环境友好的HDI材料

以CSP为代表的先进封装技术和可以实现高密度封装的确积层多层板的开发已经取得了很大的进步。移动电话、薄型笔记本个人电脑(PC),数字视频摄像(DVC)以及从移动电话到信息终端的升级正在实现小型轻量化和多功能化。HDI材料技术、细间距电路形成和微导通孔形成的加工技术支持了积层多层板的开发。全球性的环境意识正在加强,PWB业领域引入环境技术已成当务之急,现已开发了环境友好性的无卤/无SbHDI材料。     

材料

0203897材料电磁参数测量误差传递流程图分析法[刊]/田步宇//西安电子科技大学学报.—2001,28(5).—569～572,583(K)介绍了一种分析材料电磁参数测量不确定度的新方法——误差传递流程图分析法,该方法根据所用测量技术的物理模型与数学模型,找出切合实际的误差传递关系,建立误差流程图,据此编程计算,求得各种误差因素引起的定量结果以及综合误差。利用此方法分析了多端口材料电磁参数测试系统的测量不确定度,得到了一些重要结论。结果表明,对于复杂测试系统,该方法十分有效。参80203898梯度功能材料研究进展[刊]/王慧//河北工业科技.—2001,18(5).—44～48(K)     

3．CDT高分子OLED材料外部量子效率增倍

英国剑桥显示器科技公司(CDT)日前宣布，在该公司等参加的一项由欧盟提高资金的研究开发项目中，成功地开发出了外部量子效率比过去提高1倍的高分子OLED材料。采用这种高分子材料的OLED元件的外部量子效率为6％。利用红(R)、蓝(B)、绿(G)中效率最低的红色高分子材料，实现了比过去高1倍的外部量子效率。     

文献与摘要（86）

实现器件超小型向立体电路进化的“MIPTEC”技术;无铅焊锡材料设计之发展趋势;高耐热、低膨胀系数覆铜板开发思路;     

高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。     

新开发纯碳材料具极佳防震特性

日本研究者新近开发出一种纯碳材料,这种材料具有极佳防震特性,不仅有延展能力,可自行恢复原状,而且耐寒耐热,有望应用于航空工业及汽车制造业。 日本产业技术综合研究所材料科学家许明（音译）表示,这种新型材料有如浓稠的蜂蜜,可伸展，可自行复原。     

材料

0625798Fe-C-X系合金针状铁素体在奥氏体贫碳区先共析转变的热力学分析〔刊,中〕/许晓锋//中国石油大学学报(自然科学版).—2006,30(3).—93-96(E)0625799酸性气体CO2的膜分离技术研究进展〔刊,中〕/陶凤云//北京联合大学学报(自然科学版).—2006,20(2).—23-26(L)气体膜分离法正发展成为分离酸性气体的一项重要技术。介绍了其基本原理,国内外开发的新型膜材料及性能的研究进展,指出了发展前景。参310625800驱动方式对玻璃包裹铁基纳米晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响〔刊,中〕/施方也//浙江师范大学学报(自然科学版).—2006,29(3).—287-2…     

新型普通Tg高耐热无铅覆铜板材料的介绍

随着无铅化时代的到来,早期的FR-4覆铜板由于固化物交联密度较低,热分解温度(Td)一般为310℃左右,耐CAF性能差,已经不能满足PCB加工的需求.为了适应电子技术发展,我们采用新的树脂及独特配方思路,成功开发出了一种高耐热性环氧玻纤布覆铜板材料NY2140,结果表明NY2140产品具有优异耐热性能、尺寸稳定性、优异的耐CAF性和PCB加工性能,完全达到了无铅覆铜板材料IPC-4101C的性能要求标准.     

材料

Y2000-62274-1406 0015918采用多层电致伸缩材料的执行器系统建模=Modelingof actuator systems using multilayer electrostrictive mate-rials[会,英]/Lee,F.-S.//1999 IEEE IntemationalConference on Control Application,Vol.2.—1406～1411(NiK)本文提出了采用多层电致伸缩材料的燃料注入阀模型。基于有限元方法。模型描述了多层电致伸缩材料执行器的动力学以及其它集中参数状态分量动力学的相关性。仿真结果揭示了采用不同层电致伸缩材斟执行器的性能。0015919纳米材料的结构分析[刊]/高金堂//分析测试技术与仪器.—2000,6(2).—70～74(K)介于宏观与微观的纳米粒子具有特殊的结构与性能,采用现代分析测试技术确定纳米材料的结构,并探索其原子或分子组成的规律是目前纳米材料科学的最     

半导体产品用材料市场大观

电子器件是所有电子设备的核心,而半导体材料则是电子器件的基础。材料的进步又是牵引电子器件发展的重要动力。晶体管被通俗地叫做半导体,就因为它是使用半导体材料制成的。没有半导体材料,便没有今天的分立器件和集成电路。正是半导体材料Ge(锗)放大作用的发现,开辟了半导体材料新的一页,创造了固体器件的崭新时代,形象地称为新石器时代。Si(硅)是今天使用最多的半导体材料,随着晶体管结构、微细化技术和多层布线技术的应用,集成电路达到了高速度、低功耗、大容量、高集成等特性。Si圆片尺寸正向12英寸(300mm)过渡,目前还在开展铜布线、…     

碳化硅材料在微电子机械系统中的应用

碳化硅材料包括单晶碳化硅、多晶碳化硅、无定形碳化硅等,由于其显著的材料特性,如耐热、耐磨、化学惰性和高硬度等,近年来在微电子机械系统(MEMS)领域受到越来越多的关注。应用特定的工艺条件将碳化硅材料制成MEMS器件,可以在某些特殊条件下使用,克服了常规材料本身的局限性,从而为碳化硅材料的应用开发了新的领域。追踪这一国际热点研究问题,针对以上几种不同形态材料,分别举例说明了它们在MEMS领域应用的进展情况。     

石榴石型微波铁氧体材料的研究进展

石榴石型铁氧体材料R3Fe5O12(R=Y,Gd)是微波技术中一种重要的功能材料。综述了高性能石榴石型铁氧体、石榴石型铁氧体材料的制备工艺和低温烧结石榴石型铁氧体等方面的研究进展,归纳了研究中存在的问题,同时对其未来的发展趋势做了展望。     

彩色电致发光材料的掺杂剂

引言单色薄膜电致发光(TFEL)已是一种成熟的技术,尤其是 ZnS:Mn 橙色发光器件。目前,人们正在致力于开发其它颜色的器件。对于稀土材料掺杂的 ZnS 和其它碱土硫化物来说,其4f—4f 跃迁在临界电场下没有明显的改变;因此,可以很方便地确定发射的光谱位置。人们已观察到碱土硫化物     

汉高新一代专利芯片粘接剂:流控芯片粘接技术智能控制胶层倒角(英文)

为了简化存储器等更多应用的芯片堆叠,传统的芯片粘接剂正逐步被薄膜型的芯片粘接所取代,原因在于芯片堆叠设计难以使用传统的膏状材料。但现在,Self-Filleting材料可能标志着芯片粘接剂再度成为寻求低廉成本以及在不牺牲性能的情况下,最大限度提高现有资本生命周期的公司所选择的材料。对于多数应用来说,Self-Filleting材料的确取得了突破性的进步。     

其它材料

SPIE-Vol.4281 0314065SPIE 会议录,卷4281:材料与器件开发中组合与复合扩展技术=Proceedings of SPIE,Vol.4281:Combina-1torial and composition spread techniques in materials anddevice development[会,英]/SPIE-The International So-ciety for Optical Engineering.—124P.(E)本会议录收集了在美国 San Jose 召开的材料与器件开发中复合扩展技术会议上发表的14篇论文。内容     

新型显示材料

日本布里吉斯敦公司成功地研究开发了能取代液晶的新型显示材料。该公司在研究开发纳米材料的基础上又开发了具有微粒子和液体之间性能的新型状态物质 ,命名为“电子微粒流体”。它不仅具有悬浮体的高流动性 ,而且还具有对电场敏感的特性。将此材料注入在两块ＩＴＯ玻璃基板之间 ,可以实现简单矩阵显示 ;此器件具有薄型化、大面积化、响应速度快 (几百微秒适合于动态显示 )、高反射率 (背景如白纸一样 )、有记忆效应和节约能源等优点。此种新型显示材料是对液晶显示的强有力挑战者。新型显示材料@黄锡珉     

其它材料

0014211P_2O_3-B_2O_3-Al_2O_3-SrO-BaO 玻璃中 Yb~(3+)非辐射能量转移下 Er~(3+)离子的增强发射[刊]/张军杰//功能材料与器件学报.—2000,6(1).—29～33(K)0014212导电高分子材料[刊]/李英//河北科技大学学报.—2000,21(2).—9～12(L)介绍了新型导电高分子材料的分类、性能、导电机理,对提高导电高分子材料的导电性及力学性能的途径、应用以及发展前景作了探讨。参130014213PDP 中的新型保护膜[刊]便正根//光电子技术.—2000,20(2).—138～144(L)主要介绍 PDP 中的 MgO 保护膜及各种制造方法,并对新型 MgAl_2O_3保护膜作了简单介绍。参3     

CD-R/RW碟片的技术特征

1988年在日本开发出了用于计算机数据读写的CD—R,很快在全世界得到广泛的应用。1998年民用音响定位的CD—R录音机上市,CD—R录音机可以像盒式磁带那样方便地制作原版CD,因而在音响界又迅速普及开来。现在CD—R/RW已是一种成熟的产品,播放机已在向小体积及更高密度方向发展。本文将从CD—R/RW的基础到最新技术作一全面的介绍。     

蒽类电致发光材料研究进展

有机电致发光二极管显示技术与液晶、等离子等平板显示技术相比具有很多优势及市场竞争力,被称为第三代显示技术。在这一研究领域,发光材料一直是关注的焦点。由于蒽类化合物具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率的优点,到目前为止,研究者已开发了大量的蒽类发光材料。本文主要按照材料结构与性能特点分类对其研究进展进行了综述。并提出了进一步开发蒽类新发光材料的思路。     

环保型高密度互连材料

对于移动电话、薄笔记本个人计算机和数字视频摄像机等设备来说,为使其体积微型化、重量轻型化和功能多样化,当前的解决办法,主要是依靠以芯片规模封装(CSP)为代表的先进封装技术的进展,而开发积层多层印制电路板技术将使这种高密度封装成为可能.但是,开发这种积层多层印制电路板需要高密度互连材料技术,以及精细间距电路形成技术和微导通孔形成技术的支持.从贮藏环境意识的观点看,在该领域中引入环境技术也是必要的.本文将介绍基于环境考虑而开发的不含卤/锑的高密度互连材料.