Eu3+在LiSrPO4中的发光及浓度猝灭机理

采用高温固相法合成了白光发光二极管用LiSrPO4:Eu3+红色荧光粉.测量了LiSrPO4:Eu3+的激发和发射光谱,结果显示材料的发射光谱为一系列尖峰,主峰位于616 nm,具有很强的红光发射;激发光谱中O2-→Eu3+的电荷迁移态CTS (220～310 nm)非常低,Eu3+的f→f (310～500 nm)跃迁吸收很强,主峰位于393 nm,与InGaN(350～410 nm)管芯匹配.比较了LiSrPO4:Eu3+与LiCaPO4:Eu3+、LiBaPO4:Eu3+发射光谱的差异,这三种晶体中Eu3+占据的格位对称性按Ca、Sr、Ba顺序逐渐增加.根据Dexter理论判定Eu3+在LiSrPO4中的浓度猝灭机理为电四极-电四极(q-q)相互作用.加入电荷补偿剂Li+、Na+和Cl 均提高了LiSrPO4:Eu3+材料的发射强度.LiSrPO4: Eu3+是一种适合白光发光二极管激发的红色荧光粉.     

Gd~(3+)/Si~(4+)掺杂对LiZnPO_4:Eu~(3+)荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法制备了LiZnPO4:Eu3+红色荧光粉,分别研究了Eu3+掺量、Eu3+和Gd3+共掺杂以及SiO2掺杂对材料发光性能的影响。结果表明:在395nm近紫外光激发下,发射光谱峰值位于593nm,属于Eu3+的5D0→7F1辐射跃迁;激发光谱由200~280nm的宽带和310~500nm的一系列尖峰组成,分别对应于O2–→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的f→f能级跃迁吸收,主激发峰位于395nm左右,与近紫外发光二极管(NUV-LED)的发射光谱(360~410nm)匹配。Eu3+最佳掺杂摩尔分数为12%,超过12%后发生浓度猝灭现象,浓度猝灭机理为电多极–电多极相互作用。掺杂Gd3+、SiO2使Eu3+在593nm处的发射分别增强了107%、105%。LiZnPO4:Eu3+是适合NUV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度橙红色荧光粉。     

白光LED用蓝色荧光粉Sr10（PO4）6Cl2:Eu2+合成及其光谱特性

本文采用传统的高温固相法合成白光LED用Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+蓝色荧光粉,利用X-射线粉末衍射和荧光光谱进行表征。实验结果表明,在紫外近紫外区(200～400 nm)激发下荧光粉发射光谱主峰位于447 nm。当灼烧温度为1000℃,Eu2+掺杂浓度为0.12,SrCl2.6H2O添加量过量20%,发光强度最高。与商业近紫外LED芯片发射相匹配,是一种优秀的近紫外白光LED用的蓝色荧光粉。     

凝胶-燃烧法合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr_3MgSi_3O_(10):Eu~(2+)

采用凝胶–燃烧法在活性炭弱还原气氛中成功合成新型宽激发带蓝色发光材料Sr3MgSi3O10:Eu2+。用X射线粉末衍射仪及荧光分光光度计等分析和表征合成样品的物相结构和发光性质。结果表明:所合成的Sr3MgSi3O10:Eu2+的晶体结构与Sr2MgSi2O7的相似,同属四方晶系;激发光谱分布在250～450nm的宽带范围,主激发峰位于366nm处,次激发峰位于394nm处,可以被InGaN管芯产生的350～410nm辐射有效激发;在366nm近紫外光的激发下,发射光谱为一宽带,最大发射峰位于466nm附近,是典型Eu2+的4f5d–4f跃迁导致的。研究发现:Sr3MgSi3O10:Eu2+蓝色荧光粉的发光强度随还原温度的升高而增强;随Eu2+摩尔(下同)浓度的增加逐渐加强,当Eu2+为10%时,发光强度达到最大值,而后随Eu2+浓度的增加而减小,发生浓度猝灭。根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭系Eu2+的电偶极–电四极相互作用所致。     

Sr2MgSiO5:(Eu2+,Mn2+)单一基质白光荧光粉的发光性质

研究了Eu2 ,Mn2 共激活的单一基质Sr2MgSiO5白光发光材料的发光性质.Eu2 中心形成峰值分别为459,555nm的特征宽带,而Eu2 中心向Mn2 中心的能量传递导致了峰值为678 nm的发射,3个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光.其激发光谱分布在250～450nm的波长范围,峰值位于390nm,可以被InGaN 管芯产生的380～410nm辐射有效激发.Sr2MgSiO5:(Eu2 ,Mn2 )是一种性能良好的单一基质白光发光二极管用荧光粉.     

Ca4Si2O7F2:Eu2+荧光粉的发光性能研究

利用固相法制备蓝绿色荧光粉Ca4Si2O7F2:Eu2+,并通过XRD和光致发光光谱对其性能进行表征。结果表明:Eu2+作为发光中心取代Ca2+格位进入Ca4Si2O7F2的晶格中,其最佳掺杂量为5%。激发光谱在360～440nm呈现出双峰宽带激发带,可与近紫外光LED芯片相匹配。在375nm和416nm激发下,样品呈现出峰值为506nm的不对称单一宽带发射。     

磷钒酸盐红色发光粉的制备及性能研究

采用燃烧法合成了一种近紫外激发的Ca3((P,V)O4)2:Eu3+发光材料,用X射线衍射谱、荧光光谱对样品进行了表征。结果表明,荧光粉基质Ca3((P,V)O4)2具有畸变的Ca3(VO4)2的结构,VO34-取代了部分的PO34-,但Ca2+的半径与Eu3+接近,因此Eu3+容易进入晶格,表现出良好的发光性能。荧光光谱分析发现荧光粉可被376 nm紫外光激发,主发射峰值位于620 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光,同时详细研究了Eu3+离子掺杂浓度、引发温度及尿素用量对荧光粉发光性能的影响。     

Sr_5Si_2O_7Cl_4:Eu~(2+)材料的发光特性

采用高温固相法合成Sr5Si2O7Cl4:Eu2+材料。在370nm激发下,Sr5Si2O7Cl4:Eu2+材料呈现峰值位于490nm的非对称发射,对其进行Gaussian曲线拟合,得到峰值位于485nm和520nm两个明显的发射峰。利用van Uitert公式讨论Eu2+在基质中的晶格环境和发光特性,确定晶体中有蓝和黄绿两种发光中心:485nm发射来源于七配位的Eu2+中心发射;520nm长波发射与杂质束缚激子有关。进一步研究Sr5-xCaxSi2O7Cl4:Eu2+材料的发光性质,当0x0.5,Ca2+固溶于Sr5Si2O7Cl4基质晶格,Eu2+占据七配位Sr2+格位,晶体主要产生蓝色中心的蓝绿色发射;当0.5x2,Ca2+掺量增加使晶胞参数变小,晶格中的杂质束缚激子态的束缚增强,Eu2+处于杂质束缚激子中心所形成的激发态能量进一步降低,发射位于长波段,Sr5-xCaxSi2O7Cl4:Eu2+主要产生黄绿色中心的黄绿色发射。     

白光LED照明用新型荧光粉的制备和性能研究

首次报道利用高温固相法结合超声波分散技术合成了Sr3-xMgSi2O8:xEu2 高亮度白色荧光粉,并对其发光性能进行了研究。该荧光粉在近紫外光激发下发出较强的白光,发射光谱由两个主峰组成,分别位于468.4nm和546.0nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的Eu2 离子的5d-4f电子的跃迁发射,从而在单一基质中混合得到了白光,这两个发射峰所对应的激发光谱均分布在250nm-450nm的紫外区,该荧光粉可以被具有400nm的近紫外光发射的InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发而产生白光,是一种性能良好的很有前途的单一基质白光LED照明用稀土荧光粉。     

白光LED照明用新型荧光粉的制备和性能研究

首次报道利用高温固相法结合超声波分散技术合成了Sr3-xMgSi2O8：xEu2＋高亮度白色荧光粉,并对其发光性能进行了研究。该荧光粉在近紫外光激发下发出较强的白光,发射光谱由两个主峰组成,分别位于468.4nm和546.0nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的Eu2＋离子的5d-4f电子的跃迁发射,从而在单一基质中混合得到了白光,这两个发射峰所对应的激发光谱均分布在250nm-450nm的紫外区,该荧光粉可以被具有400nm的近紫外光发射的InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发而产生白光,是一种性能良好的很有前途的单一基质白光LED照明用稀土荧光粉。     

溶胶-凝胶法合成纳米Ca3SiO5:Eu2+荧光粉

用溶胶-凝胶法在弱还原气氛下合成了纳米级Ca3SiO5:Eu2 绿色荧光粉.研究了Eu2 浓度的含量对发光强度的影响,表明在Ca3SiO3:Eu2 中添加Eu2 的最佳含量为0.005 mol.x射线衍射分析表明:在1000～1200 ℃合成的Ca3SiO5:0.005 Eu2 样品为单相Ca3SiO5晶体.根据Scherrer公式计算样品的平均晶粒尺寸为30 nm左右,与扫描电镜分析结果基本相符.样品的发射光谱与激发光谱都为宽带谱,其中发射光谱是峰值为505 nm的不对称宽带谱,而激发光谱是主峰为374 nm的连续光谱.     

Modification of Optical Properties of SrAl_2O_4：Eu~（2＋）,Dy~（3＋） Phosphor by Terbium Doping

以尿素为燃料,采用快速燃烧法在650℃合成了Tb3＋掺杂的SrAl2O4：Eu2＋,Dy3＋新型长余辉光致发光材料。研究了Tb3＋掺杂对Eu2＋,Dy3＋共激活的铝酸盐长余辉发光材料的发光特性的影响。X射线衍射分析结果表明：当Tb3＋的掺杂量x=0.17%时,合成的样品结构为单相SrAl2O4单斜晶系。光致发光测试结果表明：样品的激发光谱为峰值位于345nm附近的连续宽带谱,发射光谱为峰值位于510nm左右的连续宽带谱。余辉衰减曲线结果表明：Tb3＋的适量掺杂可以提高铝酸锶的余辉性能。与SrAl2O4：Eu2＋,Dy3＋相比,掺杂Tb3＋有利于形成结晶度良好的固溶体,样品中的晶体细密紧凑,颗粒粒径约为100nm。     

Processing and luminescence of Eu/Dy-doped Sr2MgSi2O7 glass-ceramics

Glass-ceramics based on the Eu/Dy-doped Sr₂MgSi₂O₇ phosphor have been obtained from sintering and crystallization of glass powders. Electric and gas furnaces were employed for glass melting. The doped parent glasses show red emission under excitation of UV light whereas the corresponding glass-ceramics show blue emission.The microstructure of the glass-ceramics and the crystals responsible for the blue emission were observed by scanning electron microscopy-cathodoluminescence. The composition of the crystallised phases and the distribution and incorporation of rare-earth (RE) ions into the crystals and remaining glassy phase were determined by X-ray diffraction and energy dispersive X-ray analysis, respectively.Photoluminescence emission spectra showed a main peak at 484 nm assigned to the typical Eu²⁺ transitions under excitation at 390 nm in the glass-ceramics. The presence of Dy³⁺ improved persistence in the samples melted in the gas furnace. The glass-ceramics are sensitive to temperature, which modifies both the persistence time and red-blue luminescence.     

电荷补偿对ZnO:Eu~(3+)材料荧光性能的影响(英文)

采用机械力固相化学反应法制备了含3%Eu3+(摩尔分数,下同)ZnO:Eu3+(ZnO:3%Eu3+)发光材料,研究了ZnO:3%Eu3+发光材料的激发与发射光谱,以发射光谱的主峰(λem=611nm)作为监控波长,其激发光谱的主峰对应λem=465nm,分析了ZnO:3%Eu3+材料的发射峰强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂浓度的变化规律。结果表明:随电荷补偿剂含量增大,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度均出现先增大后减小趋势,但在不同电荷补偿剂下,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度最大处对应的电荷补偿剂含量不同,此时对应的Li+,Na+和K+的摩尔分数分别为1%,0.75%和0.70%。     

红色荧光粉γ-LiAlO_2:Eu~(3+)的溶胶-凝胶法制备及发光性能(英文)

采用溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Eu3+红色荧光粉,用X射线衍射、扫描电子电镜、荧光光度计对样品进行了结构、形貌及发光性能表征。结果表明:Eu3+最佳掺杂量以摩尔计为2%,样品γ-LiAlO2:2%Eu3+为四方晶系结构,样品平均粒径为1μm左右,呈片状。荧光体的最大激发峰λex=254nm,属于宽带激发,最大发射峰λem=613nm,对应于Eu3+离子的5D0→7F2跃迁。Eu3+在LiAlO2晶格中主要占据非对称中心格位。     

BaMoO4：Eu^3＋红色荧光粉的制备及发光性质

采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了BaMoO4：Eu^3＋红色荧光粉,差热（DSC）和X射线衍射（XRD）研究结果表明,经过700℃高温烧结后可得到BaMoO4纯物相。粒度分析结果表明,经700℃烧结后样品的粒径约为200nm,随着烧结温度的升高,产物的粒径明显增大,当烧结温度为800℃时,样品的粒径约为500 nm。分别以392 nm的近紫外光和462 nm的可见光激发样品,BaMoO4：Eu^3＋荧光粉发红光,对应于Eu3＋的4f-4f跃迁,其中以615nm附近的5D0→7F2电偶极跃迁发光最强,当Eu3＋的掺杂浓度约为25 mol%时,在616 nm处的发光强度最大。荧光粉在392 nm和462 nm的吸收分别与紫外光和蓝光LED芯片相匹配。因此,BaMoO4：Eu^3＋荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光材料。     

Li2SrSiO4:Eu2+,Tb3+中Eu2+和Tb3+的发光特性和能量传递

用高温固相法在N2/H2=95/5(v/v)还原气氛下合成了Li2SrSiO4:Eu2+,Tb3+荧光粉发光材料,通过荧光光谱研究其发光特性,并从理论上探讨了Eu2+与Tb3+之间的能量转移类型。结果表明:该发光材料主发射峰值550nm,与Eu2+在4f7-4f65d1产生跃迁有关;通过掺杂,共存于Li2SrSiO4基质中的Tb3+通过电多级相互作用将能量传递给Eu2+;在500~650nm范围内对Eu2+具有很强的敏化作用,使其在主发射峰550nm的发射强度显著增强;当名义化学组成为Li2Sr0.995SiO4:0.005Eu2+,0.010Tb3+时,发光强度为最佳。     

用于白光LED的Sr_3SiO_5:Eu~(3+)材料制备及发光特性(英文)

采用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu3+材料.测量了Sr3SiO5:Eu3+材料的激发与发射光谱:材料的发射光谱由576、585、611、618nm和650nm几个发射峰组成,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F2和5D0→7F3辐射跃迁.监测618 nm主发射峰时所得激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为400nul和470nm.研究了Eu"浓度对Sr3Si05:Eu3'材料发光强度的影响,结果显示:随Etl3'浓度的增大,发光强度先增大后减小,Eu3+的摩尔分数为3%时,材料的发光强度最大,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极一偶极跃迁.引入电荷补偿剂Cl-、Li+、Na+和K+时,材料的发光强度均得到了提高,其中Cl-和Li+的提高幅度较明显.     

红色荧光粉Ca2La8Si6O26:Eu的制备和性能

采用高温固相法合成新型CaeLasSi6O26:Eu红色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电镜及荧光光谱对其进行了表征.结果表明:合成的Ca2LasSi6O26:Eu属于六角晶系,可被近紫外光(394 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,发射峰值位于614 nm(对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁),激发波长与目前广泛使用...