IGBT模块封装热应力研究

ＩＧＢＴ模块封装多层结构的热不匹配将产生热应力从而影响器件可靠性。给出了ＩＧＢＴ模块热应力模拟结果及减小硅芯片热应力的方法,并计算出模块封装最佳参数及热应力与温度的关系,上述结果与温度循环实验结果一致。     

具有统一封装的NX系列IGBT模块的开发

利用包含统一外壳、基板、螺孔端子盒以及针脚的新封装设计,开发了一系列包含各种电流等级的IGBT模块.通过使用统一封装,可以覆盖不同的电路拓扑结构,例如单管、双管、七管、整流、逆变、制动(CIB)等等.这种封装能够降低模块的制造成本,缩短开发周期,并且能够满足多种电流等级设计的需求.     

电动汽车用大功率IGBT模块封装技术

绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)模块是电动汽车的核心部件,针对电动汽车应用环境特点,设计一款大功率IGBT模块封装方案,从功率芯片、直接覆铜(direct bonded copper,DBC)基板、功率电极、控制电极及环氧树脂层等多个方面介绍该方案的特点。实验测试结果证明,该封装设计方案样品特性良好,满足了电动汽车应用的要求。     

IGBT模块封装工艺的研究

随着能源技术的发展,电力电子器件日益受到人们的关注,绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)作为功率半导体的主流器件在能源领域得到了广泛应用。目前IGBT模块已经在电动汽车、高速铁路以及电力设备等领域发挥着不可替代的作用。IGBT模块的封装作为一个新兴产业越来越受到人们的关注。以IGBT模块的封装工艺为研究对象,确定模块封装两次焊接的顺序,选择两次焊接的焊料,确定焊接温度及回流温度曲线。最终焊接效果良好,有效地提高了IGBT模块封装的工艺水平。     

IGBT模块的驱动和保护技术

本文介绍了IGBT驱动电路的设计原则及方法，分析了多种驱动模块的优缺点，并对IGBT的保护电路进行了探讨。     

采用第6代IGBT硅片的IGBT模块

从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围.     

IGBT模块驱动及保护技术

对IGBT栅极驱动特性，栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨，提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。     

适合中高频应用的NFM系列IGBT模块

针对医疗仪器和电焊机等市场领域对中高频开关应用的需求,三菱电机开发了NFM系列中高频IGBT模块。本文分析了电流谐振逆变器在两种不同工作模式下的波形和特征,然后详细介绍了NFM系列模块设计中采用的关键技术,包括IGBT硅片、超高速续流二极管(Free Wheeling Diode,简称FWD)、低电感封装技术等,并指出这种模块在中高频开关应用时在低损耗方面的优越性。     

用于ZVZCS逆变电焊机的高频IGBT模块

介绍了一种逆变电焊机用高频IGBT模块,并详细讲解了IGBT硅片和低电感封装技术。该模块的典型应用是零电压零电流开关(Zero-voltage and Zero-current Switching,简称ZVZCS)逆变电焊机。介绍了ZVZCS逆变电焊机的电路拓扑结构。最后,通过实验证明采用该模块的ZVZCS逆变电焊机性能优异。     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

大功率IGBT模块工程化技术研究

大功率ＩＧＢＴ模块工程化技术研究ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＳｔｕｄｙｏｆＨｉｇｈＰｏｗｅｒＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ西安爱帕克电力电子有限公司王晓宝刘荡波祝咏晨蕾茸花（西安７１００６１）国际整流器公司模块研究发展中心李泉明（西安７１００６１）１前言为了发展我...     

大功率IGBT高频逆变电焊机的研究

对IGBT高频逆变电焊机进行了较为详细的分析和计算,对系统地构成,参数的选择,IGBT的驱动与保护,高频变压器的设计都作了分析和研究,并经过样机测试证明这些分析是切实可行的。     

IGBT模块应用中过电压的抑制

寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰，通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。介绍了有效抑制IGBT关断中过电压的新方法。     

用于工业牵引的软穿通IGBT技术大功率模块

随着1.7 kV SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7 kV SPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压为1.7kV,电流额定值为2.4 kA新封装类型的模块,该模块采用了E1和E2工业标准模块封装形式.在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场.讨论了1.7 kV SPT IGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性.     

基于Ansys的大功率IGBT模块内部传热研究

采用Ansys软件对大功率IGBT模块内部的传热机理进行分析研究,观察其对应不同功率等级下的IGBT内部传热情况,最后通过IGBT芯片到铜基板底面的不同温度来计算芯片的结壳热阻.对IGBT模块的热性能进行预评估,以便更好地为设计人员提供设计方案的依据.而且以搭建的实验平台为基础,测得一系列实验数据,并与仿真模型的结果进...     

IGBT集成驱动模块的研究

简要介绍了绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路的原则。详细分析了多种常用的IGBT集成驱动模块的特性,并进行了比较。     

IR2110驱动IGBT模块中的栅极抗干扰技术

介绍了IR2110驱动芯片的特点，对IGBT驱动电路的抗干扰技术作了具体分析，提出了几种有效的抗干扰方法，如栅极电平箝位、关断时负压等，并在实际应用中验证了它们的有效性。     

2.5kA/1.2kV两单元IGBT模块

介绍一种工业用2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块.在该大电流器件中,P端到N端的内部连线电感非常小.半导体硅片的巧妙布局有效地提高了模块的散热能力,采用铝底板直接连接绝缘基板来提高热循环能力.对于这种底板面积较大的器件,为了获得更好的底板和散热片之间的热接触.底板被分成几段.2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块的封装同样适用于1.8 kA/1.7 V两单元IGBT模块.     

高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真

对大功率IGBT的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明该驱动电路的有效性和适用性。