热处理引进Au／NiCr薄膜系统表面状态变化的SEM／SAM研究

采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）技术，对氧化铝基底上用磁控溅射法沉积的Ａｕ／ＮｉＣｒ薄膜系统分别经３５０℃，２０ｍｉｎ真空和大气环境下热处理后样品表面状态的变化进行了研究。     

用SEM研究高聚物的微观形态结构

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）,对ＨＤＰＥ／ＣａＣＯ３填充高聚物、ＰＰ／ＥＰＤＭ高聚物共混物和ＰＡ／ＣＦ增强复合材料的微观结构形态进行了研究,并分析了各材料的改性机理,证明了ＳＥＭ技术在高分子多相体系的形态结构、界面状况、损伤机制及材料性能预测等研究中发挥着重要作用。     

金刚石薄膜-金属接触的SEM和XRD研究

用ＳＥＭ和ＸＲＤ研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质，采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１１１）基片上沉积了掺硼金刚石薄膜，然后蒸发上Ｔｉ／Ａｕ金属层，在氮保护气氛下７００℃热处理５０ｍｉｎ后获得一个线性的电流－电压特性，经ＳＥＭ和ＸＲＤ实验结果表明，Ｔｉ／Ａｕ金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得，显然是由于大金刚石膜－Ｔｉ／Ｔｕ界面处产生了ＴｉＣ新相以及ＴｉＣ的浸润性质的缘故。     

电子背散射衍射技术及其应用

电子背散射衍射 (ｅｌｅｃｔｒｏｎｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ,ＥＢＳＤ) ,是开始于 2 0世纪 90年代初的一项应用于扫描电子显微镜 (ＳＥＭ)的新技术。此技术实现了在块状样品上观察显微组织形貌的同时进行晶体学数据的分析 ,改变了传统的显微组织和晶体学分析是两个分支的研究方法。它大大地拓展了ＳＥＭ的应用范围 ,目前已经变成了类似于Ｘ射线能谱仪 (ＥＤＳ)的ＳＥＭ的一个标准附件。1　ＥＢＳＤ的理论基础1 1　电子背散射衍射花样 (ＥＢＳＰ)的形成电子背散射衍射花样 (ｅｌｅｃｔｒｏｎｂａｃｋｓｃａｔｔｅ…     

快速电铸铜层具有优良的机械性能

电铸——在模芯上电解沉积连续的金属层后使之互相分离而制得金属零件的一种成形技术。电铸成品的贴模面,能非常逼真地复制出模芯表面的细节,因而既可用电铸法制造压制唱片的模子,也可电铸出镜面般光泽的表面。电铸法特别适合于制造某些微波器件。从结构上来讲,微波     

TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性

本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

In718合金长期时效过程组织稳定性研究

Ｉｎ７１８合金长期时效过程组织稳定性研究金泽光（长城特殊钢公司第三钢厂中试，江油６２１７０４）本文主要采用透射电子显微镜（ＴＥＭ）技术，观察和研究了该合金在５５０℃长期时效过程中，γ，晶粒度，ＭＣ、γ＇、γ″和δ相等显微组织的变化规律。Ｉｎ７１８合金...     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

乙酰胆碱酯酶分子的原子力显微成像

本文研究了用原子力显微技术对乙酰胆碱酯酶进行成像的方法。在新鲜裂解的云一表面镀一层金膜,金膜与疏基丙酸（ＭＰＡ）的疏基形成Ｓ－Ａｕ键。使ＭＰＡ的游离羧基再通过碳二亚胺反应与ＡＣｈＥ的碱性氨基酸的氨基形成肽键连接,ＡＣｈＥ因而被固定于支持物表面,这样固定的ＡＣｈＥ可获得清晰成像而不脱落。