.4 GHz的双频带(Dual-Band)低噪声放大器(LNA).相对于使用并行(parallel)结构LNA的双频带解决方案,同时工作(concurrent)结构的双频带LNA更能节省面积和减少功耗.此LNA在900MHz和2.4 GHz两频带同时提供窄带增益和良好匹配.该双频带LNA使用TSMC 0.25 μm 1P5M RF CMOS工艺.工作在900MHz时,电压增益、噪声系数(Noise Figure)分别是21 dB、2.9 dB;工作在2.4 GHz时,电压增益、噪声系数分别是25dB、2.8 dB,在电源电压为2.5 V时,该LNA的功耗为12.5mW,面积为1.1mm×0.9 mm.使用新颖的静电防护(ESD)结构使得在外围PAD上的保护二极管面积仅为8 μm×8 μm时,静电防护能力可达2 kV(人体模型)     

1．575 GHz GPS下变频器MRFIC1505

MRFIC1505 1．575 GHz GPS下变频器适合用在GPS接收器中，其内部集成有LNA(低噪声放大器)、混频器、VCO、PLL、晶体振荡器、A／D转换器和回路滤波器。其RF输入频率为1575．42MHz，IF输出频率为4．1MHz，具有105dB的典型转换增益，采用2．7V的工作电压；28mA的典型电流消耗，采用LQFP-48封装。MRFIC1505可用在移动电话及PDA附件、便携式导航和个人安全系统、财产跟踪、远程信息处理等设备中。     

基于ADS应用于GPS的低噪声放大器设计与仿真

设计了一种应用于GPS射频接收机中的单端低噪声放大器（LNA）,并利用安捷伦公司的ADS软件对电路进行了仿真。电路采用TSMC0．13μm工艺库模型,仿真结果表明在1．57GHz工作频率下,可以实现0．9dB的噪声系数和20dB的增益,较好的匹配（输入输出回波损耗S11,S22≤-20dB）,并且在1．2V电源电压下功耗仅为6mW。     

一种接收前端三级低噪声放大器的设计

针对单片雷达接收机中对低噪声放大器（LNA）的要求,采用CMOS0．18,um工艺设计了一个三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对设计的放大器仿真,其结果为：最大供电电压为5V情况下,信号频段为3．0～3．2GHz,中频输出为225MHz,功率增益≥31dB,噪声系数（FN）≤O．5dB,1dB点的输入／输出功率分别为-19．5dBm和11．5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。     

一种采用有源电感的可调增益小面积超宽带低噪声放大器

设计了一款采用可调谐有源电感（TAI）的可调增益的小面积超宽带低噪声放大器(LNA),输入级采用共基极结构,输出级采用射随器结构,分别实现了宽带输入和输出匹配;放大级采用带有反馈电阻的共射共基结构以取得宽的带宽,并采用TAI作负载,通过调节TAI的多个外部偏压使LNA的增益可调。结果表明,该LNA在2~9GHz的频带内,通过组合调节有源电感调节端口的偏压可实现S21在16.5~21.1dB的连续可调;S11小于-14.7dB;S22小于-19.3dB;NF小于4.9dB;芯片面积仅为0.049mm2。     

基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器

采用0．18μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器（LNA）设计。共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50欧姆阻抗匹配。同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5．2GHz,1.8V电源电压,能提供20dB的增益（S21为20dB）,而噪声系数为1．9dB,输入匹配较好,S11为-32dB。     

C波段低噪声放大器设计

对低噪声放大器(LNA)匹配电路和偏置电路等与LNA设计相关的问题，尤其针对设计微波LNA主要的难点，即噪声匹配和功率匹配的兼顾以及全频带稳定的实现问题作了简要回顾和介绍。作为应用，借助商用CAD软件设计了三级放大管级联结构的C波段LNA，其每一级均为NE334S01高电子迁移率场效应管(HENT)，仿真结果令人满意。按此设计加工的LNA具有低噪声(常温下典型噪声系数为0.6dB)、小的端口反射(回波损耗好于15dB)、平坦的增益(30dB增益，典型带内波动为0.5dB)以及良好的稳定性。由于测试结果和仿真偏离不大，因此无需任何调试，可重复性好，适于大批量生产。     

用于IEEE802．11b／g WLAN直接下变频接收机的射频前端设计

介绍了一种应用于IEEE802．11b／g无线局域网接收机射频前端的设计。基于直接下变频的系统架构。接收机集成了低噪声放大器、I／Q下变频器、去直流偏移滤波器、基带放大器和信道选择滤波器。电路采用TSMC0．18μm CMOS工艺设计,工作在2．4GHz ISM（工业、科学和医疗）频段,实现的低噪声放大器噪声系数为0．84dB,增益为16dB,S11低于-15dB,功耗为13mW;I／Q下变频器电压增益为2dB,输入1dB压缩点为-1 dBm,噪声系数为13dB,功耗低于10mw。整个接收机射频前端仿真得到的噪声系数为3．5dB,IIP3为-8dBm,IP2大于30dBm,电压增益为31dB,功耗为32mW。     

可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计

文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。     

高低增益双通路射频低噪声放大器的设计

介绍了一种应用于VHF频段跳频通信系统接收机的低噪声放大器（LNA）。根据跳频通信系统抗扰要求高,适应能力强的特殊要求,确定具有高、低增益双通路的设计方案,而后对LNA电路进行稳定性分析;并使用Agilent公司的ADS软件对基于U310场效应管和2N5031晶体管的LNA电路进行仿真设计;最后在仿真的基础上,设计出LNA的电路实物,测试结果表明,该LNA电路增益为：高增益＞20dB、低增益＞8dB,噪声系数＜3dB,带内纹波＜1.5dB,工作稳定并有一定裕量。     

一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计

本文提出了一种应用于LTE直接变频接收机的CMOS射频前端电路。电路由低噪声跨导放大器（LNA）,电流型无源混频器和跨阻运算放大器（TIA）组成,该结构对于LTE多频带应用具有高集成,高线性,并实现简单的频率配置。电路采用多个电流舵跨导级实现了大的可变增益控制范围。电流型无源混频器采用25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性性能。为了抑制带外干扰,采用直接耦合电流输入滤波器。该射频前端电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围,具有45dB电压转换增益,噪声系数为2.7dB,IIP3为-7dBm以及校准后的IIP2为 60dBm。电路采用1.2V单电压供电,整个电路工作电流为40mA。