掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响

室温条件下,采用平面叉指电极式器件,运用原位化学氧化聚合和静电力自组装相结合的方法分别制备了盐酸掺杂和对甲苯磺酸掺杂聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜气体传感器,并通过电子扫描显微镜(SEM)对薄膜进行了分析表征,研究了其在常温下对NH3气的敏感特性。实验结果表明,盐酸掺杂PANI/TiO2复合薄膜较对甲苯磺酸掺杂PANI/TiO2薄膜具有更好的灵敏度和响应恢复特性以及更好的稳定性。该研究有助于开发低功耗、高灵敏度的NH3气体传感器。     

聚吡咯薄膜的制备及其氨气敏感特性的研究

运用聚电解质自组装膜对基片表面进行化学改性,通过原位聚合法及自组装方法在基片表面沉积聚吡咯薄膜,利用紫外可见分光光度计(UV-Vis)和原子力显微镜(AFM)对聚吡咯薄膜进行了分析表征。采用平面叉指电极制备了PPy薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH3的敏感性及对-30℃~+60℃温度范围内、5.9% R.H~59.6% R.H范围内的湿度其敏感特性的变化,讨论了薄膜沉积时间对气敏特性的影响。结果表明,该传感器对浓度为0~141 ppm的NH3具有较高的灵敏度,对氨气的响应及恢复特性也很好,当沉积时间为20 min时,该传感器的NH3敏感特性最好。     

催化脱羧法制备3,4-乙烯二氧噻吩

以2,5-二羧酸-3,4-乙烯二氧噻吩为原料,经过催化脱羧反应合成聚合物单体3,4-乙烯二氧噻吩。通过对催化剂、溶剂、反应温度及反应时间4个因素的改变,对其合成工艺进行了优化。实验结果表明,脱羧反应的最佳工艺条件为:铜粉为催化剂,DMSO为溶剂,反应温度160℃,反应时间9h。在此条件下,产品的收率为68%,纯度为99.5%。目标化合物的结构通过GC-MS和1 H NMR进行了表征。     

受限空间内化学被覆导电聚合物薄膜研究

研究了在多孔Ta/Ta2O+阳极微孔内表面原位化学聚合聚3,4-乙烯二氧噻吩导电聚合物薄膜的制备方法,结合有机片式固体钽电解电容器等效串联电阻值的变化,对聚合过程在受限空间里的高分子链形成机理以及在弱吸附情况下微孔内的薄膜导电性能的变化进行了分析,结果表明,在受限的空间里聚合反应生成的聚合物薄膜电导率会由于受限能的影响而降低,其影响程度相似于聚合溶液浓度的变化对聚合物薄膜电导率的影响。     

（3,4）-1,4-二氧亚乙基噻吩2′-甲醇的合成及产物结构鉴定

将化合物1,5-二羧基（3,4）-1,4-二氧亚乙基噻吩2′-甲醇在铜氧化铬混合催化剂催化下经高温脱羧合成出（3,4）-1,4-二氧亚乙基噻吩2-甲醇,利用核磁碳谱和氢谱结合二维核磁（同核相关和异核相关）分析了化合物的结构共振图谱表明：（3,4）-1,4-二氧亚乙基噻吩2-甲醇在合成过程中生成了六圆环.本研究第一次证明了该化合物的结构.     

双敏薄膜气体传感器的研究

我们用PECVD技术制备了一种既对NO2气体敏感又对C2H5OH气体敏感的多层结构薄膜，用这种薄膜制作的旁热式气体传感器，通过改变热丝电压，不仅可以检测出NO2气体，又可以检测出C2H5OH气体，而且不受常见气体的干扰，这是一个双敏薄膜气体传感器。     

纳米VO2/PEDT复合膜的制备及阻温特性的研究

将纳米VO2粉体与聚3,4-乙撑二氧噻吩复合,制备出一种新型的负电阻温度系数特性的聚合物基复合材料。通过计算复合膜简化模型的等效电阻网络,结果表明串联电阻结构有利于复合膜表现出高电阻相二氧化钒的电阻温度特性。同时,由于掺杂过的VO2粉体相和聚3,4-乙撑二氧噻吩导电聚合物相的共同作用,这种复合膜的电阻随温度变化量可达到一个数量级以上。最后,给出了复合膜的扫描电子显微镜图像结构。     

聚噻吩/壳聚糖层层自组装织物制备及性能研究

研究了以聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸和壳聚糖进行静电层层自组装整理,得到具有防紫外、导电功能的棉织物。采用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)和壳聚糖(CS)通过静电层层自组装技术对棉织物进行表面改性,并研究其导电、防紫外线性能。采用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外分析光谱(FTIR)及表面染色色深(K/S值)分析改性棉织物的表观形态结构;采用紫外线防护系数(UPF)评估防紫外线性能,采用两探针法测量织物表面导电性能并得到相应的IV曲线。研究表明:经石墨烯改性后的棉织物展现出超强的紫外线防护性,其导电性能也有相应的提高。组装5次,改性织物的UPF值达到92.39,远高于未处理棉织物(UPF=9.37)。另外,仅组装5次,改性棉织物的表面电阻率由未处理棉织物的7.19×10~7Ω·m降到4.4×10~2Ω·m。     

有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展

重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管（OTFT）气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜（CuPc）薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结构参数进行了优化,研究了其对H₂S气体的敏感特性。同时制备了P3HT-ZnO纳米棒的复合薄膜、 P3HT单层薄膜、P3HT-MoS₂分层膜和复合膜的有机薄膜晶体管气体传感器,系统地分析了OTFT器件的电学性能和气敏特性。     

聚吡咯/二氧化钛复合氨敏薄膜的制备及特性研究

采用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚吡咯/纳米二氧化钛(PPy/TiO_2)复合薄膜,并进行了表面电阻测试及紫外-可见光谱分析、原子力显微镜分析．利用平面叉指电极结构制备了PPy和PPy/TiO_2薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH_3的敏感性．结果表明,相同条件下PPy/TiO_2复合薄膜传感器的响应/恢复时间均优于PPy薄膜传感器．同时测试了PPy/TiO_2复合薄膜传感器的湿度特性和稳定性．     

基于PVC薄膜的汞离子光寻址电位传感器

通过不同浓度溶液的试验,对一种新型聚氯乙稀(PVC)薄膜汞离子敏感光寻址电位传感器进行了研究,PVC薄膜中的敏感物为5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol.采用硅烷化反应对光寻址电位传感器进行表面修饰,硅烷化前后的器件对单位pH(氢离子)的灵敏度分别为每67.299mV和4.9996mV,线性相关系数分别为0.9831和0.9877.PVC膜成聚后,该传感器对汞离子有选择性的电位响应特性,显示了良好的重复性和稳定性,单位pHg(汞离子)的灵敏度为15.381mV,线性相关系数为0.9629,对其他离子的抑制比大于4.实验得到的检出下限为1.57μg/L,响应时间为2～4s,适用pH范围为3～6.     

组合法制备Pb（ZrxTi（1-x））O3组分梯度薄膜

在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。     

粉末溅射ZnO薄膜酒敏元件

针对金属氧化物薄膜气敏元件传统制造工艺中存在的掺杂不稳问题,开发了一种实用化的ZnO薄膜气敏基材料.采用粉末溅射法研制ZnO:1%CeO2薄膜,利用衬底Al2O3与ZnO晶体均为六方结构的特点,选择适当溅射参数研制出薄膜气敏元件,同时通过悬挂芯片双点焊工艺,使元件更加小型化.长期检测结果表明,此类元件气敏特性和稳定性良好,适合进一步推广应用.     

Preparation and properties of SrBi_(2.2) Ta_2O_9 thin film

1INTRODUCTION Ferroelectricfilmshaveattractedmuchatten tionduetotheirpotentialapplicationsinelectronic devices,suchaspyroelectricinfrareddetectors,opticalswitches,actuators,dynamicrandomac cessmemories(DRAMS)[1,2],andnon volatile randomaccessmemories(NVRAMS)[3,4].Re cently,thereisinterestinthestudyofbismuthlayerstructuredferroelectricmaterialsformemory applications.Inparticular,strontiumbismuthtan tanate(SBT),oneofthebismuthlayerstructuredcompounds,isapromisingcandidateforferroelec t…     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

Ni/AlMCM-41催化剂对正十二烷加氢转化性能的研究

采用各种表征手段(XRD,27Al MAS NMR,TEM,NH3-TPD和Py-IR)考察了硝酸铝、偏铝酸钠和异丙醇铝三种铝源合成的AlMCM-41,负载镍后对正十二烷加氢转化反应进行了评价.结果表明,以NaAlO2为铝源合成AlMCM-41含有较多的四配位骨架铝,铝原子大多分布在分子筛骨架墙的较浅位置,载体表现出较强的酸性,催化剂的酸/金属功能比例适当,正十二烷裂解产物以C6为中心呈对称分布且C4~C9烃含量最高;以Al(NO3)3和Al(OPri)3为铝源合成AlMCM-41做载体制得的负载镍催化剂酸功能相对不足,导致氢解副反应严重.     

用Sm2Fe17制备纳米粒子及磁性研究

采用直流电弧等离子体法在甲烷（CH4）、氢氩、氨气、氨氮气氛下制备了钐铁合金的多种纳米粉，在甲烷气氛下没有杉或铁的氧化物生成，但生成Fe3C；在氢氩和氨氮气氛下，有钐的氧化物，在纯甲烷气氛下的制备的样品矫顽力最大，在氨氮气氛下样品的饱和磁化程度和剩余磁化强度最高，而且矫顽力中等。分析了氨氮与氛下样品高温结晶前后结构和磁学性质的异同，发现再结晶过程中样品被氧化了，磁学性能急剧下降。     

Fe^3＋掺杂TiO2纳米薄膜及其光催化性能

用溶胶-凝胶法制备了Fe^3＋掺杂纳米TiO2薄膜，研究了不同Fe^3＋掺杂浓度的TiO2薄膜材料的光学性能、晶体结构和光催化性及三者之间的关系，并对相关机理进行了探讨．研究表明：铁掺杂量的不同使TiO2材料的光学性能、晶胞参数及光催化性等发生变化，其中以Fe^3＋掺杂0．3％～0．4％（摩尔分数）时具有最好的光催化性能，此时纳米TiO2薄膜具有锐钛矿结构，可见光透过率大于70％，紫外吸收限为366nm，比未掺杂的红移了6nm．     

紫外光驱动微纳结构薄膜的气敏特性研究

采用基于有机模板的溶液浸渍-无损转移法制备ZnO微纳多孔有序薄膜,研究了在不同紫外光强度照射下和不同尺寸孔径的ZnO微纳多孔有序薄膜对NO₂气敏性能的影响。结果表明,以500 nm聚苯乙烯（PS）球为模板制备的ZnO微纳多孔薄膜传感器,在0.35 mW/cm3紫外光照射下具有较高的灵敏度、较快的响应和恢复时间。随着紫外光强度的增强和孔径尺寸的增大,ZnO微纳多孔薄膜传感器的灵敏度降低;且在紫外光照射下ZnO微纳有序多孔薄膜对乙醇、甲醛、H₂S、SO₂和CH₄等气体具有很好的选择性。