共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
通过对永磁同步电机(PMSM)稳态短路工况中短路电流和短路转矩进行理论分析,得到了PMSM稳态短路电流和电磁转矩的解析表达式。结合二维有限元法对某型号180 kW PMSM短路工况下的短路电流和短路转矩进行仿真分析计算,确定PMSM在稳态短路试验时短路电流、短路转矩随电机转速的变化规律。采用1台PMSM进行三相稳态短路试验验证,记录了短路试验时不同转速下的短路电流和短路转矩。对试验结果与理论分析、仿真分析结果进行对比分析,验证了短路电流、短路转矩随转速的变化规律。 相似文献
3.
4.
5.
用数学极值推导出最大的不对称短路电流第一个峰值的计算公式,它与美国国家标准中所给出的计算公式相同,指出了该式与一般文献中所列出的另一个计算公式差异的原因及差异的程度,文中还给出了到达不对称短路电流第一个峰值的时间tn与电源电压的合闸相位角θ之间的数学关系式。 相似文献
6.
SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。 相似文献
7.
采用PSPICE通用仿真软件对可关断晶闸管为核心的短路电流限制器FCL进行了仿真并讨论了元件对系统的影响,为该FCL的实用化奠定了基础。 相似文献
8.
9.
10.
11.
针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20μs电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,本文设计了工频过电压耐受下的ZnO压敏电阻冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压过程和耐受阶段流经芯片内部电流Iin随时间的变化关系;结合双肖特基势垒理论和ZnO压敏电阻芯片Voronoi网格微观结构模型,分析试验结论。结果表明:耐受工频恒定相同幅值过电压,ZnO压敏电阻芯片经8/20μs电流冲击后老化程度越深其流过芯片内部电流Iin的初始值越大;且lin值随时间上升速率与初始冲击老化程度呈正比;相同老化程度ZnO压敏电阻芯片耐受过电压幅值越大,耐受时间越短,Iin的初始值越大。这些可为ZnO压敏电阻冲击老化劣化初期判别提供依据。 相似文献
12.
大型电力变压器出口短路故障分析及措施 总被引:1,自引:0,他引:1
通过介绍一起大型电力变压器出口短路事故的发生和处理经过, 分析了事故原因及暴露的问题。对1 号主变及01 号启动变进行了出口短路后的判定试验, 包括变压器油中溶解气体组分含量的色谱试验、直流电阻试验、绕组变形试验、局部放电试验以及变压器内检等, 判断1 号主变及01 号启动变设备质量可靠, 可以正常投入运行。进而提出应吸取的教训和采取的反事故措施。 相似文献
13.
14.
介质阻挡放电产生臭氧与工作频率关系密切,臭氧的产量、浓度与产率指标往往相互背离,研究工作频率对臭氧指标的综合影响有重要意义。SPWM电源与臭氧发生器负载的等效电路及仿真结果表明SPWM输出方波的基波为正弦波,幅值10%~95%可调,频率50~2 000 Hz可调,可方便地用于测试频率对臭氧产生性能的影响。搭建由145根放电单元组成的工业应用级臭氧发生器,设计单相三阶SPWM臭氧电源,试验结果表明:谐振频率点随调制度的改变、运行电压的高低会有些变化,当工作频率略低于谐振频率时,发生器性能指标较好,当工作频率大于谐振频率时,臭氧浓度、产率等性能指标出现较大幅度下降。该装置SPWM电源在三种不同的试验路径下,均可优选出合适的工作频率,其中一个优选工作频率为810 Hz,此时臭氧产量为2 095 g/h,臭氧浓度为150.7 g/m3,产率为135.1 g/(kW·h)。 相似文献
15.
16.
17.
18.
19.
用MOV作变压器绕组内保护的试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对用MOV作变压器绕组内保护的原理,接入方式,限压规律进行了理论和试验研究,并用相似理论对超高压大容量变压器进行降压真型试验,获得了宝贵数据,证实用MOV保护的优异效果。 相似文献