正交配置EBIC的线形

少子扩散长度(L)是表征半导体材料性能的一个重要参量。扫描电子显微镜的电子束感生电流(EBIC)常用于测定少子扩散长度,但由于表面复合的影响,给精确测定L值带来困难,本文给出一个简单模型,讨论了EBIC信号的线形,并结合GaP样品对少子扩散长度进行了讨论。对电子束入射方向z与结平面平行情形(即称为正交配置)中电子束感生电流线形进行理论分析。电子束沿x方向扫描,p-n结位于x=0的(y,z)平面内。电子束入射表面为z=0的(x,y)平面,见图1。由入射电子束感生的过剩载流子浓度:Δn(x,y,z)=I(x,y,z)g(x,y,z)(1)式中I(x,y,z)为(x,y,z)处入射电子…     

GaAs/GaAlAs DH激光器的扫描电子显微镜分析

前言用扫描电子显微镜(SEM)的二次电子(SE)、电子束感生电流(EBIC)、阴极萤光(CL)信号分别观查了GaAs/GaAlAs DH激光器管芯的形貌、外延层和结区中的微缺陷;用Ga-Kα分布曲线分析了GaAlAs限制层的Al含量;还分析了近结区光电特性。结果表明:外延层的Al组分均匀,有源区结线平直;发现键合工艺存在三个问题,一是大部分管芯在键合时焊料In从热沉漫延到镜面上,复盖了有源区;二是上引线的欧姆接触处的周围存在接触势垒;其次发现引线工艺造成了管芯的损伤。此外,管芯中有形变孪     

EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度

少数载流子扩散长度(L)是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关.扫描电子显微镜(SEM)的电子束感生电流(EBIC)被广泛地用于测定少子扩散长度,其优点是通过改变电子束的加速电压,就能精确地控制激发源的大小和深度,从获得的EBIC扫描曲线,拟合得到L值[1～3].GaP是目前商用绿色LED的主要材料,市场需求量很大,但对其重要参量少子扩散长度的测量却很少.本工作利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.     

1.3μm InGaAsP/InP DH LED的SEM分析

本文利用扫描电镜(SEM)对1.3μmInGaAsP/InP DHLED的电学特性参数进行了分析。对影响输出功率的诸因素进行了理论分析和数学计算,绘出了一套曲线,并大量观测了p-n结结位、有源层厚度和均匀性对输出功率和上升时间的影响。本文首次利用扫描电镜的电子束感生电流(EBIC)信号对DHLED中InGaAsP有源层的少子扩散长度进行非破坏性的测量、计算。编拟了专用计算程序“DLSEM”,使这项测量工作实现了快速、简便和精确。     

一个扫描电镜中频闪系统

本文讨论了扫描电镜中频闪系统的设计要求和计算方法,介绍了我们的实验系统。采用高能电子束轰击InGaAs二极管,根据所产生的脉冲束感生电流信号判断已获得宽度小于5毫微秒的脉冲电子束。     

扫描电镜剖面EBIC方法

一、引言扫描电镜EBIC(电子束感生)方法在半导体材料与器件的研究中,有其独特的优点,已被广泛应用。通常应用EBIC方法为平面法,即PN结界面平行于观察平面。本文介绍了剖面EBIC方法。在此方法中,PN结界面垂直于观察平面,成为直接暴露于大气中的自由面。这种疗法能比平面法更直观地表现结的性质,其示意图如图1所示。二、试样制备1.直接介理法:对于简单图形结构的半导体器件,可以采用直接介理芯片的方法。把介理后的芯片垂直放置,背面用银浆粘于半导体样品台的铜架上,与之做欧姆接触,作为一个电极引出。再用钨丝针触及     

EBIC像的简易观察方法

EBIC技术是研究半导体器件性能的一种有效方法,但由于样品更换麻烦等缺点使其应用受到限制。我们在用EBIC方法对太阳能电池的研究过程中,总结出一种可象普通样品一样的更换方法来得到EBIC像,它为用EBIC技术对大量样品进行观察提供了方便。本文也对低效、低体电阻太阳能电池的EBIC观察中存在的问题提出了解     

分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光

利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe的掺杂剂。电子束感生电流(EBIC)的结果有力地证实了p-n结的形成。室温下46(?)0(?)和77K下44600的带边发射在p-n结的电致发光光谱中占主导地位。     

在MESFET中畴的形成——器件结构和材料参数的影响

<正> 一、引言限制 GaAs MFS FET 输出功率的最重要的因素中的两点是:低的击穿电压和高的衬底电导。前者主要涉及功率 FET 的几何结构,后者同材料特性有关。本文的目的是报导:(a)所研究的一种新的器件结构,(b)在所掺杂的范围内获得高的击穿电压,和(c)高纯的未掺杂的缓冲层对 FET 静态特性的影响。我们还将报导采用电子束感生电流(EBIC)在漏回路所获得的电场分布,和采用通过场效应晶体管的沟道各点上碳俄歇谱线的移动所获得的表面电压分布。     

运用精确电压衬度像技术实现精确定位的原位电子束纳米刻蚀：制造具有悬挂纳米线结构的纳米器件

本文演示了运用精确电压衬度像技术实现原位电子束纳米刻蚀技术的精确定位,并运用该技术制作成具有悬挂结构的纳米开关。通过运用精确电压衬度像定位技术,能够很好地控制偏转电极的定位,误差可减少到大约10nm。通过该技术,不用通过任何刻蚀过程只运用一次电子束纳米刻蚀,便可实现将分散的纳米线夹在两个电阻层中间形成悬挂结构。在原位电子束刻蚀的整个过程中,无需移动样品台从而消除了样品台的移动误差。因此,整个过程中不需要高精确的激光台和定位标记,从而简化了传统的电子束纳米刻蚀工艺。通过该方法制作的纳米开关随着施加电压的改变很好地实现了闭合和断开的状态。这种简化的过程提供了一种简单、低成本、快速的通过改装过的场发射扫描电子显微镜（FESEM）来制作纳米线悬挂结构的方法,并可运用该技术进一步制造多层结构和特殊的纳米器件。     

检测栅极薄氧化层缺陷所需的失效分析技术

二氧化硅在VLSI中起着极其重要的作用.氧化层击穿是MOS VLSI的主要失效机理,并已成为电子设备中可靠性问题的重要原因。难解决的缺陷是圆片加工期间造成的。归因于裂纹、针孔或粒子沾污的有缺陷介质可使氧化层造成局部高电场击穿和漏电流过大。为了分析栅极薄氧化层的介质失效,必须采用先进的分析技术来鉴别失效原因。目前最常用的分析技术有四种:发光显微镜(PEM),液晶检测(LCD)、电子束感生电流(EBIC)和KOH腐蚀法。     

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。     

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。     

高温超导引线的传输特性

从电磁学理论入手,给出了引线的基本理论。对高温超导引线的传输特性进行了分析,并对金属引线和导引线的性能进行了比较。得到以下结论：（１）在超导能隙频率下,金属引线的衰减系数比高温超导引线大几个数量级;（２）金属引线的相速与信号频率无关,易出现信号发散,而超导引线在低于能隙率的情况下,相速与频率无关,信号不发散;（３）金属引线对脉冲信号的延迟时间比超导引线高。     

半导体器件物理量的测定

一、引言 扫描电子显微镜的电子束感生电流技术广泛地用于测量半导体的物理量。本文主要介绍利用这种电子束感生电流信息确定PN结的位置,测量平面器件PN结的结深,测量半导体表面载流子的复合速度,确定材料局部区域少数载流子的扩散长度和寿命,测量PN结的耗尽区宽度,研究PN结耗尽区宽度与偏置电压的关系。由于它是一种近年来最新的技术,其原理是基于电子束与固体的相互作用,这种相互作用过程直接反应了半导体的结构和特性,因而可以用它进行半导体材料研究,半导体器件新机理的研究,表面科学的研究以及半导体器件可靠性的研究。为推广这种技术的应用,提高半导体器件水平,我们向读者介绍一下这种电子束技术,报告我们的研究成果。     

动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效分析中的应用研究

对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据.     

降低软切换比例及其对掉话的影响

软切换是CDMA系统采用的一种切换技术。它是指当移动台处于基站小区的覆盖边缘时,会同时收到来自附近不同基站或扇区的信号,移动台的分集接收机同时接收和解调这些信号,并切换到强于当前使用的、稳定的信号上。整个切换过程采用先接后断的方法,在用户没有感觉的情况下,改善了呼叫质量。一般,CDMA系统支持3~6路软切换。例如,当移动台通过软切换同时与3个基站的信号保持通信时,将占用3个基站的资源,包括信道、链路功率、基站与BSC之间的信息量等。占用3个基站的资源,会使投资成本提高,还会影响CDMA?1X上网的速率。因此,软切换和网络质…     

一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电子枪栅极上控制电子束的通断,使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描,不需用模板即可以"直写"方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.     

一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电子枪栅极上控制电子束的通断,使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描,不需用模板即可以"直写"方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.     

一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大，加到电子枪栅极上控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需用模板即可以“直写”方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.