荧光靶单色光位置的实时监测

介绍了一种新的荧光靶光束位置探测器的测量方法,利用光斑的非实验用光区,通过对相应荧光靶图像的特点进行分析,设计合适的光斑图像处理算法,计算图像中光斑的位置变化情况,实现单色光位置变化的实时监测。从而能在不影响实验站用光的情况下对光束位置变化进行微米数量级的监测,同时也可以为光束线的调束工作提供实时而准确的光斑信息反馈。经模拟测试,该方法可以准确计算出光斑的位置变化情况,能为实验人员提供实时而精确的光斑位置状态参数。     

YAG晶体在软X射线荧光靶探测器中的应用

荧光靶探测器是同步辐射光源光束位置定位的重要设备之一,本文在96 500 eV软X射线内对CVD金刚石薄片和Ce:YAG晶体薄片进行光致发光亮度的测试,观察到Ce:YAG在该能量段的发光亮度比金刚石高,完成了上海光源软X射线荧光靶探测器靶材的实验研究与探测器的设计;同时给出了YAG晶体荧光靶探测器在线使用时观察到的相干光的衍射图像。     

上海光源光束线前端区XBPM探测器

XBPM探测器是同步辐射装置中测量X光位置的关键设备,主要用于测量光源点产生的X光的位置和光斑形状等。本文着重阐述了用于上海光源光束线前端区的刀片式X光位置探测器的构成及其分析,荧光靶探测器的结构,以及如何使用两种探测器在Canted光束线上进行初次调光;同时,就这两种探测器的当前现状和今后的发展做了简要的说明,并给出了上海光源一期光束线前端区XBPM探测器升级改造的初步结果。     

拉普拉斯算法在荧光靶光斑位置测量中的应用

在同步辐射光源中,荧光靶探测器是一种重要的光斑观测装置,通过荧光靶图像可以对光斑位置进行测量,但光斑弥散导致图像中光斑的边缘变模糊,会对测量结果带来一定影响。为了提高荧光靶探测器的准确性,本文使用拉普拉斯算子对荧光靶图像进行增强处理,再结合图像的阈值分割法找到光斑的边缘位置,从而实现对光斑的定位。经测试,该方法能准确地从图像中提取光斑并计算光斑的中心位置,比用canny算子方法界定的光斑边缘更接近实际情况,对提高荧光靶探测器的位置测量分辨率有一定的帮助。     

核靶厚度控制方法的研究

介绍了核靶厚度的在线控制和离线控制技术，在线控制包括石英晶体膜厚计法，时间法和计算法，离线控制有天平称重法，α测厚仪和分光光度计法。     

CYCLONE－30质子回旋加速器的靶系统及生产用靶的制备

介绍了中国原子能科学研究院与比利时ＩＢＡ公司合作制造的Ｃｙｃｌｏｎｅ－３０质子回旋加速器的靶系统和其生产放射性同位素用靶的制备技术。     

钨酸铅晶体荧光衰减时间特性的内容

用单光子技术研究了钨酸铅晶体荧光发射光谱和衰减时间的关系,测量了不同生长条件了钨酸铅晶体的时间特性,对辐照前后晶体的衰减时间进行了比较,实验结果表明掺镧有助于提高钨酸铅晶体快成分的比重。     

产生放射性核束的厚靶的物理设计

介绍用来产生放射性核束的厚靶的物理设计过程，提出对靶材料特性和温度条件的严格要求，列举了几种候选靶材，设计了１个石墨靶衬并合理安排靶的水冷散热结构，计算了厚靶的三维温度分布情况。计算结果表明：此厚靶完全能够承受最高达１４ｋＷ的质子束入射束流功率，靶的温度可以根据不同要求控制在１３００—２０００℃。     

射流圆孔靶的制备和靶参数测量

介绍了X射线激光射流实验中Al和CH两种射流圆孔靶的制备方法。分别采用精密机械和皮秒激光加工工艺在Al和CH薄膜上制备精密、微小的圆孔,再通过精密装配的方法获得射流圆孔靶。使用白光干涉仪和小型量测仪对射流圆孔靶进行靶参数测量,测量图像和数据表明,Al和CH薄膜圆孔的孔径较圆且两面大小一致性较好,靶的两层薄膜分界面清晰且连接紧密。     

A large-grain-size thick-film polycrystalline diamond detector for x-ray detection

A diamond film with a size of 6 × 6 × 0.5 mm³ is fabricated by electron-assisted chemical vapor deposition. Raman spectrum analysis, x-ray diffraction and scanning electron microscope images confirm the high purity and large grain size, which is larger than 300 μm. Its resistivity is higher than ${10}^{12}\,{\rm{\Omega }}\cdot {\rm{cm}}.$ Interlaced-finger electrodes are imprinted onto the diamond film to develop an x-ray detector. Ohmic contact is confirmed by checking the linearity of its current–voltage curve. The dark current is lower than 0.1 nA under an electric field of 30 kV cm⁻¹. The time response is 220 ps. The sensitivity is about 125 mA W⁻¹ under a biasing voltage of 100 V. A good linear radiation dose rate is also confirmed. This diamond detector is used to measure x-ray on a Z-pinch, which has a double-layer 'nested tungsten wire array'. The pronounced peaks in the measured waveform clearly characterize the x-ray bursts, which proves the performance of this diamond detector.     

紫外激光荧光显微成像技术在光学薄膜损伤测试中的应用

光致荧光显微成像是观测电介质材料超微结构缺陷的有效手段。本工作研究利用KrF激光器照射光学器件表面激发的荧光成像探测光学元件薄膜激光损伤。建立了KrF激光的光致荧光成像系统,并用以进行了紫外光学镀膜损伤的现场测试。测试结果与采用Normaski显微镜的测试结果一致。     

Optimization of decay kinetics of YAG:Ce single crystal scintillators for S(T)EM electron detectors

To enhance the detective quantum efficiency (DQE) of scintillation electron detectors for scanning electron microscopes or scanning transmission electron microscopes (S(T)EM), the cathodoluminescence (CL) decay kinetics of YAG:Ce single crystal scintillators is studied in this paper. Some possibilities for reductions of decay time and afterglow of the mentioned scintillators are presented. The pulse mode utilizing a blanking system and 10 keV electrons for the excitation and a sampling oscilloscope for the CL detection were used for the measurement of decay characteristics. The CL decay characteristics of YAG:Ce single crystals of different Ce concentrations, pulled by the Czochralski method and cleaned and annealed under specific conditions, were measured in dependence on excitation pulse duration and on the specimen temperature. To interpret the presented results, a kinetic model of cathodoluminescence of the YAG:Ce single crystals was created. The effects of quenching impurities and of defect centers in YAG:Ce were specified.